Abstract:
본 발명은 무선 주파수 식별 태그용 금속성 공진기 파이버를 제조하는 방법및 무선 주파수 식별 태그를 제조하는 방법에 관한 것으로, 나노 크기의 무선 주파수 식별(Radio Frequency IDentification) 태그용 금속성 공진기 파이버를 스탬핑 공정으로 형성함으로써, 제조 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다. 그리고, 본 발명은 금속성 공진기 파이버를 대상물에 분산시켜, 무선 주파수 식별 태그를 제작함으로써, 문서, 증명서류 등의 위조방지 및 고가상품의 브랜드 보호와 아이템 트래킹(Tracking) 등 다양한 분야에서 널리 사용될 수 있는 효과가 있다. 더불어, 본 발명은 표면이 곡면인 무선 주파수 식별 태그용 금속성 공진기 파이버를 제조함으로써, 내구성 우수하게 할 수 있으며, 리더기에서 조사된 마이크로파의 반사 효율을 향상시켜 안테나 특성을 우수하게 할 수 있는 장점이 있는 것이다. 태그, RFID, 스탬프, 금속, 파이버, 분산
Abstract:
An organic thin film transistor and its manufacturing method are provided to improve the impurity blocking characteristic of the organic thin film transistor by using a first protective layer formed on a gate dielectric. A gate electrode(120) is formed on an upper portion of a substrate(100). A gate dielectric(130) is formed to surround the gate electrode. A drain electrode(141) and a source electrode(144) are separately formed on an upper portion of the gate dielectric. A data electrode(147) is formed on the upper portion of the gate dielectric by being electrically connected to the drain electrode. An organic semiconductor layer(150) is formed on a mutually separated region of the upper portion of the gate dielectric as it surrounds parts of the drain and the source electrodes. The organic semiconductor layer is extended from the part formed on the mutually separated region to surround the part of the data electrode. A first protective layer(160) is formed on the upper portion of the gate dielectric as it surrounds the drain electrode, the source electrode, the data electrode, and the organic semiconductor layer. A part of the first protective layer is removed so that the organic semiconductor layer formed by surrounding the date electrode is exposed. A second protective layer(170) is formed on an upper portion of the first protective layer and an upper portion of the exposed organic semiconductor layer.
Abstract:
본 발명은 플렉서블(Flexible) 액정 디스플레이에 관한 것으로, 상호 대향되어 일정 간격으로 이격되어 있는 한 쌍의 플렉서블 편광필름과; 상기 한 쌍의 플렉서블 편광필름 사이에 개재되는 액정 물질과; 상기 액정 물질을 감싸고, 상기 한 쌍의 플렉서블 편광필름에 접착되어 있는 봉지부를 포함하여 구성된다. 따라서, 본 발명은 한 쌍의 플렉서블 편광필름 사이에 액정 물질을 개재하여 디스플레이를 구현함으로써, 종래 기술과 같이 고분자 기판을 사용하여 디스플레이의 경박단소화를 시킬 수 없는 한계를 극복하고, 2장의 고분자 필름 기판을 사용할 필요가 없어, 디스플레이를 매우 얇은 두께로 제작할 수 있으며, 추가적인 편광판 부착 공정이 필요 없게 되어 제작 공정의 단순화시킬 수 있고 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 플렉서블, 디스플레이, 편광, 액정
Abstract:
본 발명은 전자장치용 베이스 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 기판에 유기막과 2층의 무기막을 순차적으로 적층하여, 가스 차단막을 형성하되, 무기막에는 SiO 2 , Al 2 O 3 와 SiON(Silicon oxynitride) 중 어느 하나로 형성함으로써, 투습율을 낮출 수 있어 우수한 특성을 갖는 전자 장치의 베이스 기판으로 사용할 수 있는 효과가 있다. 고분자, 필름, 기판, 투습
Abstract:
본 발명은 디스플레이 소자에 포함되는 유무기 복합 이중구조 절연막에 관한 것이다. 본 발명의 유무기 복합 이중구조 절연막은 고분자 기판 위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위에 형성되는 디스플레이 소자의 절연막에 있어서, 영률 2.5GPa 이하의 유기 절연막 물질과 영률 80-100GPa 범위를 가지는 무기 절연막 물질이 이중구조로 적층된 복합 이중구조 절연막으로 이루어진다. 또한 상기의 유기 절연막과 무기 절연막의 적층 두께 비 및 영률의 비가 최적으로 도출되어 형성되고, 상기 유기 절연막을 평탄하게 형성함에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 유무기 복합 이중구조 절연막은 유기 절연막에 의해 표면의 왜곡을 감소시키고, 그 위에 절연 특성이 강한 무기 절연막을 증착시킴으로써, 유기물 또는 무기물이 단독으로 절연막의 재질로 사용될 때 표면 요철이나 휘어짐에 의하여 야기될 수 있는 절연특성의 저하를 개선할 수 있다는 장점이 있다.
Abstract:
A display panel using a paper substrate and a fabrication method thereof are provided to use a thin and flexible paper as a substrate, while forming protection films on a surface of the paper substrate, thereby more variously transforming a panel type and preventing the life and luminous efficiency of an organic EL display panel from deteriorating. The first protection film(21a) and the second protection film(21b) are formed on an upper side and a lower side of a paper substrate(20), respectively. An anode electrode(22) is repeatedly formed in stripe type at certain intervals on an upper side of the first protection film(21a). Insulating films(23) deposit insulating substances in an upper part including the anode electrode(22) and the first protection film(21a), and expose a portion of the anode electrode(22) by forming contact holes in every unit pixel area. Separable partition walls(24) are repeatedly patterned at certain intervals on top of the insulating films(23) in a direction that crosses the anode electrode(22) at a right angle. Luminous layers(25) are formed in an upper part including the exposed anode electrode(22), the insulating films(23), and the partition walls(24). Cathode electrodes(26) are formed by depositing and patterning metal on the luminous layers(25). The third protection film(27) caps an entire element.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating an MIM(Metal Insulator Metal) device of a liquid crystal display is provided to form upper and lower electrodes of the same metal material to reduce stress applied to a ductile plastic substrate and prevent deformation of the plastic substrate and cracking of the lower electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(102) is formed of a ductile metal on a transparent substrate(100). A photoresist pattern is selectively formed on the transparent substrate to expose the surface of the lower electrode, and an insulating layer(104) is formed on the lower electrode. The photoresist pattern is removed. A photoresist pattern is selectively formed on the transparent substrate having the insulating layer to expose the insulating layer and a predetermined portion of the substrate, and the same ductile metal as the lower electrode is deposited on the overall surface of the substrate. The photoresist pattern and the ductile metal layer formed on the photoresist pattern are lifted off, to form an upper electrode(106) on the insulating layer and the substrate.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating an MIM(Metal Insulator Metal) device of a liquid crystal display is provided to form upper and lower electrodes of the same metal material to reduce stress applied to a ductile plastic substrate and prevent deformation of the plastic substrate and cracking of the lower electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(102) is formed of a ductile metal on a transparent substrate(100). A photoresist pattern is selectively formed on the transparent substrate to expose the surface of the lower electrode, and an insulating layer(104) is formed on the lower electrode. The photoresist pattern is removed. A photoresist pattern is selectively formed on the transparent substrate having the insulating layer to expose the insulating layer and a predetermined portion of the substrate, and the same ductile metal as the lower electrode is deposited on the overall surface of the substrate. The photoresist pattern and the ductile metal layer formed on the photoresist pattern are lifted off, to form an upper electrode(106) on the insulating layer and the substrate.
Abstract:
The present invention relates to a transparent electronic device having 2D transition metal dichalcogenides with multi-layers, an optoelectronic device, and a transistor device. Preferably, the present invention relates to form a channel layer between transparent layers by forming a multilayer which consisting of at least three layers of a single transition metal dichalcogenide. For this, a transparent electronic device using transition metal dichalcogenides with multi-layers includes electrodes made of a transparent conductive material, and a channel region which is formed between the electrodes by the transition metal dichalcogenides.
Abstract:
PURPOSE: A supporting structure for a flexible substrate and a flexible substrate supporting method are provided to easily attach and detach the flexible substrate by using a supporting unit which is divided into a plurality of parts. CONSTITUTION: A support layer(120) is formed on an elastic layer(110). The support layer is formed to be separated into multiple support units(121) as the elastic layer extends and shrinks. The support layer supports a flexible substrate(10). The elastic layer is formed to be extended and shrunk in a transverse direction. The multiple support units are formed to be separated in a transverse direction as the elastic layer extends and shrinks in a transverse direction.