公开(公告)号：CN1741226A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510096905.4

申请日：2005-08-25

Applicant: 日本大业照明株式会社

Inventor： 羽场方纪

IPC: H01J1/30 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01J63/06 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/133604 ,  G02F2001/133625 ,  G02F2202/36

Abstract: 本发明的背光源具备：面板盒、配置于面板盒内的带萤光体阳极部及多个线状阴极部。线状阴极部，由在外周面形成碳纳米壁的导电性导线构成，电场电子发射部通过在带萤光体阳极部与线状阴极部之间施加电压，朝向带萤光体阳极部发射电子。

公开(公告)号：CN1661752A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510006238.6

申请日：2005-02-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑在垠 ,  金钟玟 ,  吴泰植 ,  朴永俊

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/46 ,  H01J63/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J29/481 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及场致发射器件及使用其的背光装置。场致发射器件包括以交替的平行条形成在基板上的阴极电极和栅极电极、形成在阴极电极上的用于碳纳米管生长的催化金属层、以及生长在催化金属层上的碳纳米管。

公开(公告)号：CN1618113A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02828020.2

申请日：2002-12-10

Applicant: 光实验室公司

Inventor： T·弗兰克

IPC: H01J17/00

CPC classification number: H01J63/08 ,  H01J63/06

Abstract: 本发明涉及一种发光的配置，包括包括透明或半透明窗口(10)的气密密封壳体(4)；布置在所述壳体内并覆盖所述窗口至少主要部分的一层荧光物质(3)；布置在所述壳体内以便发射电子的电子发射阴极(1)；所述壳体填充适用于电子雪崩放大的气体；所述阴极和阳极在使用期间保持在电位下，使得所述发射的电子加速并在所述气体中雪崩放大；所述层布置成穿过所述窗口发光以响应雪崩放大的电子的冲击和/或响应暴露于紫外光下，紫外光是由于雪崩放大的电子和该气体之间的相互作用而在气体中发射的。

公开(公告)号：CN1264491A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN98807266.1

申请日：1998-06-10

Applicant: 莱特拉伯公司

Inventor： 维塔利·S·卡夫塔诺夫 ,  亚历山大·L·萨沃罗夫 ,  伊夫金尼吉·P·谢欣 ,  简·奥尔斯福斯

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J63/04 ,  H01J1/304 ,  H01J61/0672 ,  H01J63/06

Abstract: 一种包含一场致发射阴极的光源和一种场致发射阴极。一种光源,包括有一具有多层壁的被抽真空的容器,该容器的至少一部分包括有一外部玻璃层(23,23’),在其至少一主要部分的内侧涂覆有构成发光层的荧光层(24,24’)和构成一阳极的电导层(25,25’),荧光层(24,24’)通过来自位于该容器内部的场致发射阴极(40,40’)的电子轰击而发光,在阴极(40,40’)和阳极(25,25’)之间安置有用来建立电子发射所必须的电场的调制电极。该场致发射阴极(40,40’)包括一具有一中心轴的纵向延伸芯(41,41’)和从该芯(41,41’)延伸的场致发射体(42,42’)。该场致发射体(42,42’)被伸长并沿该芯(41,41’)的长度的至少一部分而分布。该场致发射体(42,42’)从该芯(41,41’)径向向外延伸并且具有提供场致发射表面的敞开端。

公开(公告)号：CN1199503A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN96197582.2

申请日：1996-08-12

Applicant: 纳幕尔杜邦公司 ,  加州大学评议会

Inventor： A·K·思扎尔斯 ,  R·W·斯普林格尔

IPC: H01J63/06

CPC classification number: H01J63/06

Abstract: 一照明装置含有一纤维冷阴极场发射器,其中,所述冷阴极的纤维的直径小于100微米,一阳极用于吸引从纤维冷阴极场发射器发出的电子,一磷容器用于与冷阴极场发射体发射的电子相接触而提供持续光和一个小于10－5乇的真空装置,其包含在冷阴极场发射体的外壳之中,并提供了阴极和磷。

公开(公告)号：CN105051858B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201480017388.4

申请日：2014-03-14

Applicant: 光学实验室公司(瑞典)

Inventor： 乔纳斯·迪伦

IPC: H01J63/06

CPC classification number: H01J63/06 ,  H01J9/025 ,  H01J19/24

Abstract: 本发明涉及一种场发射照明装置，包括阳极和阴极，其中，阴极的形状基于真空外壳的形状来选择，真空外壳内设置阳极和阴极。当操作场发射照明装置时，本发明的阴极形状允许在阳极和阴极之间提供的电场的改良均匀性。本发明也涉及一种用于选择此种阴极形状的相应方法。

公开(公告)号：CN104584178B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201380045316.6

申请日：2013-08-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 下位法弘 ,  田路和幸 ,  田中泰光 ,  甲斐博之

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J63/06 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612

Abstract: [课题]提供可利用低电力工作并且亮度的发光面内均匀性高的场致电子发射膜和使用其的场致电子发射元件、发光元件及其制造方法。[解决手段]场致电子发射膜，其为包含60～99.9质量％的锡掺杂的铟氧化物和0.1～20质量％的碳纳米管的场致电子发射膜，并具有如下结构：在所述膜的表面，以每1mm2总延长2mm以上形成宽度为0.1～50μm范围的槽，在所述槽的壁面露出碳纳米管。在基板上形成含有碳纳米管的ITO膜之后，在ITO膜的表面形成槽，将在该槽的壁面露出的碳纳米管的端部设为发射体。

公开(公告)号：CN103117205B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310036129.3

申请日：2013-01-30

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 王烨文

IPC: H01J63/02 ,  H01J63/00 ,  F21S8/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01J1/304 ,  G02F1/133604 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/108 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/30496

Abstract: 本发明公开了一种显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法。场发射光源装置包括相对设置的第一基板和第二基板；第一电极层形成于第一基板的内侧；第二电极层形成于第二基板的内侧；发光材料层设于第一电极层和第二电极层之间并形成于第一电极层上，发光材料层包括量子点材料；第二电极层用于发射带电粒子轰击发光材料层而发光，进而形成用于背光模组的背光源。本发明采用量子点材料有效地提高场发射光源装置的发光性能。

公开(公告)号：CN103053007B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180027275.9

申请日：2011-05-30

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  优志旺电机株式会社

Inventor： 川上养一 ,  船户充 ,  大音隆男 ,  R·G·伯纳尔 ,  山口真典 ,  片冈研 ,  羽田博成

IPC: H01J63/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/04 ,  F21K9/69 ,  H01J61/305 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06

Abstract: 提供一种能够以小型、高效率发射紫外线的紫外线照射装置。该紫外线照射装置具备在以负压状态密封内部的、具有紫外线透过窗的容器内，具备半导体多层膜元件以及向该半导体多层膜照射电子束的电子束辐射源。另外，半导体多层膜元件具备由InxAlyGal-x-yN（0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1）组成的单一量子阱结构或者多量子阱结构的活性层，通过来自上述电子束辐射源的电子束照射在上述半导体多层膜元件上的活性层上，紫外线从该半导体多层膜元件经由上述紫外线透过窗向外部辐射。另外，在假设电子束的加速电压为V（kV），上述活性层的厚度为t（nm）时，满足下式（1）。式（1）：4.18×V1.50≤t≤10.6×V1.54。

公开(公告)号：CN103026455B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080068193.4

申请日：2010-09-20

Applicant: 海洋王照明科技股份有限公司

Inventor： 周明杰 ,  马文波 ,  李清涛

IPC: H01J63/06

CPC classification number: H01J1/90 ,  H01J9/24 ,  H01J9/38 ,  H01J61/30 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06

Abstract: 一种场发射光源器件，包括间隔设置的阳极板（110）和阴极板（120），以及将阳极板（110）和阴极板（120）固定成一体的绝缘支撑体（130）。阳极板（110）、阴极板（120）和绝缘支撑体（130）形成一真空密封的腔体。阳极板（110）包括以透明陶瓷为材质的基层（112）和设置在基层（112）的一个表面上的阳极导电层（114）。阴极板（120）包括衬底和设置在衬底表面的阴极导电层。阳极导电层（114）与阴极板（120）相向设置。由于透明陶瓷具有导电性好，透光性高，耐电子冲击性能稳定和发光均匀的优点，该场发射光源器件采用透明陶瓷作为阳极板基层，有效地提高电子束激发的效率，提高场发射光源器件的出光效率，最终提高其发光效率。还提供了一种场发射光源器件的制作方法。