公开(公告)号：CN103887975A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310705949.7

申请日：2013-12-19

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中野利浩

IPC: H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  H02M1/36

CPC classification number: H02M1/36 ,  H02M2001/0006

Abstract: 本发明提供开关电源装置和起动电路，该开关电源装置具有：控制开关元件（Q10）的接通断开的控制电路（3a）；和对在变压器（T）的三次绕组（P2）中产生的电压进行整流平滑并作为电源电压（Vcc）供给到控制电路（3a）的第2整流平滑电路（二极管D10、电容器C10），且具备起动电路（1a），在电源电压（Vcc）为低于控制电路（3a）的起动电压（Von）（停止电压Voff）的第1阈值电压（V1）以下的情况和超过起动电压（Von）的情况下，将第1恒流（Ia）作为起动电流（Ist）供给到控制电路（3a），并且在电源电压（Vcc）超过第1阈值电压（V1）且为起动电压（Von）以下的情况下，将大于第1恒流（Ia）的第2恒流（Ib）作为起动电流（Ist）供给到控制电路（3a）。

公开(公告)号：CN102281001B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201110155545.6

申请日：2011-06-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中村胜

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02M2001/0032 ,  Y02B70/16

Abstract: 本发明提供在利用ESR较小的输出电容器的情况下也能够进行稳定动作且负载调节特性良好的开关电源装置。开关电源装置具有：高边MOSFET(11)，其与输入电压连接；斜波发生器(18)，其生成与高边MOSFET的开关频率同步的斜波信号；振幅信号生成部(第2反馈控制电路(2))，其生成与由斜波发生器生成的斜波信号的振幅对应的振幅信号(Comp)；以及第1反馈控制电路(1)，其根据由斜波发生器生成的斜波信号、大小与输出电压对应的反馈信号(FB)和第1基准电压(REF)，控制高边MOSFET的导通定时，并且，根据振幅信号、输入电压(Vin)和输出电压(Vout)，控制高边MOSFET的导通宽度。

公开(公告)号：CN102222689B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201110095110.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在提升面积使用效率的同时，维持晶体管(T)的特性，还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段，半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。

公开(公告)号：CN103792407A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310447105.7

申请日：2013-09-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 千叶明辉 ,  石仓启太

IPC: G01R19/00

CPC classification number: G01R15/183

Abstract: 本发明提供电流检测电路，该电流检测电路能够使降低电阻损耗，且在电流互感器（CT）的尺寸、成本方面都得到满足。该电流检测电路具有电流互感器（CT）和连接于电流互感器（CT）的二次侧绕组（Ns）间的电容器（C1），通过电容器（C1）进行相位调整，使在电流互感器（CT）的一次侧绕组（Np）中流过的一次侧电流（ip）的相位与电容器（C1）的电压（Vc）的相位相同。通过该结构，无需采用电流互感器（CT）的匝数比小而电阻损耗变大的匹配电阻，就能够检测一次侧电流（ip）作为电容器（C1）的电压（Vc），因此能够构成采用了小尺寸且低成本的电流互感器（CT）的低损耗的电流检测电路。

公开(公告)号：CN102196632B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201110054260.3

申请日：2011-03-07

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 石仓启太 ,  麻生真司

IPC: H05B37/02 ,  H02M3/335 ,  H02M7/17

Abstract: 本发明提供提高流入LED的电流平衡精度的LED驱动装置，其具有：谐振型的电力供给单元，其具有：第1变压器，第1和第2开关元件以及具有一次绕组和谐振电容器的串联连接部；串联电路，其具有：与电力供给单元的输出连接的第1整流平滑电路，与第1整流平滑电路连接且由1个以上的LED串联连接而成的第1LED组以及连接在电力供给单元与第1整流平滑电路之间的第1绕组；串联电路，其具有：与电力供给单元的输出连接的第2整流平滑电路，与第2整流平滑电路连接且由1个以上的LED串联连接而成的第2LED组以及连接在电力供给单元和第2整流平滑电路之间的第2绕组；以及控制单元，其将第1和第2开关元件的开关频率控制为比电力供给单元的谐振频率高的频率。

公开(公告)号：CN103782380A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280039872.8

申请日：2012-08-24

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 图子祐辅 ,  村上善则 ,  谷本智 ,  佐藤伸二 ,  松井康平

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体模块，其具有：一对半导体元件（16，18），它们具有与第1电力系统（BT）电气连接的第1端子（12，14）、和与第2电力系统（M）电气连接的第2端子（13），彼此串联连接；散热器（7）；第1电极（10），其分别与所述第1端子的一个第1端子（12）、和所述一对半导体元件中的一个半导体元件（16）的一个电极电气连接；输出电极（11），其分别与所述第2端子（13）、和所述一对半导体元件中的另一个半导体元件（18）的一个电极电气连接；以及第2电极（9），其与所述第1端子的另一个第1端子（14）电气连接，所述第2电极（9）经由第1绝缘部件（8a）与所述散热器（7）连接，所述输出电极（11）经由第2绝缘部件（8b）与所述第2电极（9）连接。

公开(公告)号：CN102067425B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200980121615.7

申请日：2009-06-15

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  国立大学法人岛根大学

Inventor： 足助英树 ,  高野秀治 ,  鹤谷守 ,  山本真义 ,  川岛崇广 ,  船曳繁之

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/1584 ,  H02M1/34 ,  H02M2001/348

Abstract: 本发明提供一种对直流电源的电压Vi进行升压的具有缓冲电路的DC-DC变换器，其目的是为了解决降低冲击电压和噪声产生这样的课题。缓冲电路是由以下部分构成：连接在平滑电容器Co的两端、由缓冲电容器Cs和缓冲电阻Rs构成的串联电路；连接在缓冲电容器Cs与缓冲电阻Rs的连接点、和第1电抗器(Lr1)与第1变压器(T1)的提升线圈1b的连接点之间的第1缓冲二极管(Ds1)；以及连接在缓冲电容器Cs与缓冲电阻Rs的连接点、和第2电抗器(Lr2)与第2变压器(T2)的提升线圈2b的连接点之间的第2缓冲二极管(Ds2)。

公开(公告)号：CN103579296A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210277310.9

申请日：2012-08-06

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有第1导电型的第1半导体层，形成于第1半导体层的上面的第2导电型的第2半导体层，其中第1导电型与第2导电型相反，由外延生长层构成的第2导电型的第3半导体层，与第2半导体层相接，其杂质浓度高于第2半导体层，第1导电型的第4半导体层，其形成于第3半导体层上面，第2导电型的第5半导体区域，其与第4半导体层相接，由第5半导体区域的上面开始，至少到达第4半导体层的下面的沟槽，形成于沟槽的侧面及底面的绝缘膜以及其形成于绝缘膜的内侧的沟槽中的控制电极。

公开(公告)号：CN102195459B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110032711.3

申请日：2011-01-30

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 吉永充达

IPC: H02M1/32 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M3/33569 ,  H02M2001/342 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本发明是一种有源缓冲电路和电源电路。本发明提供一种能容易获得电源元件的最佳的接通断开定时、变压器没有中间抽头、变压器结构不复杂的有源缓冲电路和电源电路。有源缓冲电路(70)用于开关电源，该开关电源构成为，主开关元件(20)重复接通状态和断开状态，使电流断续地流入到一次绕组，有源缓冲电路(70)具有：浪涌电压吸收用电容器(24)；副开关元件(25)；以及控制副开关元件的副控制电路(27)，浪涌电压吸收用电容器和副开关元件串联连接的电路与一次绕组并联连接，副控制电路(27)在主开关元件(20)刚断开后使副开关元件(25)处于预定时间的接通状态。

公开(公告)号：CN102165693B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980138267.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  原雅人

IPC: H03K17/08 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7806 ,  H02H11/002 ,  H02J7/0034 ,  H03K17/0822

Abstract: 开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。