-
公开(公告)号：KR101101178B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020100028027
申请日：2010-03-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265 , B82B3/00
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 귀금속의 플라즈마 이온주입 장치가 제공된다. 귀금속의 플라즈마 이온주입 장치는, 내부를 진공 상태로 유지하는 진공조와, 박막증착을 위해 진공조 내부에 배치되고 귀금속 스퍼터링 타겟이 장착되는 마그네트론 증착원과, 진공조 내에서 마그네트론 증착원에 대향하도록 배치되어 시료가 장착되는 시료장착대와, 마그네트론 증착원에 펄스직류전력을 인가하여 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 귀금속을 이온화시키는 펄스직류 전원장치와, 시료장착대에 펄스직류전력에 동기화된 고전압펄스를 인가하여 귀금속의 이온들을 시료 쪽으로 가속시키는 고전압펄스 전원장치를 포함한다.
-
-
公开(公告)号：KR101042249B1
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090088133
申请日：2009-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01M8/021 , H01M8/0228 , Y02P70/56
Abstract: 본 발명은 표면 변형층을 통한 스피넬 산화물층의 형성을 촉진함으로서, 크롬의 휘발을 억제하고, 전기 전도도 및 내산화성을 향상시킨 연료전지 금속접속자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 연료전지 금속 접속자용 페라이트계 강재의 표면에 Cr
2 MnO
4 스피넬 산화물층의 형성을 촉진시키는 표면 변형층을 포함하는 전기 전도도 및 내산화성이 우수한 연료전지 금속접속자 및 그 제조방법을 제공한다.
연료전지(Fuel Cell), 접속자(interconnector), 전기 전도도(Electrical Conductivity)-
公开(公告)号：KR1020100083545A
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：KR1020090002986
申请日：2009-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/32412 , C23C14/205 , C23C14/48 , H01J37/32174 , H01L21/265 , H01L21/67213
Abstract: PURPOSE: A method and a device for implanting a solid element plasma ion are provided to implement a high function of a surface property by efficiently implanting a solid element ion to the surface of a sample at a room temperature. CONSTITUTION: An evaporator(24) is prepared for a thin film deposition. A vacuum state is maintained inside a vacuum chamber(10). A sample mount(13) is installed on the opposite position to the evaporator inside a vacuum chamber. A first power supply unit applies first power to the evaporator. The first power supply unit implants the plasma ions of the solid element sputtered from the evaporator to the surface of a sample(12).
Abstract translation: 目的：提供用于植入固体元素等离子体离子的方法和装置，以通过在室温下有效地将固体元素离子注入到样品表面来实现表面性能的高功能。 构成：制备用于薄膜沉积的蒸发器（24）。 在真空室（10）内保持真空状态。 样品座（13）安装在真空室内与蒸发器相对的位置上。 第一电源单元向蒸发器施加第一功率。 第一电源单元将从蒸发器溅射的固体元素的等离子体离子注入样品（12）的表面。
-
公开(公告)号：KR100728086B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020030064026
申请日：2003-09-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H03K3/543
Abstract: 본 발명은 진공관과 반도체 스위칭 소자를 cascode 방식으로 연결하고 반도체 소자에 소출력의 RF 전력을 인가함으로써 RF 증폭 효율을 극대화하여 대출력의 펄스 RF 전력을 발생시킬 수 있는 장치에 관한 것으로서, 진공관, 진공관의 음극에 연결되어 cascode 회로를 구성하는 반도체 스위칭 소자, 진공관의 양극에 고전압을 인가하는 전원 입력부, 진공관 내 다수의 보조극에 직류 전원을 인가하는 직류 전압 입력부, 반도체 스위칭 소자에 펄스 RF 구동 전력을 인가하는 펄스 RF 입력부, 진공관의 펄스 RF 출력을 발생시키는 펄스 RF 출력부 및 펄스 RF 출력의 임피던스 정합을 조절하는 임피던스 정합부를 포함하는 대출력 펄스 RF 전력 발생 장치를 제공한다.
본 발명에 의한 진공관과 반도체 스위칭 소자의 cascode 회로를 이용하면, 소출력의 펄스 RF 전력으로 대출력의 펄스 RF 전력을 발생시킬 수 있으며, 이는 플라즈마를 비롯하여 여러 가지의 대출력 RF 응용 분야에 이용할 수 있다.
진공관, 양극, 음극, 반도체 스위칭 소자, 펄스 RF-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060001011A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040050017
申请日：2004-06-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/513
Abstract: 본 발명은 플라즈마 이온 주입 및 열처리에 의하여 금속으로 이루어진 입체구조 재료의 표면을 처리하여 표면의 소수성을 향상시키는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은 진공조 내에 위치한 전도성 시료대 위에 금속 시료를 위치시키는 단계, 진공조 내에 플라즈마원 기체를 도입하는 단계, 도입된 플라즈마원 기체로부터 플라즈마를 발생시키는 단계, 음의 고전압 펄스를 상기 금속 재료에 가하여, 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 상기 시료의 표면에 주입되도록 하는 단계, 및 이온 주입 후 시료의 온도를 상승시켜 열처리하는 단계를 포함한다.
플라즈마 이온 주입, 열처리, 금속, 소수성, 입체 구조-
公开(公告)号：KR1020040085242A
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020030019874
申请日：2003-03-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C08J7/18
Abstract: PURPOSE: A method and a device for the surface treatment of the inside of a polymeric container are provided to modify the inner surface for the purpose of improving hydrophilicity, hydrophobicity, adhesive property, biocompatibility and gas barrier property, etc. CONSTITUTION: The method for the surface treatment of inside of a polymeric container comprises the steps of: (a) wrapping a polymeric container(7) with a conductive cover(8); (b) positioning the polymeric container(7) on a sample holder(11) in a vacuum reservoir(1); (c) shielding the polymeric container(7) and the sample holder(11) with an insulation body(10); (d) introducing a plasma source gas selected depending on the particular purpose of surface modification into the vacuum reservoir(1); and (e) discharging the gas to form plasma(6) and applying negative high-voltage pulse to the conductive cover(8) and the holder(11) so as to introduce gas plasma ions into the container at high energy, or introducing ions while generating plasma directly by using a strong electric field caused by high-voltage pulse applied to the holder(11) and ground electrode(9) inserted in the container(7) under high pressure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于表面处理聚合物容器内部的方法和装置，以改善内表面，以改善亲水性，疏水性，粘合性，生物相容性和阻气性等。构成： 聚合物容器内部的表面处理包括以下步骤：（a）用导电盖（8）包裹聚合物容器（7）; （b）将聚合物容器（7）定位在真空容器（1）中的样品保持器（11）上; （c）用绝缘体（10）屏蔽聚合物容器（7）和样品保持器（11）; （d）将根据表面改性的特定目的选择的等离子体源气体引入真空容器（1）中; 和（e）排出气体以形成等离子体（6）并向导电盖（8）和保持器（11）施加负高压脉冲，以便以高能将气体等离子体离子引入容器中，或引入离子 同时通过使用由在高压下插入到容器（7）中的保持器（11）和接地电极（9）施加的高电压脉冲引起的强电场而直接产生等离子体。
-
公开(公告)号：KR100407447B1
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：KR1020010039821
申请日：2001-07-04
IPC: C01B13/11
CPC classification number: C01B13/115 , C01B3/382 , C01B2201/12 , C01B2201/90
Abstract: An apparatus for generating ozone in high concentration with efficiency and linearly controlling the concentration of ozone is disclosed. The apparatus includes an oxygen generator, a flat plate type ozone generator, a high-voltage transformer, a high-frequency inverter, a cooling-water supplier, and a control signal generator. The high-frequency inverter linearly controls the concentration of ozone by applying a high-frequency voltage pulse generated according to a predetermined ON/OFF time ratio corresponding to a voltage level of a control signal, to the flat plate type ozone generator through the high-voltage transformer. The flat plate type ozone generator uses a flat plate type ceramic as dielectrics, thereby optimizing the efficiency of ozone generation and the endurance of the ozone generator, and thus simultaneously miniaturizing dimension thereof.
Abstract translation: 公开了一种用于以高浓度高效地产生臭氧并线性控制臭氧浓度的装置。 该设备包括氧气发生器，平板型臭氧发生器，高压变压器，高频逆变器，冷却水供应器和控制信号发生器。 高频逆变器线性地通过所述高施加根据对应于一控制信号的电压电平的预定ON / OFF时间比所产生的高频电压脉冲，在平板型臭氧发生器控制的臭氧浓度 电压互感器。 平板型臭氧发生器使用平板型陶瓷作为电介质，由此优化了臭氧发生的效率和臭氧发生器的耐久性，并因此同时使其尺寸小型化。
-
公开(公告)号：KR100375334B1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020010003734
申请日：2001-01-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/48
Abstract: PURPOSE: A method for surface modification of sharp metallic parts using plasma source ion implantation technique is provided to increase surface strength and durability. CONSTITUTION: The surface modification method of sharp metallic parts includes the steps of placing a sharp metallic part(8) on a specimen stand(9) within a vacuum chamber(1); placing a metal grid(10) at a position apart from the sharp metallic part in fixed distance; forming the plasma of a gas to be ion-implanted into the vacuum chamber; and plasma ion implantation onto the surface of the sharp metallic part by applying negative voltage pulse to the sharp metallic part and the metal grid.
Abstract translation: 目的：提供一种使用等离子体源离子注入技术对尖锐金属部件进行表面改性的方法，以增加表面强度和耐久性。 构成：尖锐金属部件的表面改性方法包括以下步骤：在真空室（1）内的试样台（9）上放置尖锐的金属部件（8）; 将金属格栅（10）放置在离开尖锐金属部分的位置处，并且距离固定; 形成要离子注入到真空室中的气体的等离子体; 以及通过对尖锐金属部分和金属栅格施加负电压脉冲而将等离子体离子注入到尖锐金属部分的表面上。
-
公开(公告)号：KR1020020063035A
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：KR1020010003734
申请日：2001-01-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/3485
Abstract: PURPOSE: A method for surface modification of sharp metallic parts using plasma source ion implantation technique is provided to increase surface strength and durability. CONSTITUTION: The surface modification method of sharp metallic parts includes the steps of placing a sharp metallic part(8) on a specimen stand(9) within a vacuum chamber(1); placing a metal grid(10) at a position apart from the sharp metallic part in fixed distance; forming the plasma of a gas to be ion-implanted into the vacuum chamber; and plasma ion implantation onto the surface of the sharp metallic part by applying negative voltage pulse to the sharp metallic part and the metal grid.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体源离子注入技术对尖锐金属部件进行表面改性的方法，以提高表面强度和耐久性。 构成：锋利的金属部件的表面改性方法包括将尖锐的金属部件（8）放置在真空室（1）内的样品台（9）上的步骤; 将金属网格（10）放置在距离尖锐金属部分固定距离的位置处; 形成要离子注入真空室的气体的等离子体; 并通过向锋利的金属部分和金属网格施加负电压脉冲将等离子体离子注入锋利的金属部分的表面上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
90
records
(took 0.024 seconds)
