-
公开(公告)号：KR1020150068529A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130153836
申请日：2013-12-11
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본발명에따른광터널링에의한광추출효율이향상된발광다이오드는, 발광다이오드, 발광다이오드상에광터널링이가능한소정의두께를가지는투명전극, 및투명전극상에적층되며, 굴절률이반도체와같거나높은비반사구조체를포함하되, 투명전극의두께는 50nm 미만이고, 비반사구조체는두께가 10nm 내지 1μm이고, 길이가 100nm 내지 10μm인막대구조이거나, 50um~1000um 크기의구멍을가지는다공성구조이거나, 투명전극위에각각상이한굴절율을가지는다층의물질이적층된구조로이루어져, 광터널링효과에의한발광다이오드의광추출효과가있고, 또한부도체로구성된비반사구조를사용하여도소자의전기적특성저하를막을수 있으며발광특성을향상시킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的由于光隧穿而具有改进的光提取效率的发光二极管包括：发光二极管; 透明电极，其具有适于在发光二极管上的光隧穿的厚度; 以及堆叠在透明电极上并且具有与半导体相同的反射指数或更高的非反射结构。 透明电极的厚度小于50nm。 非反射结构是具有10nm至1μm的厚度和100nm至10μm的长度的棒状结构，具有50μm至1000μm的孔的多孔结构或多层结构 在透明电极上由具有不同反射指数的材料制成的结构。 因此，由于光隧道效应，存在发光二极管的光提取效果。 此外，通过使用由绝缘体制成的非反射结构，可以防止电性能的劣化。 发光性能可以提高。
-
公开(公告)号：KR1020130050487A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：KR1020110115572
申请日：2011-11-08
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
CPC classification number: C01B21/0632 , B82Y40/00 , C01G15/00 , C01P2004/32 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A gallium nitride nanostructure forming method using nanospheres is provided to form the gallium nitride nanostructure having a 3-dimentional shape in a short period of time by arraigning a plurality of nanoshperes on a top surface of a substrate and forming a nanopattern. CONSTITUTION: A galluim nitride nanostructure forming method using nanospheres comprises the steps of: (S110) arranging a plurality of nanospheres on a top surface of a substrate at a single layer; (S120) forming a nanopattern having multiple hemispherical grooves on the top surface of the substrate by allowing a silicasol solution to be permeated through gaps between the plurality of nanospheres; (S130) removing the plurality of nanosphers by using a chemical dissolving method or a combustion method; (S140) heating the nanopattern removed with the nanospheres at a constant temperature to crystallize the nanopattern; (S150) forming a zinc oxide nanostructure having a rod shape inside each of the hemispherical grooves of the crystallized nanopattern; and (S160) heterobinding gallium nitride(GaN) on an outer surface of the zinc oxide nanostructure to form a gallium nitride nanostructure. [Reference numerals] (S110) Step of arranging nanospheres; (S120) Step of forming a nanopattern; (S130) Step of removing the nanospheres; (S140) Step of heat-treating; (S150) Step of forming a ZnO nanostructure; (S160) Step of forming a rod-type GaN nanostructure; (S170) Step of forming a pyramid type GaN nanostructure
Abstract translation: 目的：提供使用纳米球的氮化镓纳米结构形成方法，以在短时间内形成具有3维形状的氮化镓纳米结构，通过在衬底的顶表面上形成多个纳秒并形成纳米图案。 构成：使用纳米球的聚酰亚胺氮化物纳米结构形成方法包括以下步骤：（S110）在单层上在衬底的顶表面上排列多个纳米球; （S120），通过使硅溶胶透过多个纳米球之间的间隙，形成在基板的顶面上具有多个半球槽的纳米图案; （S130），通过使用化学溶解法或燃烧法除去多个纳滤器; （S140）在恒定温度下加热纳米球去除的纳米图案以使纳米图案结晶; （S150），在所述结晶的纳米图案的所述半球形凹槽的内部形成具有棒状的氧化锌纳米结构体; 和（S160）在氧化锌纳米结构的外表面上的异质结氮化镓（GaN），以形成氮化镓纳米结构。 （参考号）（S110）纳米球的配置工序; （S120）形成纳米图案的工序; （S130）去除纳米球的步骤; （S140）热处理工序; （S150）形成ZnO纳米结构的工序; （S160）形成棒状GaN纳米结构的工序; （S170）形成棱锥型GaN纳米结构的工序
-
公开(公告)号：KR102264229B1
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：KR1020190099838
申请日：2019-08-14
Applicant: 울산과학기술원
IPC: G01N27/407 , G01N27/406 , G01N27/27 , G01N27/30
-
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101910535B1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：KR1020160078664
申请日：2016-06-23
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 이종 나노와이어 성장 방법에 관한 발명이다. 본 발명의 실시예에 따른 이종 나노와이어 성장 방법은, 기판 상에 제1 화합물이 증착되어 제1 시드 레이어(seed layer)가 형성되는 단계, 상기 제1 시드 레이어 상에 상기 제1 화합물을 포함하는 제1 나노와이어(nano-wire) 어레이(array)가 성장되는이 성장되는 단계, 상기 기판 상에 PR(photo-resist)가 코팅(coating) 되는 단계, 상기 기판 상에 코팅된 PR 중에서 상기 제1 나노와이어 어레이 위에 코팅된 PR 을 제외한 나머지 PR 중에서 일부가 제거되는 단계, 상기 기판 상에 상기 제2 화합물이 증착되어 제2 시드 레이어가 형성되는 단계, 상기 제2 시드 레이어 상에 상기 제2 화합물을 포함하는 제2 나노와이어 어레이가 성장되는 단계 및 상기 기판 상에 존재하는 PR이제거되는 단계를 포함하되, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 상이하고,상기 제1 나노와이어 어레 이와 상기 제2 나노와이어 어레이는 서로 상이할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR101805725B1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR1020160048860
申请日：2016-04-21
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H02N1/04
Abstract: 본발명은주사슬말단의적어도일부에수소, 플루오로, 염소, 및브롬으로이루어진그룹으로부터선택된적어도하나의원소를포함하는제1고분자, 그리고유전상수가 2 이상인제2고분자를중합시켜제조된그라프트공중합체; 및점도가 3000cP 내지 7000cP 범위인제3고분자를포함하는음전하대전체및 이를포함하는마찰전기발전기에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是一个氢的，氟中的至少主链末端，氯的一部分，并且所述第一聚合物包含选自溴的组中选择的至少一种元素，和通过聚合在西班牙的两个或更多个接枝第二聚合物的介电常数 位共聚物; 以及具有3000cP至7000cP范围内的粘度的第三聚合物以及包含其的摩擦发电机。
-
公开(公告)号：KR20180000545A
公开(公告)日：2018-01-03
申请号：KR20160078664
申请日：2016-06-23
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41
Abstract: 본발명은이종나노와이어성장방법에관한발명이다. 본발명의실시예에따른이종나노와이어성장방법은, 기판상에제1 화합물이증착되어제1 시드레이어(seed layer)가형성되는단계, 상기제1 시드레이어상에상기제1 화합물을포함하는제1 나노와이어(nano-wire) 어레이(array)가성장되는이성장되는단계, 상기기판상에 PR(photo-resist)가코팅(coating) 되는단계, 상기기판상에코팅된 PR 중에서상기제1 나노와이어어레이위에코팅된 PR 을제외한나머지 PR 중에서일부가제거되는단계, 상기기판상에상기제2 화합물이증착되어제2 시드레이어가형성되는단계, 상기제2 시드레이어상에상기제2 화합물을포함하는제2 나노와이어어레이가성장되는단계및 상기기판상에존재하는 PR이제거되는단계를포함하되, 상기제1 화합물과상기제2 화합물은서로상이하고,상기제1 나노와이어어레이와상기제2 나노와이어어레이는서로상이할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种异质纳米线生长方法。 根据本发明的一个实施例的两种纳米线生长方法中，第一化合物被沉积在衬底的第一氧化物层（籽晶层）上的步骤是正规型属性，包括第一籽晶层上的第一化合物 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：生长第一纳米线阵列;在衬底上生长光刻胶; 步骤其部分从所有删除，但涂在纳米线阵列的PR PR，步骤到第二化合物沉积在基底和形成在所述第二化合物的第二晶种层上的第二晶种层 包括，但其中所述第二纳米线阵列包括一个生长步骤，和PR现在将要在衬底上，其中所述第一化合物和第二化合物上的步骤是存在彼此，其中所述第一纳米线阵列不同 2纳米线阵列可能彼此不同。
-
公开(公告)号：KR1020170126756A
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160057217
申请日：2016-05-10
IPC: H02N1/04
Abstract: 마찰전기발전기가제공된다. 마찰전기발전기는슬라이딩에의해서로단속적으로접촉하는제1 대전체및 제2 대전체를포함한다. 또한, 마찰전기발전기는전하저장소와제2 대전체를단속적으로연결하는접지유닛을포함한다. 접지유닛은제2 대전체의전위를변경시킴으로써, 마찰전기발전기의제1 및제2 전극사이에흐르는전류의양을증폭시킨다. 제2 전극은자기력에의해제2 대전체와단속적으로접촉한다.
Abstract translation: 提供摩擦发电机。 摩擦发电机包括通过滑动而间歇接触的第一主体和第二主体。 另外，摩擦发电机包括间歇地连接电荷储存器和整个第二单元的接地单元。 接地单元通过改变整个第二发电机的电势来放大在摩擦发电机的第一和第二电极之间流动的电流的量。 第二电极间歇地接触两个未覆盖部分以产生磁力。
-
公开(公告)号：KR1020170126723A
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160057136
申请日：2016-05-10
IPC: H02N1/04
Abstract: 마찰전기발전기가개시된다. 개시된마찰전기발전기는서로이격되게마련되는제1 및제2 전극과, 상기제2 전극과마주보는제1 전극의일면에마련되는것으로접촉에의해양전하로대전되는제1 대전체와, 상기제1 대전체와상기제2 전극사이에마련되는것으로상기제1 대전체와의접촉에의해음전하로대전되는제2 대전체와, 상기제2 대전체의움직임에의해상기제2 대전체와전하저장소를단속적으로연결하는접지유닛을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种摩擦发电机。 摩擦发电装置包括彼此分开的第一电极和第二电极;第一主体，设置在第一电极的面向第二电极的一个表面上并且通过与第一主体接触而被可靠地充电; 第二主体，该第二主体设置在整个第一主体和第二电极之间并且通过与整个第一主体接触而负向充电;以及第二主体，该第二主体间歇地设置在第二主体和电荷存储器之间 和一个连接的接地单元。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.028 seconds)
