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公开(公告)号：KR100866258B1
公开(公告)日：2008-11-03
申请号：KR1020060135843
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00
Abstract: 본 발명은 대상물의 피부에 빛을 입사시키는 광원, 상기 광원으로부터 상기 대상물로 입사되어 확산된 빛의 세기를 상기 대상물의 피부로부터의 거리에 따른 데이터로써 측정하는 리니어 이미지 센서 및 상기 리니어 이미지 센서에서 측정된 데이터를 통해 상기 대상물의 피부 두께를 분석하는 특성분석수단을 포함하는 피부 특성 측정장치에 대한 것으로서 비교적 간단한 수단에 의해 정확도가 높은 피부 두께 등의 특성을 산출할 수 있다.
피부 두께, 리니어 이미지 센서, 피부 굴곡, 빛의 확산-
公开(公告)号：KR100716800B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050105899
申请日：2005-11-07
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00
Abstract: 본 발명은 피하지방 두께 측정방법에 관한 것으로, 특히 광을 이용하여 피하지방의 두께를 측정하는 피하지방 두께 측정방법에 있어서, 대상 검수체로 적어도 하나 이상의 근적외선을 조사하는 단계; 상기 조사된 근적외선이 대상 검수체로 흡수된 뒤 반사되어 나오는 광의 세기를 감지하는 단계; 및 상기 감지된 광의 세기로부터 대상 검수체의 피하지방 두께를 측정해내는 단계;를 포함하고, 상기 대상 검수체로 조사되는 근적외선은 900㎚ 내지 1700㎚ 범위 내의 파장을 가진 것을 특징으로 하는 피하지방 두께 측정방법이며, 이와 같이 종래와는 다른 파장대의 근적외선을 이용함으로써, 광의 피부 침투를 더욱 용이하게 하여 피하지방의 두께를 더욱 정확하고 간편하게 측정할 수 있는 효과가 있다.
피하지방, 측정기, 근적외선-
公开(公告)号：KR1020070048867A
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：KR1020050105899
申请日：2005-11-07
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00
Abstract: 본 발명은 피하지방 두께 측정방법에 관한 것으로, 특히 광을 이용하여 피하지방의 두께를 측정하는 피하지방 두께 측정방법에 있어서, 대상 검수체로 적어도 하나 이상의 근적외선을 조사하는 단계; 상기 조사된 근적외선이 대상 검수체로 흡수된 뒤 반사되어 나오는 광의 세기를 감지하는 단계; 및 상기 감지된 광의 세기로부터 대상 검수체의 피하지방 두께를 측정해내는 단계;를 포함하고, 상기 대상 검수체로 조사되는 근적외선은 900㎚ 내지 1700㎚ 범위 내의 파장을 가진 것을 특징으로 하는 피하지방 두께 측정방법이며, 이와 같이 종래와는 다른 파장대의 근적외선을 이용함으로써, 광의 피부 침투를 더욱 용이하게 하여 피하지방의 두께를 더욱 정확하고 간편하게 측정할 수 있는 효과가 있다.
피하지방, 측정기, 근적외선-
公开(公告)号：KR1020010010469A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990029367
申请日：1999-07-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a silicon membrane is to measure only a change of a reflecting light due to removal of a reflecting film, therefor obtaining a uniform thickness of the silicon membrane independent of a temperature of an etching solution. CONSTITUTION: A method of manufacturing a silicon membrane comprises the steps of: forming at least one of an etching area by etching a portion of the first surface of a silicon substrate(100); depositing a reflecting film on the etching area; forming a protecting film(300) on the first surface and the second surface opposite to the first surface; forming the first opening as a measuring area and the second opening as an active area by etching the portion of the protecting film on the second surface; and etching the measuring area and the active area using the remaining protecting film as an etching mask until all of the metal film is etched.
Abstract translation: 目的：制造硅膜的方法是仅测量由于去除反射膜而导致的反射光的变化，从而获得与膜的温度无关的硅膜的均匀厚度。 构成：制造硅膜的方法包括以下步骤：通过蚀刻硅衬底（100）的第一表面的一部分来形成蚀刻区域中的至少一个; 在蚀刻区域上沉积反射膜; 在与第一表面相对的第一表面和第二表面上形成保护膜（300）; 通过蚀刻第二表面上的保护膜的部分，形成作为测量区域的第一开口和第二开口作为有源区域; 并使用剩余的保护膜作为蚀刻掩模蚀刻测量区域和有源区域，直到蚀刻所有金属膜。
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公开(公告)号：KR1020000031873A
公开(公告)日：2000-06-05
申请号：KR1019980048124
申请日：1998-11-11
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B41J2/005
Abstract: PURPOSE: An ink jet printer head is provided to increase a yield rate and a resolution degree using a production technique of a semiconductor in a production process for producing an ink chamber unit and an ink channel and a nozzle necessary for producing an ink jet printer head, also to enable to produce a printer head of a high brightness with a low price. CONSTITUTION: A production method of an ink jet printer head comprises the steps of: forming a porous silicon area in a silicon wafer(101), forming a lower electrode(113) at the opposite surface of the silicon wafer, forming a piezoelectric film(115) on an upper end of the lower electrode, forming an upper electrode(117) on the upper end of the piezoelectric film, spreading a photoresist on the silicon wafer surface, removing the photoresist except the part bonded with the porous silicon, plating metal on the silicon wafer surface, and removing the porous silicon and the photoresist to produce the ink jet printer head. After removing the photoresist, a nozzle(122), an ink storage tank(123), an ink supply channel(125), and an ink chamber(127) are formed by etching the porous silicon area.
Abstract translation: 目的：提供一种喷墨打印机头，用于在用于生产墨水室单元和油墨通道的制造过程中使用半导体的生产技术提高成品率和分辨度，以及用于制造喷墨打印机头所需的喷嘴 ，也可以以低价格生产高亮度的打印机头。 构成：喷墨打印头的制造方法包括以下步骤：在硅晶片（101）中形成多孔硅区域，在硅晶片的相对表面形成下电极（113），形成压电膜（ 115），在压电薄膜的上端形成上部电极（117），在硅晶片表面上涂布光致抗蚀剂，除去与多孔硅结合的部分以外的光致抗蚀剂，电镀金属 在硅晶片表面上，并且去除多孔硅和光致抗蚀剂以产生喷墨打印头。 在除去光致抗蚀剂之后，通过蚀刻多孔硅区域形成喷嘴（122），墨水储存箱（123），墨水供应通道（125）和墨水室（127）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101842771B1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR1020160072432
申请日：2016-06-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/1171 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/00 , A61B5/1171
Abstract: MSP 기반수평-수직생체인식장치및 방법이제공된다. 본발명의실시예에따른생체인식장치는, 사용자의손목에광들을조사하는광원어레이, 손목을확산반사한광들을검출하는검출기어레이, 광원어레이에포함된광원들의세기를제어하는제어기및 검출기어레이에서의검출결과를이용하여사용자를식별하는프로세서를포함한다. 이에의해, MSP 기반의생체인식에있어동일한영역에대해다양한깊이로생체정보를수집할수 있게되어, 개인식별율을보다높일수 있게된다.
Abstract translation: 提供基于MSP的水平 - 垂直生物测定装置和方法。 根据本发明的一个实施例的生物特征设备包括包括在光源阵列中的用于控制光源的强度的控制器，所述检测器阵列到手腕检测漫反射汉王，光源阵列在阵列中照射在用户的手腕上的光与检测器， 以及使用检测结果来识别用户的处理器。 结果，可以在基于MSP的生物识别中的相同区域中的不同深度收集生物信息，并且可以进一步增加个体识别率。
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公开(公告)号：KR1020170139887A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160072432
申请日：2016-06-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/1171 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/00 , A61B5/1171 , A61B5/442 , A61B5/6824
Abstract: MSP 기반수평-수직생체인식장치및 방법이제공된다. 본발명의실시예에따른생체인식장치는, 사용자의손목에광들을조사하는광원어레이, 손목을확산반사한광들을검출하는검출기어레이, 광원어레이에포함된광원들의세기를제어하는제어기및 검출기어레이에서의검출결과를이용하여사용자를식별하는프로세서를포함한다. 이에의해, MSP 기반의생체인식에있어동일한영역에대해다양한깊이로생체정보를수집할수 있게되어, 개인식별율을보다높일수 있게된다.
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公开(公告)号：KR1020170074427A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150183691
申请日：2015-12-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/0476 , A61B5/0478 , A61B5/00
Abstract: 건식전극을이용한뇌파측정장치및 방법이제공된다. 본발명의실시예에따른뇌파측정장치는, 뇌파를측정하여뇌파신호를생성하는뇌파전극및 뇌파신호를다단계로증폭하고다단계로필터링하는뇌파처리회로를포함한다. 이에의해, 다공성백금으로도금된건식전극을통해정확한뇌파신호생성이가능해지고, 다단계의증폭과필터링에의해정확한뇌파신호획득이가능해진다.
Abstract translation: 提供了一种使用干电极测量脑电波的设备和方法。 根据本发明实施例的用于测量EEG的设备包括用于通过测量EEG波来生成EEG信号的EEG电极以及用于多级滤波和多步滤波EEG信号的EEG处理电路。 因此，可以通过镀有多孔铂的干电极产生精确的EEG信号，并且可以通过多级放大和滤波来获得精确的EEP信号。
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