具有静电摆式加速度计的传感器以及控制这种传感器的方法

    公开(公告)号:CN105008935B

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201480009524.5

    申请日:2014-02-11

    Abstract: 一种加速度计传感器,包括具有静止的第一和第二电极以及第三电极的至少一个静电摆式加速度计,所述静止的第一和第二电极被固定到外壳并被连接到激励电路,而所述第三电极由连接到外壳的摆锤承载以便是可移动的且被连接到检测电路。所述激励电路具有连接到开关的输出,所述开关被连接到第一和第二电极,所述开关具有用于选择性地将所述第一电极或第二电极连接到所述激励电路的第一连接位置和第二连接位置。所述检测电路、激励电路、开关和检测电路被连接到控制电路,所述控制电路被布置成使得第一和第二电极由脉冲串按使得将摆锤维持在预设点位置的方式以及按使得确定摆锤要经受的加速度的方式来激励。一种用于控制这样的传感器的方法。

    微机电Z轴面外止挡件
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103869100A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201310692572.6

    申请日:2013-12-17

    Abstract: 本发明涉及微机电结构,并且更具体地讲涉及采用控制成保护结构免受机械冲撞以及静电干扰影响的z轴面外止挡件的系统、装置和方法。z轴面外止挡件包括冲撞止挡件和平衡止挡件。冲撞止挡件在用于封装结构的帽基板上布置。这些冲撞止挡件进一步与结构中的检验质量块对正,从而减少机械冲撞的冲击。平衡止挡件在检验质量块下方布置,并且电连接至平衡电压,从而由每个冲撞止挡件所造成的静电力和力矩由对应的平衡止挡件所产生的力和力矩平衡。该结构更不易受机械冲撞影响,并且表现出可以由冲撞止挡件造成的静电干扰引起的微不足道的偏差。

    MEMS器件的制作方法
    67.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102530831B

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201010607826.6

    申请日:2010-12-27

    Inventor: 毛剑宏 唐德明

    Abstract: 本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有金属互连结构;在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层,所述第一牺牲层的材质为无定形碳;刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽;在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层;采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层,直至露出所述第一牺牲层;在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层,并曝露出第一牺牲层,所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层,并图形化所述牺牲介质层,再形成介质层的方法,避免了对无定形碳的研磨,能够缩短生产周期,极大提高了生产效率。

    加速度传感器
    70.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102906574A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201180024784.6

    申请日:2011-06-08

    CPC classification number: G01P15/123 G01P2015/0828 H01L29/84

    Abstract: 本发明提供不改变传感器的灵敏度和谐振频率而使耐冲击性提高的加速度传感器。梁部(31)其基端侧与支持部(30)相连,前端侧与重物部(34)相连。梁部(31)的截面形成为T字形状,压敏电阻(R1~R4)形成在梁部(31)的上表面。重物部(34)与梁部(31)的前端相连,并位于支持部(30)的内侧。在重物部(34)和支持部(30)之间设置有包围重物部(34)大致C字形状的槽(33)。进而,重物部(34)具有表面层(91)的梁部(31)侧的端从支持基板层(93)的梁部(31)侧的端向梁部(31)侧延伸的延伸部(36)。因此,施加冲击而作用X方向的加速度时,从梁部(31)和重物部(34)向梁部(31)侧分散最大应力。

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