-
公开(公告)号:CN1578911A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN02821718.7
申请日:2002-10-08
Applicant: 奥地利微系统股份公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0235 , B81C3/001 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/131 , G01P2015/0828 , H01L2224/48463 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一个微型传感器,其具有一个传感器元件(2)和一个集成的转换电路(1),它包括一个带有集成的电路(4)的半导体(11),其中该传感器元件(2)被安置在该半导体(11)之一主表面(12)上并在该半导体(11)和传感器元件(2)之间构造一个低共熔接点(3)。
-
公开(公告)号:CN1143135C
公开(公告)日:2004-03-24
申请号:CN00133178.7
申请日:2000-10-27
Applicant: 森桑诺尔有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B3/0072 , B81B2201/032 , B81B2203/0109 , G01C19/5755 , G01P1/006 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , Y10S73/01
Abstract: 微型机械传感器的应力释放组件的一种基座部件及其制造方法,特别是加速度传感器,角速度传感器,倾斜传感器和角加速度传感器。采用至少一个硅地震震动质量作为传感元件。通过至少一个装配基座将至少一个硅地震震动质量与硅框架接合,基座的表面接合到一个玻璃或硅制的覆盖晶片上。
-
公开(公告)号:CN1294303A
公开(公告)日:2001-05-09
申请号:CN00133178.7
申请日:2000-10-27
Applicant: 森桑诺尔有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B3/0072 , B81B2201/032 , B81B2203/0109 , G01C19/5755 , G01P1/006 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , Y10S73/01
Abstract: 微型机械传感器的应力释放组件的一种基座部件及其制造方法,特别是加速度传感器,角速度传感器,倾斜传感器和角加速度传感器。采用至少一个硅地震震动质量作为传感元件。通过至少一个装配基座将至少一个硅地震震动质量与硅框架接合,基座的表面接合到一个玻璃或硅制的覆盖晶片上。
-
公开(公告)号:CN105008935B
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201480009524.5
申请日:2014-02-11
Applicant: 萨甘安全防护公司
CPC classification number: G01P15/125 , G01P15/0802 , G01P15/131 , G01P15/18 , G01P2015/0828
Abstract: 一种加速度计传感器,包括具有静止的第一和第二电极以及第三电极的至少一个静电摆式加速度计,所述静止的第一和第二电极被固定到外壳并被连接到激励电路,而所述第三电极由连接到外壳的摆锤承载以便是可移动的且被连接到检测电路。所述激励电路具有连接到开关的输出,所述开关被连接到第一和第二电极,所述开关具有用于选择性地将所述第一电极或第二电极连接到所述激励电路的第一连接位置和第二连接位置。所述检测电路、激励电路、开关和检测电路被连接到控制电路,所述控制电路被布置成使得第一和第二电极由脉冲串按使得将摆锤维持在预设点位置的方式以及按使得确定摆锤要经受的加速度的方式来激励。一种用于控制这样的传感器的方法。
-
公开(公告)号:CN102336391B
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201110167456.3
申请日:2011-06-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor: A.法伊
CPC classification number: G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明涉及一种用于制造用于惯性传感器的压阻的传感器装置(10)的方法,该传感器装置具有质量元件(12)、基体部件(14)以及连接该质量元件(12)和基体部件(14)的起到压阻作用的臂(16)。此外,本发明涉及一种相应的压阻的传感器装置(10)以及一种相应的惯性传感器。
-
公开(公告)号:CN103869100A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201310692572.6
申请日:2013-12-17
Applicant: 马克西姆综合产品公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P1/00 , B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81C2203/0118 , G01P15/125 , G01P2015/0828 , G01P2015/0871 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明涉及微机电结构,并且更具体地讲涉及采用控制成保护结构免受机械冲撞以及静电干扰影响的z轴面外止挡件的系统、装置和方法。z轴面外止挡件包括冲撞止挡件和平衡止挡件。冲撞止挡件在用于封装结构的帽基板上布置。这些冲撞止挡件进一步与结构中的检验质量块对正,从而减少机械冲撞的冲击。平衡止挡件在检验质量块下方布置,并且电连接至平衡电压,从而由每个冲撞止挡件所造成的静电力和力矩由对应的平衡止挡件所产生的力和力矩平衡。该结构更不易受机械冲撞影响,并且表现出可以由冲撞止挡件造成的静电干扰引起的微不足道的偏差。
-
公开(公告)号:CN102530831B
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201010607826.6
申请日:2010-12-27
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B2203/0118 , B81B2207/07 , B81C1/00293 , B81C2201/0109 , B81C2201/0125 , B81C2203/0145 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , H03H3/0072
Abstract: 本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有金属互连结构;在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层,所述第一牺牲层的材质为无定形碳;刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽;在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层;采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层,直至露出所述第一牺牲层;在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层,并曝露出第一牺牲层,所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层,并图形化所述牺牲介质层,再形成介质层的方法,避免了对无定形碳的研磨,能够缩短生产周期,极大提高了生产效率。
-
公开(公告)号:CN103534612A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201280016682.4
申请日:2012-02-07
Applicant: 离子地球物理学公司
Inventor: K.K.邓
CPC classification number: H02N1/006 , G01H11/08 , G01P15/09 , G01P15/0915 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0805 , G01P2015/0828 , G01V1/18 , G01V1/38 , G01V13/00 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明公开了用于形成换能器的方法、设备和系统。换能器可包括由第一薄板材料形成的底板,由第二薄板材料形成的顶板,以及中部。中部包括:由第三薄板材料形成的中上元件,中上元件具有中上框架,中上质量体,和用于将中上质量体附连到中上框架上的多个中上附连构件。中部还可包括由第四薄板材料形成的中央元件,中央元件具有中央框架和中央质量体。
-
公开(公告)号:CN103364583A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310116376.4
申请日:2013-04-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 渡边润
IPC: G01P15/097 , G01C9/00
CPC classification number: G01P1/023 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , G01P15/0802 , G01P15/09 , G01P15/097 , G01P2015/0828 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供一种物理量检测装置及其制造方法、物理量检测器、电子设备,所述物理量检测装置能够通过由粘合剂构成的支承部而对质量体进行支承、且使质量体的接合可靠性得到了进一步提高。物理量检测装置包括:基部;可动部,其被所述基部支承着,并根据物理量而进行位移;物理量检测元件,其跨接所述基部和所述可动部;支承部,其被设置在所述可动部的两个主面中的至少一个主面上;质量体,其具有第一开口部,并通过所述第一开口部内被所述支承部填充,从而使所述质量体被所述支承部支承着。
-
公开(公告)号:CN102906574A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180024784.6
申请日:2011-06-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G01P15/123 , G01P2015/0828 , H01L29/84
Abstract: 本发明提供不改变传感器的灵敏度和谐振频率而使耐冲击性提高的加速度传感器。梁部(31)其基端侧与支持部(30)相连,前端侧与重物部(34)相连。梁部(31)的截面形成为T字形状,压敏电阻(R1~R4)形成在梁部(31)的上表面。重物部(34)与梁部(31)的前端相连,并位于支持部(30)的内侧。在重物部(34)和支持部(30)之间设置有包围重物部(34)大致C字形状的槽(33)。进而,重物部(34)具有表面层(91)的梁部(31)侧的端从支持基板层(93)的梁部(31)侧的端向梁部(31)侧延伸的延伸部(36)。因此,施加冲击而作用X方向的加速度时,从梁部(31)和重物部(34)向梁部(31)侧分散最大应力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-