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    DISPOSITIF CAPACITIF A VOLUME CAPACITIF OPTIMISE
    61.
    发明公开
    DISPOSITIF CAPACITIF A VOLUME CAPACITIF OPTIMISE 有权
    具有优化电容体积电容性装置

    公开(公告)号：EP1902453A1

    公开(公告)日：2008-03-26

    申请号：EP06777625.2

    申请日：2006-07-06

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： DESPESSE, Ghislain ,  CHAILLOUT, Jean-Jacques ,  JAGER, Thomas

    IPC: H01G5/16

    CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/033 ,  G01C19/56 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

    Abstract: The invention mainly concerns a capacitive device comprising at least first (2) and second (4) combs, respectively provided with interdigital fingers, adapted to be mobile relative to each other depending on the closing-spacing apart of the axes of the fingers, at least one finger of the first comb (2) including a surface opposite a surface of a finger of the second comb (4). The invention is characterized in that the axis of the finger of the first comb and the axis of the finger of the second comb are inclined relative to a plane orthogonal to the first direction (X) of displacement of the combs, the plane being defined by second (Y) and third (Z) directions perpendicular to the direction (X), and mutually perpendicular.

    側壁保護之選擇性蝕刻方法及應用該方法所組成之結構
    63.
    发明专利
    側壁保護之選擇性蝕刻方法及應用該方法所組成之結構 失效
    侧壁保护之选择性蚀刻方法及应用该方法所组成之结构

    公开(公告)号：TWI234819B

    公开(公告)日：2005-06-21

    申请号：TW092112374

    申请日：2003-05-06

    Applicant: 華新麗華股份有限公司 WALSIN LIHWA CORP.

    Inventor： 謝哲偉 HSIEH, JERWEI ,  朱懷遠 CHU, HUAI YUAN ,  蔡明霖 JULIUS MING-LIN TSAI ,  方維倫 FANG, WEILEUN

    IPC: H01L

    CPC classification number: H02N1/008 ,  B81B2201/033 ,  B81C1/00595 ,  Y10S438/942

    Abstract: 本案關於一種側壁保護之選擇性蝕刻方法，其係包含下列步驟：(a)提供一基板；(b)形成一第一遮罩層於該基板上；(c)形成一第二遮罩層於該第一遮罩層上；(d)形成一光阻層於該第二遮罩層上，而於基板上形成複數個蝕刻窗；(e)進行第一次蝕刻，以使該複數個蝕刻窗向下延伸至部分該基板；(f)進行第二次蝕刻以移除該光阻層，並向下蝕刻該基板以形成不同深度之深槽結構；(g)形成一側壁補強結構於不同深度之深槽結構的周邊；(h)進行第三次蝕刻以移除第二遮罩層，並去除底部之該側壁補強結構以形成一下結構；以及(i)進行側向蝕刻，藉以釋放一上結構。

    Abstract in simplified Chinese: 本案关于一种侧壁保护之选择性蚀刻方法，其系包含下列步骤：(a)提供一基板；(b)形成一第一遮罩层于该基板上；(c)形成一第二遮罩层于该第一遮罩层上；(d)形成一光阻层于该第二遮罩层上，而于基板上形成复数个蚀刻窗；(e)进行第一次蚀刻，以使该复数个蚀刻窗向下延伸至部分该基板；(f)进行第二次蚀刻以移除该光阻层，并向下蚀刻该基板以形成不同深度之深槽结构；(g)形成一侧壁补强结构于不同深度之深槽结构的周边；(h)进行第三次蚀刻以移除第二遮罩层，并去除底部之该侧壁补强结构以形成一下结构；以及(i)进行侧向蚀刻，借以释放一上结构。

    A MEMS SENSOR AND A SEMICONDUCTOR PACKAGE
    64.
    发明公开
    A MEMS SENSOR AND A SEMICONDUCTOR PACKAGE 审中-公开
    MEMS传感器和半导体封装

    公开(公告)号：EP3227691A1

    公开(公告)日：2017-10-11

    申请号：EP15805296.9

    申请日：2015-11-24

    Applicant: Murata Manufacturing Co., Ltd.

    Inventor： RYTKÖNEN, Ville-Pekka ,  LIUKKU, Matti

    IPC: G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  B81B5/00 ,  G01P15/08

    CPC classification number: B60R21/01 ,  B60R2021/01286 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/033 ,  B81B2203/0154 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2207/015 ,  G01P15/125 ,  G01P15/13 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0817

    Abstract: The MEMS sensor of the invention has movable and fixed components for measuring acceleration in a rotational mode in a direction in-plane perpendicular to spring axis. The components include an element frame, a substrate, a proof-mass a spring connected to the proof-mass and to the substrate, and comb electrodes. The MEMS sensor is mainly characterized by an arrangement of the components causing an inherent sensitivity for measuring accelerations in a range covering longitudinal and transversal accelerations. One or more of the components are tilted compared to the element frame. The semiconductor package of the invention comprises at least one MEMS sensor.

    Abstract translation: 本发明的MEMS传感器具有可移动和固定的部件，用于在垂直于弹簧轴线的平面内的方向上测量旋转模式下的加速度。 这些部件包括与质量块（2）和基板（7）连接的元件框架（1），基板（7），质量块（2），弹簧（5）以及梳形电极（9a ，9b）。 MEMS传感器的主要特征是部件的布置，这些部件的布置导致了在涵盖纵向和横向加速度的范围内测量加速度的固有灵敏度。 与元素框架（1）相比，一个或多个组件倾斜。 本发明的半导体封装（12）包括至少一个MEMS传感器。

    DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE ET/OU NANOELECTRONIQUE CAPACITIF A COMPACITE AUGMENTEE
    66.
    发明公开
    DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE ET/OU NANOELECTRONIQUE CAPACITIF A COMPACITE AUGMENTEE 有权
    电容微米和/或纳米电子装置具有增加的紧凑

    公开(公告)号：EP2949621A1

    公开(公告)日：2015-12-02

    申请号：EP15169015.3

    申请日：2015-05-22

    Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    Inventor： Robert, Philippe ,  Joet, Loïc

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: G01D5/2417 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/033 ,  B81B2203/051 ,  B81C1/00134 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01G5/14 ,  H01G5/16

    Abstract: Dispositif à élément mobile (13) s'étendant suivant un plan donné comportant au moins une première (3), une deuxième (10) et une troisième (12) couches s'étendant dans des plans parallèles au plan donné, la première couche (3) formant un support, la deuxième couche (10) comportant tout ou partie de l'élément mobile (13) et des moyens de suspension (11) de l'élément mobile (13) par rapport au support et la troisième couche (12) comprenant tout ou partie des moyens capacitifs dont la capacité varie en fonction de la position relative de l'élément mobile (13) par rapport au support (3), lesdits moyens capacitifs comportant au moins une électrode mobile (14) solidaire d'une des faces de l'élément mobile (13) parallèle au plan donné, et au moins une électrode fixe (16) par rapport au support (3), les électrodes fixe et mobile étant disposées au moins en partie dans un même plan parallèle au plan donné et au moins en partie au-dessus et/ou en dessous de l'élément mobile (13).

    STRUCTURE OF DISPLACEMENT MONITORING ELECTRODE
    69.
    发明公开
    STRUCTURE OF DISPLACEMENT MONITORING ELECTRODE 审中-公开
    位移监测电极的结构

    公开(公告)号：EP2743639A1

    公开(公告)日：2014-06-18

    申请号：EP11870767.8

    申请日：2011-08-09

    Applicant: Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha

    Inventor： NARITA, Katsutoshi

    IPC: G01C19/56 ,  G01B7/00 ,  B81B3/00 ,  G01C19/5733

    CPC classification number: G01B7/14 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/033 ,  G01C19/5733

    Abstract: The displacement amount monitoring electrode structure according to the present invention is for maintaining the amplitude of the detection mass at a constant target amplitude even when the relative relationship between a fixed electrode and a movable electrode changes, and includes a fixed electrode and a movable electrode each having a comb-teeth shape including a base part and electrode fingers extending from the base part in a predetermined axis direction parallel to a substrate, the fixed electrode and the movable electrode facing each other such that the electrode fingers of the fixed electrode and the electrode fingers of the movable electrode are meshed together, the fixed electrode being fixed to the substrate and the movable electrode being able to be displaced in the predetermined axis direction, wherein the displacement amount monitoring electrode structure monitors a displacement amount of a detection mass to be driven at a target amplitude based on a change amount of a capacitance between the fixed electrode and the movable electrode, wherein a change sensitivity of the change amount of the capacitance with respect to a displacement amount of the movable electrode in the predetermined axis direction, becomes larger after the displacement of the movable electrode in the predetermined axis direction reaches a target displacement amount corresponding to the target amplitude of the detection mass, compared to before the displacement of the movable electrode reaches the target displacement amount.

    Abstract translation: 根据本发明的位移量监测电极结构用于即使当固定电极和可动电极之间的相对关系改变时也将检测质量的振幅保持在恒定的目标振幅，并且每个静电电极和可动电极分别包括固定电极和可动电极 具有梳齿形状，所述梳齿形状包括基部和从所述基部沿平行于基板的预定轴方向延伸的电极指，所述固定电极和所述可动电极彼此面对，使得所述固定电极的电极指和所述电极 所述可动电极的手指啮合在一起，所述固定电极固定在所述基板上，所述可动电极能够在所述规定轴方向上位移，所述位移量监视电极结构监视被驱动的检测块的位移量 在基于ca的变化量的目标幅度处 在所述固定电极和所述可动电极之间具有电容，其中，所述可动电极在所述规定的轴上的位移后，所述静电电容的变化量相对于所述可动电极的所述规定的轴向的位移量的变化灵敏度变大 与可动电极的位移达到目标位移量之前相比，达到与检测质量的目标振幅对应的目标位移量。

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