公开(公告)号：CN101512716A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780016534.1

申请日：2007-06-12

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  罗伯特·W·米尔盖特 ,  乔治·P·萨科 ,  韦德·艾伦·克鲁尔

IPC: H01J27/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J9/38 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/265

Abstract: 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。

公开(公告)号：CN100527346C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN01818499.5

申请日：2001-08-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： R·J·泽斯祖特 ,  J·P·奎尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08

Abstract: 一种气体输送系统(100)包括一个处于第一电位的气体源和一个处于高于第一电位的第二电位的离子源。系统(100)还包括一个联接于气体源与离子源之间的电绝缘连接器(108)。本发明还包括一种向离子注入系统输送气体的方法(200)，包括以下步骤：将储存位置处的离子源气体的电位保持于比离子注入系统的离子源处的第二电位低的第一电位(202)；以及将源气体从储存位置输送至离子源(204)。

公开(公告)号：CN101437629A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200580044390.1

申请日：2005-10-21

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 ,  詹姆斯·迪茨 ,  W·卡尔·奥兰德 ,  罗伯特·凯姆 ,  史蒂文·E·毕晓普 ,  杰弗里·W·纽纳 ,  乔斯·I·阿尔诺

IPC: B08B6/00 ,  B08B9/00

CPC classification number: C23G5/00 ,  C23C14/564 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31701

Abstract: 一种用于清洗来自用在微电子器件制造中的离子注入机的真空室元件的、和束流线(beamline)元件的残留物的方法和装置。为了有效地移除残留物，在充分条件下使这些元件与气相活性卤化物的组分充分接触一段时间以至少部分移除残留物。选取气相活性卤化物的组分以有选择地与残留物发生反应，而不与真空室的离子源区域的元件进行反应。

公开(公告)号：CN101401191A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008848.7

申请日：2007-01-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  詹姆斯·E·怀特

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  H01J27/02 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明揭露一种离子布植方法，其包含自C2B10H12产生C2B10HX离子以及将C2B10HX离子布植进材料中。在一些实施例中，C2B10HX离子的分子量大于100amu。在其他实施例中，C2B10HX离子的分子量为约132至144amu或约136至138amu。亦揭露一种离子源，其包含界定腔室的腔室外壳以及经组态以将C2B10H12引入腔室中的源进料气体供应件，其中离子源经组态以将腔室中的源进料气体离子化为C2B10Hx离子。

公开(公告)号：CN101365290A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810168645.0

申请日：2008-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛煜 ,  李英姬 ,  申哲浩 ,  李振硕

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/305 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明提供一种使用离子束的半导体装置。该半导体装置可包括施加电压的第一格栅。施加到第一格栅的电压可具有与施加到等离子体腔的壁部分的参考电压相同的电势电平，等离子体腔中可产生等离子体。第一格栅可毗邻等离子体。因此，第一格栅和等离子体腔的壁部分之间的电势电平差可以为零，因此等离子体可以是稳定的。

公开(公告)号：CN100421206C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200510008459.7

申请日：2005-02-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东克己 ,  前川和也 ,  武内悦雄 ,  矢岛信男 ,  佐藤顺一

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J27/02

CPC classification number: G21K5/10 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/3151

Abstract: 设置在离子束辐照装置的栅格之间的绝缘隔离物的替换频率将被减小。另外，在离子束辐照装置中的多个栅格的间隔将被保持恒定。为了得到这些目的，在用于保持栅格之间绝缘的所谓绝缘隔离物中，在绝缘隔离物的侧面的中心部分上沿着其整个周围提供具有溅射材料很难附着的底部的沟槽部分。

公开(公告)号：CN101026080A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710006000.2

申请日：2007-02-25

Applicant: FEI公司

Inventor： P·克鲁特 ,  V·N·唐达雷

IPC: H01J49/14 ,  H01J37/08 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J27/205 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/082

Abstract: 一种具有高亮度和低能量散度的电子撞击气体离子。通过从一侧将电子注入较小的离子化体积空间(尺寸从小于1μm到几十微米)且从另一侧抽出离子而实现该高亮度。通过高亮度电子源如场致发射器或肖特基发射器产生被注射的电子。在一个实施例中，在源与离子化体积空间之间没有光学器件的情况下，通过将场致发射器接近所述离子化体积空间(如30μm)放置而在所述离子化体积空间中实现所需高电子密度。在另一个实施例中，所述源被成像到微电子机械系统结构上。两个例如50nm的小光阑被隔开例如1μm。电子通过这些光阑中的一个进入，而离子通过另一个光阑离开所述离子化体积空间。例如通过用离子束钻孔制造所述两个光阑，从而导致形成两个小的且适当对齐的光阑。

公开(公告)号：CN1638015A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510000583.9

申请日：2005-01-10

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： M·福德 ,  B·哈理森 ,  M·法利 ,  P·坎德斯利 ,  G·莱丁 ,  T·伊藤忠 ,  S·韦尔斯

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30488

Abstract: 本发明关于使用离子束在衬底中注入离子的方法以及和这种方法一起使用的离子注入机，其中离子束中可能出现不稳定。本发明还关于用于产生离子束的离子源，所述离子束可以被快速切断。实际上，本发明提供了一种注入离子的方法，其包括当检测到离子束中的不稳定时，切断离子束，同时继续进行衬底相对于离子束的运动，以离开穿过衬底的扫描线的未注入部分；再次产生稳定的离子束，并通过对所述轨迹的未注入部分进行注入，完成扫描线。

公开(公告)号：CN1503309A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116534.2

申请日：2003-11-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 岩泽康司

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  G01R27/00

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/242

Abstract: 一种离子源装置，包括：具有用于发射热电子的灯丝的离子源；用于测量流过该灯丝的电流的电流测量装置；用于测量灯丝上的电压的电压测量装置；用于通过使用由所述电流和电压测量装置测量的电流和电压来计算灯丝电阻值的电阻运算装置；和用于计算直到灯丝应用极限为止时的时间或者直到灯丝应用极限为止时剩余的时间的预知运算装置。

公开(公告)号：CN1497655A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03154492.4

申请日：2003-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 须黑恭一

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J27/14 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明提供一种有助于应用到微细构造的半导体器件制造时延长寿命可能的离子源、离子注入设备、以及半导体器件制造方法。本离子源，具备有内壁面和外壁面的室，而且与该室绝缘设置的，在室内能发出热电子的阴极，所述阴极具有从室的外壁面到内壁面贯通设置的开口部从外侧突入室内的阴极罩和设于该阴极罩内侧的灯丝，阴极罩和/或灯丝是含有以钨(W)为主要成分，以规定金属元素作为次要成分的合金。