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公开(公告)号：KR101064517B1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：KR1020100115988
申请日：2010-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 ZnO 박막 형성시 전구체들의 주입량 비율을 조절하는 것을 통해 박막의 결정 성장방향을 방향에서 방향으로 유도함과 함께 입자크기 및 증착속도를 효과적으로 제어하여 ZnO 박막의 표면 요철 구조의 재현성을 향상시킬 수 있는 ZnO 박막 성장방법 그리고 이를 이용한 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 ZnO 박막 성장방법은 MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 ZnO 박막을 성장시키며, 전구체는 과 로 구성되며, 상기 과 의 주입량의 비율을 변화시켜 ZnO 박막의 결정 성장방향을 방향에서 방향으로 변화시키는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101052504B1
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：KR1020080119075
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N21/552 , G01N21/25 , G01N21/00 , G01N33/50
CPC classification number: G01N21/553
Abstract: 신호빔이 입사되어 소산장을 형성하는 광 전달부; 및 상기 형성된 소산장에 의해 표면 플라즈몬을 여기시키고, 표면 플라즈몬 공진을 일으키는 표면 플라즈몬 여기부를 포함하며, 상기 표면 플라즈몬 여기부의 금속층 사이에 유전체 층이 삽입되어 있고, 분석의 대상에 의해 표면 플라즈몬 공진 특성이 변하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공진 센서가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 플라즈몬 공진 센서를 사용하면, 날카로운 공진곡선과 국부전기장 증진효과에 의해 주변환경의 굴절율 변화, 특히 금속층 표면부에 인접한 국소환경변화에 대한 분해능이 월등히 향상됨은 물론 센서의 동적영역이 확장되고 열, 화학 및 기계적 안정성이 현저히 개선되는 이점이 있다.
표면 플라즈몬 공진 센서, 이중 금속층, 고 분해능Abstract translation: 光传输单元，用于接收信号光束以形成干燥场; 并且所形成的，并且其中通过渐逝场的表面等离振子，待分析包括，其中被物体插入的金属层，所述表面等离振子的共振特性的激发表面等离子体激元部分之间的表面等离子体激元产生表面等离子体共振，以及介电层的部分 提供表面等离子体共振传感器。
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公开(公告)号：KR100956750B1
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：KR1020080028816
申请日：2008-03-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 신호빔이 전파되는 광 전달부; 및 상기 광 전달부에 광학적으로 연결되어 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 입사되며, 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 펌프빔이 입사되는 광도파로를 포함하되, 상기 신호빔의 파장과 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며, 상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 광소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 및 그 작동 방법을 사용하면, 비선형 광학재료의 굴절율 변화 자체에 의존하는 광 스위칭 동작 방식을 적용하므로 공진형 나노복합체의 우수한 비선형 광학특성은 최대로 이용하면서 이에 수반되는 흡수 손실을 감소시켜 소자응답특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
광소자, 비선형, 도파로, 표면플라즈몬, 나노복합체-
公开(公告)号：KR1020100001559A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080061513
申请日：2008-06-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/16 , C23C16/407 , C30B25/02 , C30B28/12
Abstract: PURPOSE: A method for a thin film growth is provided to improve the mobility of a carrier and a light scattering effect by improving a surface particle size and surface roughness of a thin film. CONSTITUTION: In a device, nuclei of the crystal grains having the various crystal growth direction are formed on the top of a substrate. First crystal particles having a first crystal growth direction(100) are preferentially grown up in order to form a first texture. Second crystal particles having a second crystal growth direction(111) are preferentially grown up in order to form a second texture. The area of surface of the second crystal particle is bigger than that of the first crystal particle.
Abstract translation: 目的：通过提高薄膜的表面粒径和表面粗糙度，提供薄膜生长方法，以提高载流子的迁移率和光散射效果。 构成：在器件中，在衬底的顶部形成具有各种晶体生长方向的晶粒的核。 优先生长具有第一晶体生长方向（100）的第一晶体颗粒以形成第一纹理。 优选地生长具有第二晶体生长方向（111）的第二晶体颗粒以形成第二结构。 第二晶体颗粒的表面面积大于第一晶体颗粒的面积。
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公开(公告)号：KR1020090112333A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：KR1020080038154
申请日：2008-04-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F1/1343 , B32B15/00
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/13471 , H01L21/02554 , H01L31/1884
Abstract: PURPOSE: A transparent conducting thin film consisting of a zinc oxide and a fabricating method for the same are provided to obtain improved electric characteristics by providing a higher free charge mobility than a doped zinc oxide transparent conductive thin film. CONSTITUTION: A method for fabricating a transparent conducting thin film consisting of a zinc oxide comprises the steps of doping a halogen anionic element and a hydrogen onto a zinc oxide or doping a halogen anionic element, a hydrogen and group III cationic metal element on a zinc oxide, wherein the doped halogen anionic element is 0.05~2.5at%.
Abstract translation: 目的：提供由氧化锌组成的透明导电薄膜及其制造方法，以通过提供比掺杂的氧化锌透明导电薄膜更高的自由电荷迁移率来获得改善的电特性。 构成：用于制造由氧化锌组成的透明导电薄膜的方法包括将卤素阴离子元素和氢掺杂到氧化锌上或掺杂卤素阴离子元素，锌和III族阳离子金属元素在锌上的步骤 氧化物，其中掺杂的卤素阴离子元素为0.05〜2.5原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100852756B1
公开(公告)日：2008-08-18
申请号：KR1020070026186
申请日：2007-03-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F1/35 , G02B5/20 , G02F1/3517 , G02F1/3551
Abstract: A nonlinear optical material and an optical device are provided to achieve a transmissive operation at a near infrared communication wavelength band, to increase an entire interaction length, and to improve nonlinear phase shift by increasing a size of an electric field applied into a metal layer. A transparent layer(2) receives circularly-polarized pump beams and transmits pump beams of a near infrared communication wavelength band. A metal-transparent layer multilayered structure receives each movement amount of the pump beams transmitting the transparent layer, and arranges a spin direction of free electrons to be parallel to a progress direction of light. In the metal-transparent layer multilayered structure, metal layers(1) for forming a vector magnetic field are alternatively arranged.
Abstract translation: 提供非线性光学材料和光学装置以实现近红外通信波长带的透射操作，以增加整个相互作用长度，并且通过增加施加到金属层中的电场的尺寸来改善非线性相移。 透明层（2）接收圆偏振的泵浦光束并透射近红外通信波长带的泵浦光束。 金属透明层多层结构接收透射透明层的泵浦光束的每个运动量，并且将自由电子的自旋方向排列成与光的行进方向平行。 在金属透明层多层结构中，交替布置用于形成矢量磁场的金属层（1）。
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公开(公告)号：KR100699072B1
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050070480
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질Abstract translation: 本发明涉及具有优异的热稳定性和化学稳定性的氧化锌基透明导电膜，
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公开(公告)号：KR1020070016203A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020050070480
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2307/202 , B32B2307/412
Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질-
公开(公告)号：KR100651657B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050056892
申请日：2005-06-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: A phase change material for a high-integrated non-volatile memory is provided to reduce writing current and heat interference between cells by reducing a melting temperature and improving a crystallization temperature and by improving a joule heating characteristic and a heat radiation characteristic of a memory material. A phase change material is a substitutional solid solution that has a congruent melting composition or eutectic melting composition having a minimum melting temperature in an equilibrium state diagram or a composition in which the composition displacement of an individual constituting element has an atomic mole fraction of plus and minus 0.15 or lower with respect to the congruent melting composition of the eutectic melting composition. The phase change material is formed by adding at least one non-metal element to a base material whose melting temperature is not higher than 600 deg.C such that the non-metal element is selected from B, C, N and O. The base material has Sb-Te binary alloy as a main component and is a solid solution to which at least one element selected from Ge, Ag, In and Ga is added.
Abstract translation: 提供用于高集成度非易失性存储器的相变材料以通过降低熔化温度和改善结晶温度并通过改善存储材料的焦耳加热特性和热辐射特性来减小单元之间的写入电流和热干扰 。 相变材料是具有在平衡状态图中具有最小熔化温度的一致熔融组成或共晶熔融组成的组合物置换固体溶液，或者其中组成元素的组成置换具有正的原子摩尔分数的组合物和 相对于共晶熔融组合物的一致熔融组成，减少0.15或更低。 所述相变材料通过向熔化温度不高于600℃的基材添加至少一种非金属元素而形成，使得所述非金属元素选自B，C，N和O.所述基材 材料具有Sb-Te二元合金作为主要成分，并且是添加了选自Ge，Ag，In和Ga中的至少一种元素的固溶体。
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公开(公告)号：KR100583436B1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：KR1020030080725
申请日：2003-11-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02F1/3517 , G02B2006/12142 , G02B2006/12145 , G02B2006/12147 , G02F1/3521
Abstract: 본 발명은 거대 3차 비선형 광학 현상에 따르는 비선형 굴절률을 이용하는 도파로형 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도파로형 광소자는 신호빔이 전파되는 신호빔 도파로와, 펌프빔이 전파되는 펌프빔 도파로로 구성되며, 상기 펌프빔 도파로는 상기 펌프빔이 상기 신호빔 도파로에 커플링이 일어날 수 있도록 근접 배치되고, 상기 신호빔 도파로와 상기 펌프빔 도파로는 이종의 재료로 구성되고, 그리고 상기 신호빔과 상기 펌프빔은 서로 다른 파장 영역을 갖는다.
이러한 구성에 따라, 신호빔 도파로에 펌프빔이 커플링되어 신호빔이 지나가는 도파로 상에서 3차 비선형 현상을 유발시킴으로써, 광소자로서 작동이 되도록 하는 전광(all-optical) 통신 소자의 구현을 가능하게 하며, 소자의 집적화가 가능한 도파로형 광소자를 제공한다.
3차 비선형 광학, 전광 통신, 도파로, 나노 복합체 재료, 광소자
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