用於積體電路製造之方法
    62.
    发明专利
    用於積體電路製造之方法 审中-公开
    用于集成电路制造之方法

    公开(公告)号:TW201635874A

    公开(公告)日:2016-10-01

    申请号:TW104142382

    申请日:2015-12-17

    Abstract: 在一些實施例中,一種用於積體電路製造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料,其中所述表面包括矽及鍺。移除所述氧化物材料包括將含鹵素的預清潔材料沉積於含氧化矽的表面上,且昇華所述含鹵素的預清潔材料之一部分以暴露所述表面上之矽。將鈍化膜沉積於暴露矽上。所述鈍化膜可包括氯。所述鈍化膜可防止矽表面受來自稍後昇華之化學物質污染,其中稍後昇華可在高於較早昇華之溫度下。隨後,使所述含鹵素的預清潔材料之剩餘部分及所述鈍化膜昇華。隨後可將諸如導電材料之目標材料沉積於基板表面上。

    Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中,一种用于集成电路制造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料,其中所述表面包括硅及锗。移除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积于含氧化硅的表面上,且升华所述含卤素的预清洁材料之一部分以暴露所述表面上之硅。将钝化膜沉积于暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华之化学物质污染,其中稍后升华可在高于较早升华之温度下。随后,使所述含卤素的预清洁材料之剩余部分及所述钝化膜升华。随后可将诸如导电材料之目标材料沉积于基板表面上。

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