公开(公告)号：CN103562245B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280019810.0

申请日：2012-03-16

Applicant: LG化学株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 韩阳奎 ,  李济权 ,  金水火

IPC: C08F297/00 ,  C08F220/10 ,  C08F220/54 ,  G03F7/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08F22/38 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种二嵌段共聚物、制备该共聚物的方法以及使用该共聚物形成纳米图案的方法，所述二嵌段共聚物可以有助于形成更精细的纳米图案，并可以用于制造包括纳米图案的电子器件或生物传感器等。该二嵌段共聚物包含：刚性链段，其包含至少一个特定的基于丙烯酰胺的重复单元；以及柔性链段，其包含至少一个(甲基)丙烯酸酯类重复单元。

公开(公告)号：CN104576873A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410006808.0

申请日：2014-01-07

Applicant: 宗成圣

Inventor： 宗成圣 ,  庄师豪

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/44 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G01N21/01 ,  G01N2201/02 ,  G02B5/008 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0058

Abstract: 本发明公开一种利用微结构形成表面电浆的方法，是于取得一基材体后，以一携带物质携带多个纳米金属结构粒子于该基材体上以自组装方式形成一微结构，其中，该微结构是由该些纳米金属结构粒子以选自于由非连续面以及部分连续面的方式所构成。因此，借由自组装方式形成非连续面及部分连续面的微结构，而可作为表面电浆，以避免使用化学气相沉积等高成本工艺方式，达到大量降低制作成本以及制作时间的目的。除此之外，本发明亦打破表面电浆波的结构设计限制，进一步提升表面电浆波的产生效果。

公开(公告)号：CN102428022B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080021334.7

申请日：2010-04-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J.程 ,  罗英惠 ,  黎家辉 ,  C.T.雷特纳 ,  D.P.桑德斯 ,  李伟健

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: 使用例如光刻法在基底上形成开口，该开口具有侧壁，其横截面由曲线轮廓的及凸面的区段构成。例如，该开口的横截面可由交迭的圆形区域构成。该侧壁在多个点邻接，在该邻接处限定突出部。包括嵌段共聚物的聚合物的层施加于该开口及该基底上，并让其自组装。在开口中形成分离、隔开的畴，将所述畴除去以形成孔，该孔可被转印至下方基底。这些畴及与它们所对应的孔的位置由侧壁及它们的相关突出部处定向于预定的位置。这些孔分开的距离可大于或小于该嵌段共聚物(及任何添加剂)在无任何侧壁下自组装时的这些孔分开的距离。

公开(公告)号：CN101971093B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN200980104066.2

申请日：2009-01-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC: G03F7/00

CPC classification number: B41N1/08 ,  B05D1/283 ,  B41N3/036 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  Y02C20/30 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供用于制造用于对衬底进行图案化的印模和系统的方法，和由所述方法产生的装置。

公开(公告)号：CN101939253B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN200980104087.4

申请日：2009-02-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·T·布莱克 ,  T·J·达尔顿 ,  B·B·多里斯 ,  C·拉登斯

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L21/0338 ,  B81B2203/0369 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L51/0017 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/887 ,  Y10S977/888 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24736 ,  Y10T428/24802

Abstract: 在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。

公开(公告)号：CN102015524B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980115861.1

申请日：2009-04-20

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  唐纳德·维斯特摩兰

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L29/0657 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0223 ,  H01L29/06 ,  Y10S438/947 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/895 ,  Y10S977/90 ,  Y10T428/24182 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/2462 ,  Y10T428/249921

Abstract: 本发明提供利用自我组装嵌段共聚物制造呈成列阵列的亚光刻纳米级微结构的方法以及自所述方法形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN101894794B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201010185195.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑雅如 ,  黎家辉 ,  李伟健 ,  罗英惠 ,  C·雷特纳 ,  D·P·桑德斯 ,  杨达

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76816 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  Y10S438/947

Abstract: 本发明涉及使用聚合物定向自组装形成子平版印刷特征的方法，描述了包括嵌段共聚物自组装的方法，其中从具有目标CD(临界尺寸)的开孔(在一个或多个基板中)开始，在规则阵列或随机排列中形成孔。显著地，所形成孔的平均直径中的百分偏差小于初始开孔的平均直径中的百分偏差。可将形成的孔(或通孔)传递到下面的基板中，且随后向这些孔中回填材料，如金属导体。甚至是在低于22nm技术关键点下，本发明的优选方面能够产生具有较密节距和较好CD均匀性的通孔。

公开(公告)号：CN101977839B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200980109327.X

申请日：2009-03-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 珍妮弗·卡尔·雷格纳

IPC: C08L53/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B05D1/34 ,  B05D3/0254 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24182 ,  C08L2666/02

Abstract: 本发明提供利用自组装嵌段共聚物在具有经改良长程有序的聚合物基质中制造纳米级交替薄片或圆柱体的阵列的方法、和自所述方法所形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN102858874A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020759.0

申请日：2011-03-17

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  C·贝茨 ,  J·斯特拉恩 ,  C·埃利森

IPC: C08L53/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B05D1/005 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/265 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明涉及合成和使用无规交联的被取代的聚苯乙烯共聚物作为聚合交联的表面处理剂（PXST)来控制在第一共聚物上沉积的嵌段共聚物的物理特征的取向的方法。所述方法具有许多用途，包括制造用于纳米压印光刻法的模板的半导体工业中的多种应用。

公开(公告)号：CN101913554A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200911000142.3

申请日：2009-11-19

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 肖帅刚 ,  X·杨

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: G11B5/84 ,  B05D1/322 ,  B05D3/00 ,  B05D3/06 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/59633 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  Y10T428/24802

Abstract: 一种方法包括：提供具有多个化学反差对准部件的衬底，以及在该衬底的至少一部分上沉积自组装材料，其中该自组装材料的大致球状或圆柱状域的位置和/或取向由该对准部件指引，以形成纳米结构图案，而且其中该对准部件的周期在该球状或圆柱状域的周期的约2倍至约10倍之间。还提供了根据该方法制造的装置。