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公开(公告)号:FR2973036B1
公开(公告)日:2013-04-26
申请号:FR1152348
申请日:2011-03-22
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: BERTHELOT THOMAS , VIEL PASCAL , GARCIA ALEXANDRE , JOUSSELME BRUNO
IPC: C09D4/00
Abstract: La présente invention concerne un procédé de préparation d'un film organique à la surface d'un support solide comprenant les étapes consistant à (a) appliquer, sur ladite surface, par transfert ou par projection, une solution contenant au moins un sel d'aryle clivable ; (b) soumettre ladite solution à une irradiation UV ou visible moyennant quoi des entités radicalaires sont formées à partir du sel d'aryle clivable et un film organique est greffé. La présente invention concerne également un kit d'éléments pour la mise en œuvre d'un tel procédé.
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公开(公告)号:FR2969762B1
公开(公告)日:2013-02-08
申请号:FR1061038
申请日:2010-12-22
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: POLESEL-MARIS JEROME , BERTHELOT THOMAS , VIEL PASCAL
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公开(公告)号:FR2967162A1
公开(公告)日:2012-05-11
申请号:FR1059109
申请日:2010-11-04
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: BERTHELOT THOMAS , VIEL PASCAL
Abstract: La présente invention concerne un procédé de préparation d'un substrat revêtu par une composition couvrante, comprenant les étapes successives consistant à soumettre ledit substrat à un traitement oxydant puis à déposer, sur ledit substrat ainsi traité, une composition couvrante.
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公开(公告)号:FR2944982A1
公开(公告)日:2010-11-05
申请号:FR0952891
申请日:2009-04-30
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: BERTHELOT THOMAS , VIEL PASCAL , GARCIA ALEXANDRE , ROUSSEL SEBASTIEN
Abstract: La présente invention concerne un procédé pour préparer un substrat métallisé comprenant les étapes consistant à : greffer sur ledit substrat un composé de type polymère présentant éventuellement un groupement apte à chélater au moins un ion métallique ; mettre ledit composé de type polymère apte à chélater au moins un ion métallique, en contact avec au moins un ion métallique et soumettre le composé de type polymère à des conditions permettant la réduction dudit (ou desdits) ion(s) métallique(s) chélaté(s) et répéter les étapes de chélation/réduction jusqu'à l'obtention d'un substrat métallisé. La présente invention concerne aussi les substrats obtenus durant ce procédé et leurs utilisations.
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公开(公告)号:AU2009232042A1
公开(公告)日:2009-10-08
申请号:AU2009232042
申请日:2009-04-02
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: NEKELSON FABIEN , VIEL PASCAL , LE XUAN TUAN , DENIAU GUY , HUC VINCENT , ROUSSEL SEBASTIEN , BERTHELOT THOMAS
IPC: C09J5/00
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公开(公告)号:DE60219929T2
公开(公告)日:2008-01-17
申请号:DE60219929
申请日:2002-08-27
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: BUREAU CHRISTOPHE , LEVY EDOUARD , VIEL PASCAL
Abstract: The present invention relates to a process for grafting and growing a conductive organic film on(to) an electrically conductive or semiconductive surface in which the grafting and growing of the film are performed simultaneously by electro-reduction of a diazonium salt that is a precursor of the said film on(to) the said surface cathodically polarized at a potential greater than or equal, in absolute value, to the electro-reduction potential of the diazonium salt relative to a reference electrode. The invention finds an application especially in the protection of surfaces, the manufacture of localized conductive coatings, of chemical sensors in the fields of chemistry and molecular biology, the manufacture of biomedical equipment, etc.
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公开(公告)号:DE602004006234T2
公开(公告)日:2008-01-10
申请号:DE602004006234
申请日:2004-02-13
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: VIEL PASCAL , AMEUR SAMI , BUREAU CHRISTOPHE
Abstract: Method for coating a surface with two materials (M1, M2) comprises depositing M1 on the surface; simultaneously with, or after, the first step, inserting within M1 a precursor (P) of M2; and converting P to M2, so that M2 is formed on the surface and within M1.
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公开(公告)号:DK1595001T3
公开(公告)日:2007-09-10
申请号:DK04710908
申请日:2004-02-13
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: VIEL PASCAL , AMEUR SAMI , BUREAU CHRISTOPHE
Abstract: Method for coating a surface with two materials (M1, M2) comprises depositing M1 on the surface; simultaneously with, or after, the first step, inserting within M1 a precursor (P) of M2; and converting P to M2, so that M2 is formed on the surface and within M1.
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公开(公告)号:DE60219929D1
公开(公告)日:2007-06-14
申请号:DE60219929
申请日:2002-08-27
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: BUREAU CHRISTOPHE , LEVY EDOUARD , VIEL PASCAL
Abstract: The present invention relates to a process for grafting and growing a conductive organic film on(to) an electrically conductive or semiconductive surface in which the grafting and growing of the film are performed simultaneously by electro-reduction of a diazonium salt that is a precursor of the said film on(to) the said surface cathodically polarized at a potential greater than or equal, in absolute value, to the electro-reduction potential of the diazonium salt relative to a reference electrode. The invention finds an application especially in the protection of surfaces, the manufacture of localized conductive coatings, of chemical sensors in the fields of chemistry and molecular biology, the manufacture of biomedical equipment, etc.
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公开(公告)号:AU2001286022B2
公开(公告)日:2005-09-29
申请号:AU2001286022
申请日:2001-08-29
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor: VIEL PASCAL , BUREAU CHRISTOPHE , DESCOURS FRANCIS , LEDERF FRANCK
IPC: C02F1/42 , B01J20/32 , B01J45/00 , B01J47/12 , C02F1/28 , C08F292/00 , G21F9/12 , B01J045/00 , B01J020/32 , C02F001/26 , B01J047/12
Abstract: The present invention relates to a complexing structure, to a method for treating liquid effluent using said complexing structure, and to a device for implementing the method of the invention. The structure comprises a film of a polymer or of an electrically neutral organic copolymer. In addition, the present invention relates to a system and method for treating an effluent using said structure.
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