Abstract:
본 발명은 태양 전지용 정공 수송 재료 및 이를 정공 수송 층에 포함하는 태양 전지에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 정공 수송 재료는 종래 기술의 스피로비플루오렌 타입의 정공 수송 재료와 비교했을 때 PCE 를 비롯한 태양 전지 소자의 성능이 더 우수하고 장기간 동안 열화되지 않고 안정성을 갖는다는 이점이 있다.
Abstract:
본 발명은 유기 태양전지용 주개-받개 로드-코일 블록 공중합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 폴리티오펜(polythoiphene)과 풀러렌 복합재에 기초한, 유기 태양전지에 응용을 둔 주개-받개(donor-acceptor) 로드-코일(rod-coil) 블록 공중합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 블록 공중합체는 고체 필름상에서 나노피브릴(nanofibrils) 구조를 관찰할 수 있으며, P3HT(poly(3-hexylthiophene))과 PCBM([6,6]-phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester)으로 구성된 벌크 헤테로접합(bulk heterojunction) 유기 태양전지의 활성층에 상용화제로 첨가하여 태양전지의 효율성 및 안정성을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A donor-acceptor rod-coil block copolymer for an organic solar cell is provided to improve the effectiveness and stability of a solar cell device when added to the active layer of a bulk heterojunction organic solar cell and to ensure a nanofibril structure. CONSTITUTION: A donor-acceptor rod-coil block copolymer for an organic solar cell has a structure represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 is a hexyl group; n, x and y represent the molar ratio of each monomer; n is 10~30 mol%; x is 10~30 mol%; y is 50~80 mol%; and x + y + n = 100 mol%. The organic solar cell includes the donor-acceptor rod-coil block copolymer in the bulk heterojunction active layer of polythiophen and fullerene.
Abstract translation:目的:提供一种用于有机太阳能电池的供体 - 受体棒状线圈嵌段共聚物,用于提高太阳能电池器件在体积异质结有机太阳能电池的有源层中的有效性和稳定性,并确保纳米原纤维结构。 构成:用于有机太阳能电池的供体 - 受体棒 - 线圈嵌段共聚物具有由化学式1表示的结构。在化学式1中,R 1是己基; n,x和y表示各单体的摩尔比; n为10〜30mol%; x为10〜30mol%; y为50〜80mol%; x + y + n = 100摩尔%。 有机太阳能电池包括聚噻吩和富勒烯的本体异质结活性层中的供体 - 受体棒 - 线圈嵌段共聚物。
Abstract:
The present invention relates to an ambipolar semiconductor compound capable of forming a p-type semiconductor and a n-type semiconductor simultaneously. The ambipolar semiconductor compound is represented by chemical formula 1, wherein a functional group allowing thermal removal is removed by succeeding heat treatment. Therefore, a hydrogen bond between adjacent molecules is formed into a net structure so the dominant polarity of the ambipolar semiconductor compound is changed. According to the present invention, p-type semiconductor characteristics and n-type semiconductor characteristics can be simultaneously formed by using the ambipolar semiconductor compound, and an electronic circuit can be manufactured by a relatively simple solution process. In addition, the present invention resolves the imbalance between electron mobility and hole mobility generated in a thin film transistor, etc. made from conventional organic substances, thereby forming a display which has excellent impact resistance and flexibility at lower costs.