公开(公告)号：CN103209515B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210543801.3

申请日：2012-12-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中村浩章 ,  大坂昇平

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0815 ,  H05B33/0827 ,  Y02B20/347

Abstract: 本发明提供发光元件驱动装置，该发光元件驱动装置通过与发光元件列（11～13）分别串联连接的开关元件（MOSFET Q2～Q4）对多个发光元件列（11～13）进行闪烁驱动，具有：选择电路（4），将分别流过多个发光元件列（11～13）的电流分别检测为发光元件列电流，选择最小的发光元件列电流；以及输出电压控制电路（6），以其通过选择电路（4）选择的发光元件列电流成为基准电流值的方式，对供给到多个发光元件列（11～13）的输出电压（Vout）进行控制。另外，具有平均电流控制电路（5），其以多个发光元件列电流的平均值成为相同的值的方式，分别控制对多个开关元件（MOSFET Q2～Q4）进行接通/断开驱动的占空比。

公开(公告)号：CN105448909A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510354138.6

申请日：2015-06-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 坂井邦崇 ,  前川祐也 ,  原雅人 ,  久保田英幸

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/64

CPC classification number: H02M3/1588 ,  H03K17/0412 ,  Y02B70/1466

Abstract: 一种自举电路，该自举电路包括N沟道MOS晶体管和限流部件，该N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，该第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，该P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；第二N型半导体层，该第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；第一电极，该第一电极电连接至所述P型半导体层；第二电极，该第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及电源端子，该电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，该限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。

公开(公告)号：CN105322024A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510319181.9

申请日：2015-06-11

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 森川直树

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。能够软化高速二极管的反向恢复动作时的电流波形。在具有使电流在纵向上流动的PiN型二极管结构的二极管中，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域中，局部地配置有在施加反向偏压时产生载流子的载流子残存层(N+层)。利用载流子残存层在开关动作时供给载流子(电子)，并使由此而产生的电流流动，因此，载流子不会急剧消失，能够软化反向恢复动作时的电流波形。由于是未在二极管的背面设置厚的载流子残存层(N+层)这样的结构，因此不使Vf上升就能够软化电流波形。

公开(公告)号：CN104953824A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410114285.1

申请日：2014-03-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中村胜 ,  一志智绘

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明提供DC/DC转换器，其对第2误差信号与规定的阈值进行比较而生成轻载信号。生成表示电感器的再生期间结束的情况的过零信号。当输出轻载信号和过零信号时，在经过第1规定的时间之后输出间歇动作许可信号并进行间歇动作。此时，低通滤波器切换为比稳定动作时大的时间常数。在间歇动作中，在不输出过零信号的期间持续了第2规定的期间且第2误差放大信号小于阈值时，使开关元件截止，在第2误差放大信号成为阈值以上时，使开关元件导通。在开关元件截止时，重叠脉冲而使第1误差信号下降规定的时间。而且，在输出电压比规定的值低下的情况下，将低通滤波器切换为与稳定动作时相同的小的时间常数。

公开(公告)号：CN104869689A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510062489.X

申请日：2015-02-06

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大竹修

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0815 ,  H05B33/0845 ,  Y02B20/347

Abstract: 提供一种LED点亮装置，即使输入电压变动也能够进行平均电流控制、结构简单且廉价。所述LED点亮装置具有：串联电路，其是在直流电源(VIN)的两端串联连接LED、电感器(L1)、开关元件(Q1)和电流检测电阻(R1)而成的；再生二极管(D1)，其与LED和电感器的串联电路并联连接；电容器(C2)，其利用开关元件导通时的电流与规定的恒定电流之间的差电流进行充放电；以及PWM控制电路(11)，其对开关元件进行导通/截止控制，并根据电容器的电压进行PWM控制，使得开关元件导通期间的电流平均值恒定，从而将流过LED的电流控制为恒定。

公开(公告)号：CN104868891A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510084790.0

申请日：2015-02-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 坂井邦崇 ,  前川祐也

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明提供电平下降电路和高压侧短路保护电路，能够防止高压侧的浮动电位(HS)的变化引起的低压侧的信号检测电路的误检测。电平下降电路具有：第1串联电路(P型沟道MOSFET Q1、电阻R1)，其连接在高压侧的电源电压(VB)与公共电位(COM)之间，将在高压侧检测出的检测信号转换为以公共电位为基准的电压信号(VA)；基准电压生成电路(P型沟道MOSFET Q2、电阻R2)，其生成消除了浮动电位(HS)引起的电压信号(VA)的变动的基准电压(VREF)；以及比较器(COMP2)，其对由第1串联电路转换后的电压信号与由基准电压生成电路生成的基准电压进行比较，生成以公共电位(COM)为基准的检测信号。

公开(公告)号：CN104868890A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410061193.1

申请日：2014-02-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 近藤启

IPC: H03K17/04 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置、交流/直流（AC/DC）转换器、功率因数校正（PFC）电路和电机驱动器，该半导体装置具有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），所述绝缘栅双极型晶体管具有第一双极型晶体管（Q1）和第一场效应晶体管（NM1），所述第一双极型晶体管的基极连接所述第一场效应晶体管的漏极；其中，所述半导体装置还具有旁通路径，所述旁通路径的一端连接所述第一双极型晶体管的发射极，所述旁通路径的另一端连接所述第一双极型晶体管的基极，并且，所述绝缘栅双极型晶体管处于导通状态时所述旁通路径的阻抗与所述绝缘栅双极型晶体管处于关断状态时所述旁通路径的阻抗不同。

公开(公告)号：CN104798185A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380059808.0

申请日：2013-11-13

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 谷本智 ,  佐藤伸二 ,  谷泽秀和 ,  松井康平

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小亚铃截面构造体(4)。

公开(公告)号：CN102612206B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210016851.6

申请日：2012-01-18

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 木村研吾 ,  平田和重 ,  中野利浩

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0815 ,  Y02B20/348

Abstract: LED驱动装置以及LED照明装置。本发明的课题是提供能够稳定LED负载的发光且能够实现小型化的LED驱动装置以及LED照明装置。作为解决手段，提供了一种将交流输入电力转换为期望的直流输出电力并提供给LED负载的LED驱动装置，该LED驱动装置具有：开关元件(Q1)，被进行开关控制；脉动电流减少部(3a)，其与LED负载串联连接，减少流过LED负载的电流脉动；控制电路(CNT)，其根据LED负载与脉动电流减少部的连接点处的反馈电压来对开关元件进行开关控制，由此将直流输出电力控制为预定值。

公开(公告)号：CN102484131B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080037940.8

申请日：2010-08-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松田成修

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 半导体装置(100)具备元件区域和外周区域，元件区域具有：具有第一导电型的第一半导体层(1)；在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层(2)；在第二半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的第三半导体层(3)；以及贯通第二半导体层和第三半导体层并到达第一半导体层的内部的多个栅极沟槽(11)，外周区域具有：在元件区域的周围，贯通第二半导体层及第三半导体层，并到达第一半导体层内的多个外周沟槽(14)；以及在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的终端层(6)，还具备半导体基体(10)，半导体基体(10)具有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层及终端层，在第一半导体层的表面侧，第一半导体层未露出于表面。