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公开(公告)号：KR1020040037316A
公开(公告)日：2004-05-07
申请号：KR1020020065766
申请日：2002-10-28
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C04B35/475 , H01L41/187 , H01P7/10
CPC classification number: H01L41/187 , C04B35/475 , H01L41/43 , H01P7/10
Abstract: PURPOSE: Provided is a Pb-free piezoelectric ceramic composition of the (Bi4-xLax)(Ti3-5y/4Vy)O12 + zmol% TiO2 for ceramic oscillators requiring good piezoelectric characteristics and sinterability by substituting V for Ti and adding excess Ti in the conventional (Bi,La)4Ti3O12 system. CONSTITUTION: The Pb-free piezoelectric ceramic composition is expressed by the formula of (Bi4-xLax)(Ti3-5y/4Vy)O12 + zmol% TiO2, wherein x, y and z are in the ranges of 0.7
Abstract translation: 目的：提供一种用于陶瓷振荡器的（Bi4-xLax）（Ti3-5y / 4Vy）O12 + zmol％TiO2的无铅压电陶瓷组合物，其需要良好的压电特性和烧结性，通过用V代替Ti并在其中添加过量的Ti 常规（Bi，La）4Ti3O12体系。 构成：无铅压电陶瓷组合物由（Bi4-xLax）（Ti3-5y / 4Vy）O12 + zmol％TiO2的式表示，其中x，y和z在0.7 <= x < 0.8摩尔，0.01 <= y <= 0.3摩尔，0 <= z <= 10摩尔％。 该组合物通过以下步骤制备：将原料如Bi 2 O 3，La 2 O 3，TiO 2和V 2 O 5混合; 在800℃煅烧2-4小时; 添加添加剂如TiO2和研磨; 压力100MPa压力; 在900-1200℃烧结2小时; 将压实件的端面抛光至1mm厚度; 形成Ag电极; 极化电极为9kV / mm和120deg.C 20-30min。 对于陶瓷振荡器，芯片型陶瓷振荡器，使用具有改善的机电系数（kp）和机械品质因数（Qm）以及宽带宽频率的无铅压电陶瓷组合物。
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公开(公告)号：KR1020030025712A
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1020010058884
申请日：2001-09-22
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/8242
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a thin film capacitor for integrated electromagnetic device is provided to prevent diffusion and volatilization of lead within a PZT thin film in a post thermal process. CONSTITUTION: An insulating planarization layer is formed on a semiconductor substrate. The first and the second buffer layers are formed on the insulating planarization layer. A capacitor of an integrated device is formed by using a pattern of a bottom electrode, a pattern of a PZT thin film dielectric(6), and a pattern of an upper electrode(5). The upper electrode(5) is formed with copper. The bottom electrode is formed with a conductive oxide layer such as Pt or RuO. An upper electrode deposition process is performed after a PZT film dielectric formation process and an annealing process are performed. The third and the fourth buffer layers(14,13) are formed between the PZT thin film dielectric(6) and the upper electrode(5). A passivation layer(4) is deposited on a surface of the upper electrode(5).
Abstract translation: 目的：提供一种制造用于集成电磁装置的薄膜电容器的方法，以防止在后热处理中PZT薄膜内的铅的扩散和挥发。 构成：在半导体衬底上形成绝缘平坦化层。 第一和第二缓冲层形成在绝缘平坦化层上。 通过使用底电极的图案，PZT薄膜电介质（6）的图案和上电极（5）的图案来形成集成器件的电容器。 上电极（5）由铜形成。 底部电极由Pt或RuO等导电氧化物层形成。 在进行PZT膜电介质形成工艺和退火处理之后进行上电极淀积工艺。 第三和第四缓冲层（14,3）形成在PZT薄膜电介质（6）和上电极（5）之间。 钝化层（4）沉积在上电极（5）的表面上。
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公开(公告)号：KR1020030020603A
公开(公告)日：2003-03-10
申请号：KR1020010053990
申请日：2001-09-04
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01F27/245
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a low loss thin film inductor is provided to reduce coil loss of the inductor by increasing the thickness of the coil of the inductor, while allowing for an ease of manufacture. CONSTITUTION: A method comprises a first step of forming a soft magnetic layer(102) on a substrate(101); a second step of forming an insulating layer(103) on the soft magnetic layer; a third step of forming a seed layer(104) for an electro-plating on the insulating layer; a fourth step of forming a photoresist layer on the seed layer, and forming a pattern of a desired coil shape using the photoresist; and a fifth step of forming a coil portion(107) to the pattern of the coil shape through an electro-plating process; and a sixth step of removing the photoresist remaining around the coil portion formed in the fifth step, and attaching an upper magnetic film(109) on the resultant structure.
Abstract translation: 目的：提供一种制造低损耗薄膜电感器的方法，以通过增加电感器线圈的厚度来减少电感器的线圈损耗，同时允许制造的容易性。 构成：一种方法包括在衬底（101）上形成软磁层（102）的第一步骤; 在软磁性层上形成绝缘层（103）的第二步骤; 在绝缘层上形成用于电镀的种子层（104）的第三步骤; 在种子层上形成光致抗蚀剂层并使用光致抗蚀剂形成期望的线圈形状的图案的第四步骤; 以及通过电镀工艺形成线圈部分（107）到线圈形状图案的第五步骤; 以及第六步骤，除去残留在第五步骤中形成的线圈部分周围的光致抗蚀剂，并且在所得结构上附着上磁膜（109）。
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公开(公告)号：KR100231887B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019970005170
申请日：1997-02-20
Applicant: 한국전기연구원
IPC: G01R33/00
Abstract: 본 발명은 고주파 자기특성 측정시스템에 관한 것으로, 컴퓨터, 멀티미디어 등 각종 전기·전자기기에 사용되는 인덕터, 변압기, 필터 등의 페라이트(ferrite), 퍼멀로이(permalloy), 비정질 자성코어 등 연자성 재료(Soft magnetic materials)의 고주파 자기특성 즉, 고주파 철손, 자기이력곡선(보자력, 자속밀도, 투자율)을 측정하는데 사용하는 것으로, 디지털 오실로스코프를 인가자장 및 자속밀도 파형출력장치로 하고 신호발생기와 전력증폭기를 신호 입력장치로 하여 컴퓨터로 디지털 오실로스코프와 신호발생기를 GPIB(General Purpose Interface Bus)를 통해 리모트 제어하므로써 고주파 자기특성을 측정하고 그 측정데이터를 컴퓨터에 출력, 저장할 수 있도록 하여 고주파 신호 측정시 실제에 적합한 파형으로써 철손(core loss)해석이 가능하도록 하는 등의 효과가 있는 � �이다.
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公开(公告)号：KR101766650B1
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：KR1020140095600
申请日：2014-07-28
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01M10/05 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0565 , H01M10/058
Abstract: 전고체전해질의계면접촉특성및 이온전도성이향상된이차전지가제공된다. 본발명은양극, 음극및 상기양극및 음극사이에개재되는전해질을포함하는이차전지에있어서, 상기전해질은고체전해질과상기고체전해질몸체에습윤된이온성액체를포함하는것을특징으로하는이차전지를제공한다. 본발명에따르면, 고체전해질과상기고체전해질에습윤된이온성액체로구성되는전해질은접촉계면에서높은이온전도도를제공함으로써전고체이차전지가갖는계면특성의문제를해결할수 있게된다.
Abstract translation: 提供了具有改善的整个固体电解质的界面接触性质和离子电导率的二次电池。 本发明的电池是否包括正电极，负电极和电解质是离子液体润湿根据是否电池中的固体电解质和固体电解质体，其包含在正电极和负电极之间的电解质 提供。 根据本发明，由离子液体的电解质以润湿固体电解质和固体电解质可以通过在接触界面处提供高的离子传导性，从而解决的全固体二次电池的表面特性的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170059803A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150164235
申请日：2015-11-23
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C01G33/00
Abstract: 본발명은, 판상의니오븀산칼륨입자및 그제조방법에있어서, KCO, NbO및염을혼합하여열처리하는단계를통해제조되는것을기술적요지로한다. 이에의해플럭스(flux) 공법을통해압전세라믹스의고상단결정성장법이나결정배향법에사용가능한판상의니오븀산칼륨입자를제조가능한효과가있다.
Abstract translation: 根据铌酸钾粒子的本发明，以及制造板形的方法，和通过热处理一KCO的混合物的工序制造的，NbO的一个mityeom技术基础。 由此，可以制造可用于压电陶瓷的固相单晶生长法或通过助熔剂法的晶体取向法的板状铌酸钾颗粒。
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公开(公告)号：KR101551916B1
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：KR1020130133390
申请日：2013-11-05
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본발명은이차전지용전극제조를위한 3D 프린터시스템에관한것이다. 보다상세하게는나트륨(Na) 양극또는규소(Si) 음극과같은이차전지용전극제조에있어서, 충방전특성을개선한형태의전극을용이하게제조할수 있는이차전지용전극제조를위한 3D 프린터시스템에관한것이다. 본발명은이차전지용전극제조를위한 3D 프린터시스템에있어서, 상기전극의제조를위한활물질, 도전제, 및바인더가혼합된형태의혼합부재를이송받은후 상부로배출하는부재공급부; 상기부재공급부일측에결합되며상부에상기전극의제조를위한집전체가미리배치되는집전체배치부; 상기부재공급부상부로배출된상기혼합부재를상기집전체상부로이송하는이송롤러; 및상기집전체배치부상부에대하여상방으로이격되어위치하며상기집전체상부로이송된혼합부재측으로레이저를조사하여미리결정된상기전극의형상에따라결정되는상기혼합부재의일부영역을경화시키는레이저경화부를포함하고, 상기혼합부재는슬러리형태또는파우더형태인것을특징으로한다. 본발명에의하면 SLS(Selective Laser Sintering) 방식으로 3차원형태의전극을제조할수 있으며, 이에따라전극의부피팽창을최소화할수 있도록내부에다수의포어(pore)를포함하는형태의전극을용이하게제조할수 있는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR101541316B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020130131268
申请日：2013-10-31
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
Abstract: 본발명은졸-겔방법을이용한 Cu-BaTiO복합유전체조성물및 그제조방법에관한것으로, 용액석출공정에있어바륨전구체(Barium precursor)와티타늄전구체(Titanium precursor)를출발원료로사용하는제1단계와; 용액석출공정중 졸-겔법을이용하여 80℃내지 95℃의온도에서 6 시간내지 24 시간의시간동안반응조에서반응시키는제2단계와; 상기제2단계이후에금속구리입자를도입하여졸-겔법을이용하여분산반응시키켜혼합액을제조하는제3단계와; 상기제3단계후에상기혼합액을건조하여복합유전체를형성시키는제4단계;를포함하여구성되는졸-겔방법을이용한 Cu-BaTiO복합유전체조성물제조방법을기술적요지로한다. 이에따라, 졸-겔세라믹스공정을이용하여티탄산바륨나노세라믹스분말을만들고, 나노분말과금속을혼합하여복합유전체조성물을형성시킴에의해순수바륨타이터네이트(Barium Titanate) 보다유전율이높고, 금속의코어아일랜드가첨가됐음에도불구하고전압에의한손실이나타나지않아, 커패시터유전체로써활용이가능한이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150057650A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130141274
申请日：2013-11-20
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C04B35/468 , C04B35/624 , C04B35/74 , H01B3/10
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/624 , C04B35/63416 , C04B35/64 , C04B2235/408 , C04B2235/658 , C04B2235/667 , C04B2235/96 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 본발명은졸-겔방법을이용한 Ag-BaTiO복합유전체조성물및 그제조방법에관한것으로, 용액석출공정에있어바륨전구체(Barium precursor)와티타늄전구체(Titanium precursor)를출발원료로사용하는제1단계와; 용액석출공정중 졸-겔법을이용하여 80℃내지 95℃의온도에서 6 시간내지 24 시간동안반응조에서반응시키는제2단계와; 상기제2단계이후에금속은 입자를도입하여졸-겔법을이용하여분산반응시켜혼합액을제조하는제3단계와; 상기제3단계후에상기혼합액을건조하여복합유전체를형성시키는제4단계;를포함하여구성되는졸-겔방법을이용한 Ag-BaTiO복합유전체조성물제조방법을기술적요지로한다. 이에따라, 졸-겔세라믹스공정을이용하여티탄산바륨나노세라믹스분말을만들고, 나노분말과금속은 입자를혼합하여복합유전체조성물을형성시킴에의해순수바륨타이터네이트(Barium Titanate) 보다유전율이높고, 금속의코어아일랜드가첨가됐음에도불구하고전압에의한손실이나타나지않아, 커패시터유전체로써활용이가능한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种Ag-BaTiO_3复合电介质组合物及其制造方法，该方法包括：在溶液沉淀法中使用钡前体和钛前体作为起始原料的第一步骤; 在溶液沉淀法中使用溶胶 - 凝胶法，使起动原料在反应槽中在80-95℃下反应6-24小时的第二步; 通过引入金属银颗粒并在第二步骤之后使用溶胶 - 凝胶法和分散反应制备混合溶液的第三步骤; 以及在第三步骤之后通过干燥所述混合溶液形成所述复合电介质的第四步骤。 Ag-BaTiO_3复合电介质组合物的电导率高于纯钛酸钡，由于通过溶胶 - 凝胶陶瓷工艺制备钛酸钡陶瓷粉末，然后通过将纳米粉末与金属银颗粒混合而形成复合电介质组合物。 此外，Ag-BaTiO 3复合电介质组合物可以用作电容器电介质，因为即使组成包括金属芯岛也不会发生电压的损失。
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公开(公告)号：KR101383356B1
公开(公告)日：2014-04-14
申请号：KR1020120086324
申请日：2012-08-07
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C04B35/468 , C04B35/64 , H01B3/12
Abstract: 본 발명은 고유전율을 갖는 복합 세라믹유전체 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 티탄산 바륨(Barium Titanate, BaTiO
3 )에 수 ㎛의 입자 크기를 가지는 니켈(Nickel, Ni), 구리(Cu), 은(Ag) 중 하나 이상의 금속 원소를 첨가하여 출발원료로 사용하는 제1단계와; 상기 금속원소는 조성비 x(0＜x≤20)wt% 범위 내에서 각 조성에 따른 시료를 증류수 또는 에탄올을 분산매로 하여 지르코니아볼을 사용하여 24시간 동안 볼밀하여 혼합, 분쇄하는 제2단계와; 상기 볼밀한 시료를 건조시키는 제3단계와; 상기 건조된 시료에 PVA(Polyvinyl Alcohol: 5wt% 수용액)을 첨가하고 압력을 가하는 방법으로 성형하여 시편을 형성시키는 제4단계와; 상기 시편을 도가니에 질소 가스(N
2 atmosphere) 분위기 전기로에서 1300 ~ 1350℃ 온도 범위 내에서 소결하는 제5단계;를 포함하여 구성되는 고유전율을 갖는 복합 세라믹유전체 조성물 제조방법을 기술적 요지로 한다. 또한, 본원발명은 티탄산 바륨(Barium Titanate, BaTiO
3 )에 금속 원소를 첨가하여 형성시킨 티탄산 바륨(Barium Titanate, BaTiO
3 ) 조성물에 아일랜드(island) 금속 코어(core)를 형성시키는 고유전율을 갖는 복합 세라믹유전체 조성물을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 복합 세라믹유전체 조성물은 순수 티탄산 바륨(Barium Titanate, BaTiO
3 ) 보다 유전율이 높고, 손실계수는 작으며, 고전계로 충전 가능한 커패시터 유전체로써 활용이 가능하다. 특히 충전 커패시턴스(capacitance) 가 증가하면 충전 전압은 감소하는 것이 보통인데 본 발명에서는 비유전율은 증가하지만 충전전계도 일정하게 유지가 된다. 그러므로 높은 전압을 갖는 특성이 있어 정전용량을 키우면서 전압도 상승하는 전력 저장용 커패시터의 유전체로 활용할 수 있는 이점이 있다.
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