一种离子束刻蚀系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107610994B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201710680517.3

    申请日:2017-08-10

    CPC classification number: H01J37/02 H01J37/30 H01J37/305

    Abstract: 本发明公开一种离子束刻蚀系统,包括刻蚀腔体和刻蚀电极,还包括电极变位装置,用于使所述电极在所述刻蚀腔体内变化工作位置,所述电极变位装置包括动密封机构、电极动平衡配重机构、电极变位传动机构、以及电极变位驱动机构,所述刻蚀腔体包括腔室以及与所述腔室相连接的腔盖,所述腔室呈不规则形状。本发明的优点在于,可以实现对晶片的多角度刻蚀。另外,通过对刻蚀腔体的腔室形状进行特殊设计,能够节省占地空间,方便与其他外界设备连接,大幅度提高刻蚀工作效率。

    用于产生电子束的方法和装置

    公开(公告)号:CN104272425B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201380022774.8

    申请日:2013-04-25

    Abstract: 本发明涉及一种等离子体电子源装置(150)。所述装置包含阴极放电室(100),在阴极放电室(100)中产生等离子体;提供在所述阴极放电室中的出口孔(120),通过提供在所述阴极放电室(100)与阳极(104)之间的加速场从出口孔(120)并从所述等离子体(107)中提取电子;至少一个等离子体约束设备(例如,电磁线圈103);以及切换机构(190),其用于在允许从所述等离子体中提取电子的第一值与阻止从所述等离子体中提取电子的第二值之间切换所述至少一个等离子体约束设备。也提供了关联方法,特别是使用所述装置(150)的方法,所述装置(150)用于通过连续熔合提供在工作台上的粉床的至少一个层的部分而形成三维物品。

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