公开(公告)号：KR100261293B1

公开(公告)日：2000-07-01

申请号：KR1019970037479

申请日：1997-08-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조광수 ,  박태준 ,  이성재 ,  김정식

IPC: H04L12/00 ,  H04L12/46

Abstract: PURPOSE: A method for converting and controlling an interprocessor communication message for a PSTN interface unit in an ATM switching system is provided to provide a service by directly connecting existing analog services, not ATM. CONSTITUTION: A method for converting and controlling an interprocessor communication message for PSTN in an ATM switching system includes the following steps. If the PSTN interface unit has received a message to be processed by a message receiving unit, it is checked whether the received message is an analog message or ATM message in the first step. As the result of the checking in the first step, if the received message is an analog message, only the corresponding interprocessor message(PSTN IPC) of the received message is extracted to be sent to a mapping unit, or if the received message is an ATM message, every data on a transmission bus are received for thereby generating one interprocessor communication message and then a message(ATM IPC) having performed ATM adaptive layer type 5 processing along with the interprocessor communication message are sent to the mapping unit in the second step.

Abstract translation: 目的：提供一种用于转换和控制ATM交换系统中的PSTN接口单元的处理器间通信消息的方法，以通过直接连接现有模拟业务而不是ATM来提供业务。 构成：用于在ATM交换系统中转换和控制PSTN处理器间通信消息的方法包括以下步骤。 如果PSTN接口单元已经接收到要由消息接收单元处理的消息，则在第一步中检查接收的消息是模拟消息还是ATM消息。 作为第一步检查的结果，如果接收到的消息是模拟消息，则仅提取所接收的消息的相应处理器消息（PSTN IPC）以发送到映射单元，或者如果接收到的消息是 ATM消息，接收到传输总线上的每个数据，从而生成一个处理器间通信消息，然后在第二步骤中将已经执行ATM自适应层5类型处理的消息（ATM IPC）与处理器间通信消息一起发送到映射单元 。

公开(公告)号：KR100250460B1

公开(公告)日：2000-04-01

申请号：KR1019970047170

申请日：1997-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박문호 ,  오상철 ,  이성재 ,  박경완 ,  신민철

IPC: H01L21/318

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon quantum wire is provided to observe a quantum phenomenon in a high temperature by forming a quantum wire surrounded with a silicon oxide layer and a silicon nitride layer. CONSTITUTION: A silicon nitride layer(4) is formed on an upper portion of a SIMOX(Separation by IMplanted Oxygen) substrate laminated with a silicon substrate(1), the first silicon oxide layer(2), and a silicon layer(3). A selected region of the silicon nitride layer(4) is removed. A part of the silicon layer(3) is removed by using the remaining silicon nitride layer(4) as a shielding layer. The second silicon oxide layer(6) is grown on a side face of the silicon layer(3).

Abstract translation: 目的：提供一种制造硅量子线的方法，通过形成由氧化硅层和氮化硅层包围的量子线来观察高温下的量子现象。 构成：在层叠有硅衬底（1），第一氧化硅层（2）和硅层（3）的SIMOX（通过掺入氧分离）衬底的上部形成氮化硅层（4） 。 去除氮化硅层（4）的选定区域。 通过使用剩余的氮化硅层（4）作为屏蔽层来去除硅层（3）的一部分。 在硅层（3）的侧面上生长第二氧化硅层（6）。

公开(公告)号：KR100223024B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019970041696

申请日：1997-08-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경완 ,  박문호 ,  오상철 ,  이성재 ,  신민철

IPC: G01H17/00

Abstract: 본 발명은 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전자의 측면 양자 구속에 의한 에너지 양자화 효과를 이용한 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체에서 전자의 운동 방향이 어느 한 방향으로 상기 전자의 드브로이파장 정도의 길이에 구속되면 그 방향에 해당되는 전자의 에너지는 양자화 된다. 따라서 상기 양자화된 에너지 준위는 구속 길이와 직접적인 관계가 있으므로 상기 구속길이를 변화시켜 양자화된 에너지 준위의 간격을 조절한다. 조절된 에너지 준위를 마이크로파 및 밀리미터파에 해당되는 에너지와 일치시키므로써 마이크로파 및 밀리미터파의 흡수를 유도하고 이에 따르는 광전효과로 마이크로파 및 밀리미터파를 검출한다.
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파의 에너지 양을 검출하거나, 초고주파 대역의 무선이동통신 시그널의 고효율 수신 및 필터링에 이용된다.

公开(公告)号：KR100221497B1

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019960047705

申请日：1996-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이성재 ,  조춘근 ,  김성철 ,  김정식 ,  차균현

IPC: H04L12/26 ,  H04L12/801 ,  H04L12/70

Abstract: 본 발명은 단말 대 단말 사이에서 기존망(PSTN, N-ISDN)과 ATM망과의 연동시 요구되는 기능 중 AAL 형태 1 헤더의 SN값을 이용하여 데이터의 투명성을 보장해주는 방법에 관한 것으로, 셀의 순서가 정상인지 손실이 발생하였는지, 또는 오삽입되었는지를 판단하여 오삽입된 셀의 데이터는 버리고 손실이 발생하면 발생한 셀의 수만큼 더미셀을 발생시켜 원래 데이터의 구조를 유지하게 하여 서비스의 품질이 크게 저하되는 것을 방지할 수 있는 방법이며, 셀의 정상여부를 판단하는 알고리즘의 구조가 간단하고, 논리소자를 이용하여 구성할 수 있으며, 가변비트율 서비스 및 영상신호뿐만 아니라 존재가능한 모든 서비스의 ATM망 연동시에도 이용할 수 있도록 기능화시켜 범용성이 있도록 구성한 점을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990042174A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970062897

申请日：1997-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이성재 ,  박문호 ,  신민철 ,  박경완 ,  오상철

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 금속 망 게이트 구조를 갖는 발광 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체의 PN 접합 부분을 발광 영역으로 이용하는 본 발명에 따른 발광 다이오드는, 발광 영역의 상부에 금속의 그물 망 게이트를 형성하고 이 게이트에 음전압을 인가함으로써, 게이트 밑 부분의 발광을 제한하여 PN 접합의 발광 영역의 크기를 극한적으로 구속한다. 이러한 발광 영역의 극한적 구속에 따른 양자 구속 효과에 의하여, 반도체의 밴드갭이 증가하게 되어 PN 접합에서 발광하는 빛의 에너지가 변화하게 된다. 즉, 한 개의 발광 다이오드로 게이트의 전압에 의하여 발광하는 빛의 파장을 변화하는 발광 다이오드에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990030559A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970050803

申请日：1997-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경완 ,  신민철 ,  오상철 ,  박문호 ,  이성재

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화 및 실리콘 산화를 이용한 단전자 트랜지스터 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판위에 전자빔 레지스트를 입히는 제 1 공정과, 전자빔 묘화에 의해 게이트, 소스, 양자점 및 드레인 영역을 노광하되, 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 소정폭의 공백을 두고 전자빔 묘화를 행하여 전자빔의 2차 전자의 근접효과에 의해 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 각각 소스와 드레인의 선폭보다 좁은폭의 가는 세선이 노광되게하는 제 2 공정과, 묘화된 부분에 실리콘 산화막을 입히고 이 산화막을 마스크로 사용하여 실리콘을 에칭하는 제 3 공정과, 실리콘 열적 산화를 수행하여 상기 가는 허리모양의 가는 세선을 절연하여 소스와 양자점 및 양자점과 드레인간에 전기적으로 절연된 터널 링 접합이 이루어지게하는 제 4 공정을 포함하여, 단전자 트랜지스터의 구조에서 가장 중요한 터널 접합을 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화와 실리콘 산화 공정을 이용하여 제작할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019990025505A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970047170

申请日：1997-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박문호 ,  오상철 ,  이성재 ,  박경완 ,  신민철

IPC: H01L21/318

Abstract: 본 발명은 양자세선(quantum wire)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘산화층과 실리콘질화층으로 둘러싸인 실리콘 양자세선 제조 방법에 관한 것이다.
기존의 전자빔 리소그라피 방법에 의해 제조된 양자세선은 선폭이 수십 ㎚ 이하의 초미세 구조일 경우 직선성이 우수한 양자세선을 재현성 있게 제조하는 것이 쉽지 않았고, 또한 기존의 양자세선 구조에서는 주로 정전기장을 이용하여 전자를 1 차원 구조로 구속하여 전자 이동에 관한 양자 현상을 연구해 왔으나 정전기장에 의한 전자 구속은 전자가 점유할 수 있는 에너지 준위의 간격이 좁아서 양자 현상을 관측하기 위해 극저온에서 측정이 요구되었다.
본 발명은 SIMOX 기판의 실리콘층 상부의 선택된 영역에 실리콘질화층을 형성하여 상기 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층 성장시 실리콘 양자세선의 산화 확산을 막고 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층을 성장시켜 양자세선의 폭을 조절하므로써 두께와 폭이 작은 양자세선을 재현성있게 제조할 수 있어 높은 온도에서도 양자 현상 관측이 가능하다.

公开(公告)号：KR100169906B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019960029723

申请日：1996-07-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박태준 ,  이성재 ,  김정식

IPC: H04L12/851 ,  H04L12/70

Abstract: 본 발명은 B-ISDN의 망 노드로서 개발중인 ATM 교환시스템의 기존 PSTN수 가입자를 수용하기 위한 정합장치에서 ATM 셀로 전송된 데이타를 타임슬롯 데이타로 포맷변환기능을 수행하는 셀 분해기에 의해 다중 프레임의 데이타를 판독하는 방법에 관한 것으로서, 항등비트율 서비스를 위한 셀 분해기의 구현방식중 타임스위치 접속부 기능에 있어서, 한 프레임의 버퍼 데이타 읽기 수행중 다음에 서비스할 프레임의 버퍼 데이타를 동시에 읽어 다음 버퍼 데이타 읽기 횟수를 줄여 더 많은 수의 채널에 대해서도 안정성을 보장하고, 또한 버퍼 데이타 읽기를 다중 프레임으로 수행하여 버스 사용횟수를 줄여 더 많은 수의 채널에 대해서도 안정성을 보장할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019980044536A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960062629

申请日：1996-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조광수 ,  이성재 ,  김도연 ,  김정식

IPC: H04L12/56

Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
비동기 전달모드 교환 시스템의 공중통신망 가입자정합장치에서의 호 제어 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
비동기 전달모드(ATM) 교환 시스템의 공중통신망(PSTN) 가입자 정합장치에서 아날로그 가입자를 수용하여 비동기 전달모드(ATM) 가입자와 호를 연결하는 호 제어 방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
비동기 전달모드(ATM) 교환 시스템의 공중통신망(PSTN) 가입자 정합장치에서 공중통신망 전화가입자 관련 신호들을 비동기 전달모드 가입자 신호에 대응되게 맵핑 처리를 수행하여 공중통신망 가입자를 비동기 전달모드 교환 시스템에 수용하도록 호 연결을 제어한다.
4. 발명의 중요한 용도
비동기 전달모드 교환 시스템의 호 제어에 이용됨.

公开(公告)号：KR1019980031223A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960050772

申请日：1996-10-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이성재 ,  박경완 ,  신민철

IPC: H01L27/22

Abstract: 본 발명은 2차원 전자 기체계에서 관측되는 양자 홀 효과를 이용한 스위칭 소자에 관한 것으로서, 현재 대부분의 스위칭 소자가 집적도가 높아질수록 단위 면적당 소비 전력 역시 증가하여 집적 기술 발전의 한계점을 갖고 있기 때문에, 본 발명은 2차원 전자 기체가 폐곡선을 이루는 고리모양으로 제작하고 고리의 폭을 가로 지르는 게이트 전극을 부착한 후, 이를 양자 홀 조건에 놓고, 게이트 단자을 입력단자로, 안쪽 경계면에 출력단자로, 그리고 바깥쪽 경계면을 공통으로 한 양자 홀 스위칭 소자 및 그 개념을 확장한 소자로서, 구멍이 2개 이상의 2차원 전자 기체에서의 다수개의 입출력단자를 가진 저전력 소자이다.