公开(公告)号：WO2014209618A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/US2014/041999

申请日：2014-06-11

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： BELOSTOTSKIY, Sergey G. ,  DINH, Chinh ,  NGUYEN, Andrew ,  CHAFIN, Michael G.

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/00 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/6833

Abstract: A direct (DC) voltage is applied to an electrode at a voltage value to clamp a workpiece to an electrostatic chuck in a processing chamber. The electrode is embedded into the electrostatic chuck. An electrostatic chuck current through the electrode at the DC voltage is measured. A DC self bias induced on the workpiece by a plasma is determined based on the electrostatic chuck current and the applied voltage.

Abstract translation: 将直流（DC）电压以电压值施加到电极，以将工件夹紧到处理室中的静电卡盘。 电极嵌入静电卡盘。 测量在直流电压下通过电极的静电卡盘电流。 基于静电卡盘电流和施加的电压来确定由等离子体在工件上感应的DC自偏压。

公开(公告)号：WO2017137216A1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：PCT/EP2017/050891

申请日：2017-01-17

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  ENKISCH, Hartmut ,  MÜLLENDER, Stephan

Inventor： ENKISCH, Hartmut ,  MÜLLENDER, Stephan

IPC: G02B5/08 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B5/0808 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/7095 ,  H01J37/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches Element mit einem Substrat (105), wenigstens einer Reflexionsschicht (120), wobei die Reflexionsschicht eine Mehrzahl von Zonen (221, 222) aus unterschiedlichem Material aufweist, und einer adhäsionsverbessernden Schicht (110), welche zwischen dem Substrat (105) und der Reflexionsschicht (120, 220) angeordnet ist wobei diese adhäsionsverbessernde Schicht (110) ausschließlich aus Elementen besteht, die im Substrat (105) und/oder in der Reflexionsschicht (120) enthalten sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种光学元件，其包括基板（105），至少一个反射层（120），所述反射层具有多个不同材料的区域（221,222），以及粘合增强层 其中该粘合改进层（110）完全由存在于衬底（105）中和/或反射层（110）中的元素构成，所述层设置在衬底（105）和反射层（120,220） （120）都包含在内。

公开(公告)号：WO2017002113A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：PCT/IL2016/050691

申请日：2016-06-26

Applicant: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED ,  YEDA RESEARCH AND DEVELOPMENT CO. LTD.

Inventor： BLANK, Aharon ,  KATZ, Itai ,  FEINTUCH, Akiva

IPC: A61K49/20 ,  G01R33/28 ,  G01R33/56 ,  H01J37/00

CPC classification number: G01R33/5601 ,  A61B5/055 ,  A61K49/20 ,  A61M5/007 ,  A61M2005/006 ,  G01R33/282 ,  G01R33/4806 ,  G01R33/62 ,  H01J37/00

Abstract: A method for the preparation of a highly polarized nuclear spins containing sample of an organic or inorganic material, containing H or OH groups or adsorbed water molecules. Such highly polarized nuclear spins containing samples can be subjected to nuclear magnetic resonance (NMR) measurement and/or can be thawed and immediately administered to an individual undergoing a magnetic resonance imaging (MRI) scan. The method is based on generating unstable radicals on the surface of the sample in the presence of ionized environment followed by cooling the sample to cryogenic temperatures. A device for carrying out a particular step of said method is also discloses.

Abstract translation: 一种制备含有H或OH基或吸附水分子的有机或无机材料样品的高极化核自旋的方法。 含有样品的这种高度极化的核自旋可以进行核磁共振（NMR）测量和/或可以解冻，并立即给予经历磁共振成像（MRI）扫描的个体。 该方法基于在存在离子化环境的情况下在样品表面产生不稳定的自由基，然后将样品冷却至低温。 还公开了用于执行所述方法的特定步骤的装置。

公开(公告)号：WO2016088632A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/JP2015/083157

申请日：2015-11-26

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 小林　勇毅 ,  川戸　伸一 ,  二星　学 ,  滝沢　和雄

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/50 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C14/042 ,  C23C16/44 ,  H01J37/00 ,  H01L51/50

Abstract: 　蒸着マスク（１０）は、被成膜基板（３０）との接触面に、複数の開口部（１２）をそれぞれ取り囲むように、被成膜基板（３０）をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造（１４）を有している。

Abstract translation: 蒸镀掩模（10）在与成膜基板（30）的接触面上具有用于通过范德华力吸附成膜基板（30）的微小的浮雕结构（14），以围绕每个 的多个开口（12）。

公开(公告)号：WO2014190801A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/CN2014/074438

申请日：2014-03-31

Applicant: GOLDWAY TECHNOLOGY LIMITED

Inventor： HUI, Koon Chung ,  CHING, Ho ,  KONG, Ching Tom

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B01J19/081 ,  B41M3/14 ,  C30B29/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  C30B29/34 ,  C30B33/04 ,  H01J37/00 ,  H01J37/3178 ,  Y10T428/24355

Abstract: A method of forming one or more protrusions on an outer surface of a polished face of a solid state material,said method including the step of applying focused inert gas ion beam local irradiation towards an outer surface of a polished facet of a solid state material in a way of protruding top surface material;wherein irradiated focused inert gas ions from said focused inert gas ion bean penetrate the outer surface of said polished facet of said solid state material;and wherein irradiated focused inert gas ions cause expansive strain within the solid state crystal lattice of the solid state material below said outer surface at a pressure so as to induce expansion of solid state crystal lattice,and form a protrusion on the outer surface of the polished face of said solid state material.

Abstract translation: 一种在固体材料的抛光面的外表面上形成一个或多个突起的方法，所述方法包括以下步骤：将聚焦的惰性气体离子束局部照射施加到固态材料的抛光小面的外表面上 突出的顶表面材料的方式;其中来自所述聚焦的惰性气体离子束的被照射的聚焦的惰性气体离子穿透所述固态材料的所述抛光小面的外表面;并且其中照射聚焦的惰性气体离子在固态晶体内引起膨胀应变 在压力下在所述外表面下面的固态材料的晶格，以引起固态晶格的膨胀，并在所述固态材料的抛光面的外表面上形成突起。

公开(公告)号：WO2009102766A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：PCT/US2009/033760

申请日：2009-02-11

Applicant: PURDUE RESEARCH FOUNDATION ,  OUYANG, Zheng ,  HARPER, Jason ,  CHARIPAR, Nicholas ,  COOKS, Robert

Inventor： OUYANG, Zheng ,  HARPER, Jason ,  CHARIPAR, Nicholas ,  COOKS, Robert

IPC: H01J49/00

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J27/022 ,  H01J37/00 ,  H01J37/32348 ,  H01J49/02 ,  H01J49/105 ,  H01J49/142 ,  H01J2237/0044 ,  H05H1/24 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/2443 ,  H05H2240/10 ,  H05H2240/20 ,  Y10T436/145555 ,  Y10T436/147777 ,  Y10T436/173076 ,  Y10T436/203332 ,  Y10T436/24

Abstract: The present invention generally relates to a low temperature plasma probe for desorbing and ionizing at least one analyte in a sample material and methods of use thereof. In one embodiment, the invention generally relates to a low temperature plasma probe including: a housing having a discharge gas inlet port, a probe tip, two electrodes, and a dielectric barrier, in which the two electrodes are separated by the dielectric barrier, in which application of voltage from a power supply generates a low temperature plasma, and in which the low temperature plasma is propelled out of the discharge region by the electric field and/or the discharge gas flow.

Abstract translation: 本发明一般涉及用于解吸和电离样品中至少一种分析物的低温等离子体探针及其使用方法。 在一个实施方案中，本发明一般涉及一种低温等离子体探针，其包括：壳体，其具有放电气体入口端口，探针尖端，两个电极和介电屏障，其中两个电极由电介质屏障隔开， 来自电源的电压的施加产生低温等离子体，其中通过电场和/或放电气体流将低温等离子体推出排出区域。

公开(公告)号：WO2016148139A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/JP2016/058153

申请日：2016-03-15

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 西川　大地 ,  平瀬　剛 ,  岡本　哲也 ,  妹尾　亨 ,  園田　通 ,  藤原　聖士 ,  石田　守

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B5/02 ,  B08B7/00 ,  H01J37/00 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H05H1/46

Abstract: 　成膜用マスク（３１）の変形を防止することができるクリーニング方法を提供する。チャンバ（２）内におけるシャワーヘッド（４）とサセプタ（３）との間に配置された成膜用マスク（３１）を冷却しながら、該成膜用マスク（３１）に、該成膜用マスク（３１）の表面に付着している反応生成物（３２）と反応する、プラズマ化されたクリーニングガスを吹き付ける。

Abstract translation: 提供了可以防止成膜掩模（31）变形的清洁方法。 与在室（2）内配置在喷头（4）和基座（3）之间的成膜掩模（31）的表面附着的反应产物（32）反应的清洗气体，以及 当成膜掩模（31）被冷却时，成为等离子体吹在成膜掩模（31）上。

公开(公告)号：WO2015136743A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/JP2014/073656

申请日：2014-09-08

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東北テクノアーチ

Inventor： 菊地　良幸 ,  寒川　誠二

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216

Abstract: 【課題】中性粒子を用いて基板上に成膜した低誘電率膜を、従来よりも安定した膜としてさらに誘電率を改善する。 【解決手段】フーリエ変換型赤外分光による分子構造分析において、波数８５５ｃｍ －１ の吸光度が多孔質膜に比べて小さく、波数８００ｃｍ －１ の吸光度が多孔質膜の吸光度に比べて大きく、波数７７５ｃｍ －１ の吸光度が多孔質膜の吸光度に比べて小さいことを特徴とする、低誘電率膜が提供される。分子構造が直鎖状に強固なものとなり、ノンポーラス化された低誘電率膜が実現される。

Abstract translation: 相对于现有的低介电常数膜，为了提高稳定性，并进一步降低使用中性粒子形成的低介电常数膜的介电常数。 本发明提供一种低介电常数膜，其特征在于使用傅立叶变换红外光谱的分子结构分析表明，相对于多孔膜，波数为855cm -1的吸光度为低，吸光度为 相对于多孔膜高的800cm -1的波数和相对于多孔膜的775cm -1的波数的吸光度产生无极低介电常数的膜，其具有强的直链 - 链分子结构。

公开(公告)号：WO2015086246A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：PCT/EP2014/074378

申请日：2014-11-12

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.

Inventor： RÖGNER, Frank-Holm ,  WEIDAUER, André ,  MATTAUSCH, Gösta ,  KUBUSCH, Jörg

IPC: B01J8/12 ,  B01J19/08 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06

CPC classification number: A01C1/08 ,  A61L2/087 ,  A61L2/26 ,  A61L2202/11 ,  B01J8/12 ,  B01J19/085 ,  B01J2219/0815 ,  B01J2219/0833 ,  B01J2219/0879 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/15

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung, umfassend mindestens einen Elektronenstrahlerzeuger (301) zum Generieren von beschleunigten Elektronen, mit denen Schüttgutpartikel (303) während des freien Falls beaufschlagbar sind, wobei der Elektronenstrahlerzeuger (301) ringförmig ausgebildet ist, bei dem die von einer ringförmigen Kathode emittierten und beschleunigten Elektronen aus einem Elektronenaustrittsfenster in Richtung Ringachse austreten; wobei der ringförmige Elektronenstrahlerzeuger (301) derart angeordnet ist, dass dessen Ringachse senkrecht oder mit einem Winkel von bis zu 45° abweichend von der Senkrechten ausgerichtet ist und wobei oberhalb des ringförmigen Elektronenstrahlerzeugers eine Einrichtung zum Vereinzeln von Schüttgutpartikeln angeordnet ist, deren Bodenwandung (304) mindestens eine Öffnung aufweist, aus der Schüttgutpartikel (303) heraus- und von dort durch den vom Elektronenstrahlerzeuger (301) geformten Ring hindurchfallen.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括至少一个电子枪（301），用于产生加速电子的装置，利用该颗粒散装材料（303）的可在所述自由下落期间被加载，其中，所述电子束发生器（301）是环形的，其中，所述光由环形阴极发射的 逃跑，从朝向所述环件轴线的电子出射窗加速的电子; 其中环形电子束发生器（301）被布置（304），使得其环轴垂直或在从垂直到45°的角度对齐和装置，用于分离散装材料颗粒被布置在环形电子束发生器，其底部壁的上方 具有至少一个开口，通过该滴出的散装材料的颗粒（303）的挑战，然后通过电子束发生器（301）环模制。

公开(公告)号：WO2015050779A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/US2014/057625

申请日：2014-09-26

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： SARAF, Gaurav ,  YANG, Xiawan ,  ABOOAMERI, Farid ,  CHANG, Wen, Teh ,  KHAN, Anisul, H. ,  HERSCH, Bradley, Scott

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67253

Abstract: Etch rate distribution non-uniformities are predicted for a succession of hardware tilt angles of the RF source applicator relative to the workpiece, and the behavior is modeled as a non-uniformity function for each one of at least two plasma reactors. An offset Δα in tilt angle α between the non-uniformity functions of the two plasma reactors is detected. The two reactors are then matched by performing a hardware tilt in one of them through a tilt angle equal to the offset Δα.

Abstract translation: 对于RF源施加器相对于工件的连续的硬件倾斜角预测蚀刻速率分布不均匀性，并且该行为被建模为至少两个等离子体反应器中的每一个的非均匀性函数。 检测两个等离子体反应器的非均匀性函数之间的倾斜角α的偏移Δα。 然后通过以等于偏移量Δα的倾斜角执行其中一个中的硬件倾斜来匹配两个反应器。