DISPOSITIF CAPACITIF INTEGRE AYANT UNE VALEUR CAPACITIVE THERMIQUEMENT VARIABLE

    公开(公告)号:FR2984010A1

    公开(公告)日:2013-06-14

    申请号:FR1161408

    申请日:2011-12-09

    Abstract: Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, qui comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif capacitif ayant une valeur capacitive thermiquement variable (CMT) comportant dans un logement (LG) un ensemble thermiquement déformable (ENS1) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même niveau de métallisation, et un corps fixe électriquement conducteur (BTA), une partie dudit ensemble thermiquement déformable formant une première électrode du dispositif capacitif et une partie dudit corps fixe formant une deuxième électrode du dispositif capacitif, ledit ensemble (ENS1) ayant différentes configurations correspondant respectivement à différentes températures dudit ensemble et à différentes distances séparant les deux électrodes de façon à conférer respectivement différentes valeurs capacitives au dispositif capacitif, ledit ensemble étant activable pour passer d'une configuration à une autre.

    DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE

    公开(公告)号:FR2984009A1

    公开(公告)日:2013-06-14

    申请号:FR1161407

    申请日:2011-12-09

    Abstract: Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, qui comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) un premier ensemble thermiquement déformable et activable (ENS1) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même niveau de métallisation, et au moins un corps électriquement conducteur (BTA, BTB), ledit premier ensemble (ENS1) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit au moins un corps (BTA, BTB) dans l'une des deux configurations et en contact avec ledit au moins un corps (BTA, BTB) dans l'autre configuration de façon à établir ou interrompre une liaison électrique passant par ledit au moins un corps et par ladite poutre.

    GENERATEUR THERMOELECTRIQUE INTEGRE, ET CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UN TEL GENERATEUR

    公开(公告)号:FR2977984A1

    公开(公告)日:2013-01-18

    申请号:FR1156417

    申请日:2011-07-13

    Abstract: Le générateur thermoélectrique intégré comprend un support et au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle, le support comprenant un substrat semiconducteur (SB) et des régions isolantes (RIS), et ledit au moins un ensemble de thermocouples (ENS1) comprenant des régions semiconductrices parallèles ayant chacune un type de conductivité pris parmi deux types de conductivité opposés, dont certaines au moins d'entre elles s'étendent dans le substrat (SB) entre des régions isolantes parallèles (RIS) ou dont certaines au moins d'entre elles s'étendent à cheval au dessus d'une partie du substrat (SB) en étant électriquement isolées de ladite partie de substrat et au dessus d'au moins une partie des régions isolantes (RIS), ou dont certaines au moins d'entre elles sont enrobées d'un matériau isolant (ENR) et s'étendent intégralement au dessus de régions isolantes parallèles ou intégralement au dessus des régions de substrat situées entre lesdites régions isolantes parallèles, lesdites régions semiconductrices étant électriquement reliées en série de façon à former une chaîne de régions ayant alternativement l'un et l'autre des deux types de conductivité.

    PROCEDE DE GENERATION D'ENERGIE ELECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT

    公开(公告)号:FR2977976A1

    公开(公告)日:2013-01-18

    申请号:FR1156420

    申请日:2011-07-13

    Abstract: Procédé de génération d'énergie électrique au sein d'une structure intégrée tridimensionnelle comprenant plusieurs éléments électriquement interconnectés par un dispositif de liaison, le procédé comprenant une production d'un gradient de température (GDT) dans au moins une région du dispositif de liaison résultant du fonctionnement d'au moins un desdits éléments (CI1, CI2), et une production d'énergie électrique à partir d'au moins un générateur thermoélectrique (GEN) comportant au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle et contenus dans ladite région soumise audit gradient de température.

    DISPOSITIF DE DETECTION D'UNE ATTAQUE D'UN CIRCUIT INTEGRE

    公开(公告)号:FR2935061A1

    公开(公告)日:2010-02-19

    申请号:FR0855552

    申请日:2008-08-13

    Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un dispositif (5) de détection d'attaque par intrusion. Le dispositif comprend une pièce monobloc constituée d'un matériau conducteur et entourée d'un matériau isolant et comprenant au moins une piste conductrice allongée (16, 18), sous tension ou sous compression, reliée à un élément mobile (20), au moins une portion conductrice (29, 30) à distance de ladite pièce et un circuit de détection (C) d'une liaison électrique entre la pièce et la portion conductrice. Une variation de la longueur (L1, L2) de ladite piste lors d'une attaque par retrait du matériau isolant entraîne un déplacement de l'élément mobile jusqu'à venir au contact de la portion conductrice.

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