公开(公告)号：KR1019960027104A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036367

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  김정수 ,  박경현 ,  조호성 ,  김상배 ,  조종섭

IPC: H01S5/12

Abstract: 본 발명은 회절격자 구조를 변형시켜 광통신용 분포 궤환형 레이저다이오드 성능을 향상시킬 수 있는 분포 궤환형 레이저다이오드에 관한 것으로, λ/4 위상천이 레이저다이오드의 문제점을 해결하기 위하여 소정의 적절한 위치에 소정의 적절한 수치의 위상천이를 수행함으로써 곁모드 억제율 향상과, 발진 파장의 조절과, 공진기 내부 광자 분포의 조절과, 양 거울면 잔유반사의 영향 감소, 및 광출력 비율의 조절을 가능하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950020999A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: 본 발명은 화학물 반도체 에피성장 장비인 유기금속 기상결정 성장장치의 유기금속 공급부위에 사용되는 유기 금속을 담는통의 구조를 개선한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조에 관한 것으로, TMIn의 증기압을 안정시켜 재현성이 향상된 반도체 결정을 성장하는데 용이하도록 한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조로서 버브러몸통(5)의 내부를 유입부(9)와 배출부(10)로 구분하여 그사이를 막아 분리한 분리막(7)을 설치하되 상기 분리막(7)의 하부는 상기 유입부(9)와 배출부(10)가 서로 통할 수 있도록 구멍(8)을 형성하여 줌을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100079333B1

公开(公告)日：1994-11-16

申请号：KR1019910014695

申请日：1991-08-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이중기 ,  박문호 ,  이용탁

IPC: H01L31/10

公开(公告)号：KR1019940015600A

公开(公告)日：1994-07-21

申请号：KR1019920024463

申请日：1992-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  박경현 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 광통신을 위한 광변조기의 집적 광원 및 그 제조방법에 관한 것으로, 두개의 격리된 다중양자우물구조 (Multi-Quantum-Well : MQW)층을 형성하고, 한개의 다중양자 우물구조층에 실리콘이온을 주입한 후, 열처리등의 공정을 통하여 양자우물구조의 무질서화를 통하여 양자우물구조가 본재 지니고 있던 광흡수 특성을 변화시켜 한번의 결정 성장으로 단일모드 반도체 레이저의 활성층과 광변조기의 광흡수 다중양자우물구조층을 분리시킨다.

公开(公告)号：KR100358354B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1019990062442

申请日：1999-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/20

Abstract: 본발명은파장분할다중방식의광통신시스템에서필요로하는여러파장의빛을방출하는단일칩다파장반도체레이저어레이광원모듈및 그제작방법에관한것이다. 이러한파장분할다중화방식의광 통신시스템에서필요로하는여러파장의빛을방출하는다파장반도체레이저어레이는, 모듈기판에정렬되어파장별광 출력의세기가일정하고발산각이작은광을방출하는다수의반도체광 증폭기와, 상기반도체광 증폭기에서방출되는출력광에서원하는파장을선별하여궤환시키는다수의브래그광섬유를포함한다. 반도체광 증폭기의빛이도파되는활성층의횡방향폭은활성층의후방면에서부터출사면으로갈수록점점좁아지게형성되며, 활성층의후방면에는고반사막이형성되고, 활성층의출사면에는무반사막이형성된다.

公开(公告)号：KR1020010058227A

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：KR1019990062443

申请日：1999-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/026

Abstract: PURPOSE: A multi-wavelength optical detector array and manufacturing method are provided to detect several wavelength at same wafer by making a single chip integration a multi-wavelength detector using selective MOCVD crystal growing method. CONSTITUTION: A n-InP substrate(22) and a n-InP buffer layer(23) and an absorption layer(25) to absorb a several wavelength and p-InP layer(26) is laminated in turn. The absorption layer(25) absorbs the several wavelength. A semi-insulated InP sequestering layer(24) isolates the p-InP layer(26) by wavelength absorbed. The n-InP buffer layer(23) is formed on the n-InP substrate(22). The absorption layer(25) to absorb several wavelength is grown on the n-InP buffer layer(23). The p-InP layer(26) is grown on the absorption layer(25). The semi-insulated InP sequestering layer(24) is grown after etching from the p-InP layer(26) to the n-InP buffer layer(23), and then the absorption layer(25) and the p-InP layer(26) is isolated by wavelength. The non-reflective layer(27) and electrode(21,28) is formed at the result of above stage.

Abstract translation: 目的：提供多波长光学检测器阵列和制造方法，通过使用选择性MOCVD晶体生长方法将单波长检测器单芯片集成在同一晶片上，检测多个波长。 构成：依次层叠n-InP衬底（22）和n-InP缓冲层（23）和吸收几个波长和p-InP层（26）的吸收层（25）。 吸收层（25）吸收几个波长。 半绝缘InP隔离层（24）通过吸收的波长隔离p-InP层（26）。 n-InP缓冲层（23）形成在n-InP衬底（22）上。 在n-InP缓冲层（23）上生长吸收多个波长的吸收层（25）。 在吸收层（25）上生长p-InP层（26）。 半绝缘InP隔离层（24）在从p-InP层（26）蚀刻到n-InP缓冲层（23），然后吸收层（25）和p-InP层（26 ）被波长隔离。 在上述阶段的结果形成非反射层（27）和电极（21,28）。

公开(公告)号：KR1020000020359A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980038955

申请日：1998-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/209

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating semiconductor laser is provided to suppress decrease of beam converting efficiency by light absorption in an ion implantation region and to prevent beam steering phenomena by suppressing oscillation of a high dimensional mode. CONSTITUTION: A fabrication method comprises forming a lower clad layer, an active layer, a first upper clad layer, an etch stopper, a second upper clad layer and an ohmic contact layer. A photoresist pattern is formed on the ohmic contact layer, opening a channel region and covering a ridge region between the adjacent channel regions. A channel is formed by removing the ohmic contact layer and the second upper clad layer by wet etch and at the same time a narrower ridge than the photoresist pattern. An ion implantation region is formed by implanting ions in the first upper clad layer and the active region.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体激光器的方法，以通过离子注入区域中的光吸收来抑制光束转换效率的降低，并且通过抑制高尺寸模式的振荡来防止光束转向现象。 构成：制造方法包括形成下包层，有源层，第一上覆层，蚀刻停止层，第二上覆层和欧姆接触层。 在欧姆接触层上形成光致抗蚀剂图案，打开通道区域并覆盖相邻通道区域之间的脊区域。 通过湿蚀刻去除欧姆接触层和第二上覆层，同时形成比光致抗蚀剂图案更窄的脊，形成通道。 通过在第一上部包层和有源区域中注入离子形成离子注入区域。

公开(公告)号：KR100246605B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970064100

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박철순 ,  박경현 ,  이중기

IPC: H01S5/30

Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98um 반도체 레이저는 종래의 RWG형 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널(channel) 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 1∼3㎛ 폭을 가진 다수의 좁은 채널과 공진기가 구비된 주 RWG 외에 고차 횡모드 결합용 부 RWG가 부가된 구조를 가진다. 즉, 주 RWG 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 부 RWG 공진기로 결합시켜 소멸시킴으로써 주 RWG 공진기에 대해 킹크와 빔 스티어링의 원인이 되는 고차 횡모드 발진을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.

公开(公告)号：KR100243417B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970049766

申请日：1997-09-29

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 장동훈 ,  박철순 ,  이중기 ,  박경현

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/16 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2231

Abstract: 본 발명은 기존의 0.98μm 반도체 레이저에서 발생하는 COD(catastrophic optical damage)에 의한 수명단축 현상을 없앤 새로운 RWG(ridge waveguide) 구조의 0.98μm 반도체 레이저에 대한 것이다. 0.98μm 반도체 레이저에서 발생하는 COD의 원인이 되는 광 출력면에서의 온도상승을 억제하기위해 출력면 부근의 RWG 영역을 형성시키지 않음으로써 광 출력 분포를 확대시켜주기 위하여, 공진기 길이 방향으로 출력면 끝을 기준하여 30μm 위치에서 스트라이프가 정지 되도록 소정 폭과 소정 길이의 리지(ridge)를 형성시켜, 공진기 양쪽 끝 부분은 도파로가 없는(non waveguide) 영역이 형성된 레이저 구조를 제공한다. 이에따라 공진기 내에서 발생한 빛이 양쪽 출력면 부근에서는 증폭되지 않고 단순히 유효 굴절률이 다른 물질을 통과하도록 하여주어 횡 방향으로 광 출력 분포가 넓어지도록 하여 출력면에서의 열을 감소시킴으로써 고출력으로 오랜 시간 동작하여도 특성이 열화 되지 않는 반도체 레이저를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000000664A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980020411

申请日：1998-06-02

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser and method thereof are provided to achieve a high performance optical output property by using a planer buried semiconductor laser structure. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: defining an active region(302) using a mesa etching; regrowing current blocking layers(304,305,306) of p-n-p structure in order to inject currents into the active region; regrowing a p-InP cladding layer(306) and a p-InGaAs ohmic contact layer(307) on the active region(302); and regrowing a semi-insulating InP current blocking layer(309) in order to increase a modulation speed at both sides of the p-n-p current blocking layers.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器及其方法，以通过使用平面掩埋半导体激光器结构实现高性能的光输出特性。 构成：该方法包括以下步骤：使用台面蚀刻来限定有源区域（302）; 重新生长p-n-p结构的电流阻挡层（304,305,306），以便将电流注入到有源区域中; 在有源区（302）上重新生长p-InP包覆层（306）和p-InGaAs欧姆接触层（307）; 并重新生长半绝缘InP电流阻挡层（309），以便增加p-n-p电流阻挡层两侧的调制速度。