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公开(公告)号：JP2018195754A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017099824
申请日：2017-05-19
Applicant: 新日本無線株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 【課題】スクリーン印刷法によっても、配線や貫通電極の形状が大きくなることのない半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上の貫通電極となる金属ピラー5を形成する領域に開口部6を備えた絶縁膜4をスクリーン印刷法により形成し、この開口部を硬化させる。その後、この硬化した開口内に、金属ピラーを構成する金属をスクリーン印刷法により形成する。この金属ピラーは、金属柱や貫通電極として用いることができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018191163A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017092803
申请日：2017-05-09
Applicant: 新日本無線株式会社
Inventor： 大澤 衛
Abstract: 【課題】静的な入力信号だけでなく動的な入力信号に対してもリーク電流を補償した半導体装置を提供する。 【解決手段】第1リーク電流補償回路10A1は、非反転入力端子が入力ノード12に接続される第2演算増幅回路11と、該第2演算増幅回路11の出力端子と高電位電源端子1及び低電位電源端子4との間に接続されるESD保護回路14と、第2演算増幅回路11の反転入力端子に一端が接続され出力端子に他端が接続される第1アンチパラレルダイオードD3,D4と、出力ノード13に一端が接続され第2演算増幅回路11の出力端子に他端が接続され且つ第1アンチパラレルダイオードD3,D4と同一特性の第2アンチパラレルダイオードD5,D6と、一端が第2演算増幅回路11の反転入力端子に接続され他端が出力端子に接続されるキャパシタC1と、一端が出力ノード13に接続され他端が出力端子に接続される第1キャパシタC1と同一特性のキャパシタC2とを備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018186376A
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017086518
申请日：2017-04-25
Applicant: 新日本無線株式会社
IPC: H03F1/32
Abstract: 【課題】増幅回路の増幅素子として接合型電界効果トランジスタ又はバイポーラトランジスタを用いた場合に、ゲートとドレインの間又はベースとコレクタの間に生じる接合容量の充放電を起因とする波形歪を抑制することができる増幅回路を提供する。 【解決手段】接合型電界効果トランジスタ3と、入力端子2に接続された接合型電界効果トランジスタ3のゲートと電源端子1の間に接続され、入力端子2に印加される入力電圧に応じて容量値が変化する可変容量素子4と、を備えた。可変容量素子4としては、例えばダイオードやソースとドレインを共通接続した接合型電界効果トランジスタが好適である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018182492A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017078034
申请日：2017-04-11
Applicant: 新日本無線株式会社
Inventor： 岡野 淳一
IPC: H03K19/0185
Abstract: 【課題】立上りと立下りの伝搬遅延を均一化し、ノイズ耐性を高めたレベルシフト回路を提供する。 【解決手段】電圧VDD1とVSS1の間で変化する入力電圧のレベルに応じて電圧VDD2とVSS2の間で電圧が変化するノードN1と、電圧VDD1とVSS1の間で変化する入力電圧のレベルに応じて電圧VDD2とVSS2の間でノードN1と相補的に電圧が変化するノードN2と、ノードN1とノードN3との間に接続され電圧VDD2とVSS2で動作する第1非反転バッファ回路BUF1と、ノードN2とノードN4との間に接続され電圧VDD2とVSS2で動作する第2インバータINV2と、ゲートがノードN3に接続されソースが電圧VSS2の電源に接続されドレインがノードN5に接続されたトランジスタMN3と、ゲートがノードN4に接続されソースが電圧VDD2の電源に接続されドレインがノードN5に接続されたトランジスタMP5と、ノードN5に接続されるラッチ回路12とを備える。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6422296B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2014207654
申请日：2014-10-09
Applicant: 新日本無線株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：JP2018165940A
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：JP2017063567
申请日：2017-03-28
Applicant: 新日本無線株式会社
Inventor： 三添 公義
IPC: G05F1/56
Abstract: 【課題】誤差増幅器を不要にして回路構成を簡素化し、さらに位相補償も簡素化できるようにする。 【解決手段】入力端子1と出力端子2の間に接続されたトランジスタM3と、ゲートが基準電圧源6を介して接地端子3に接続されたトランジスタM1と、ゲートが出力端子2に接続されたトランジスタM2と、トランジスタM1のゲートとトランジスタM2のソースとの間に接続された抵抗R1と、トランジスタM1のソースとトランジスタM2のゲートとの間に接続された抵抗R2と、トランジスタM1のドレイン電流に比例した電圧をトランジスタM3のゲートに印加するカレントミラー回路7,8と、トランジスタM2のドレインと入力端子1との間に接続された電流源4と、トランジスタM3のゲートと接地端子3との間に接続された電流源5とを備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018163801A
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2017060245
申请日：2017-03-25
Applicant: 新日本無線株式会社
Abstract: 【課題】放出ガスの捕獲と電子放出抑制の両方を同時に実現し、アーキング対策の十分な効果が得られるようにする。 【解決手段】陰極1の端部のエンドハット4の表面に、電子放出抑制部材を設けると共に、エンドハット4のポールピース側のカソードスリーブ5に、凸状の第2電極10を形成し、この第2電極10とエンドハット4の間に、ゲッタ金属11を設ける。上記第2電極10の代わりに凹部を形成し、この凹部にゲッタ金属12を設けてもよい。第2電極10又は凹部を設けたカソードスリーブが形成する電場分布と外部磁場よって、電子が周回運動して残留ガスをイオン化することで、残留ガスがゲッタ金属11,12に捕獲される。また、エンドハットに電子放出抑制部材とゲッタ金属(14b,16)の両方を配置してもよい。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018152533A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017049618
申请日：2017-03-15
Applicant: 新日本無線株式会社
Abstract: 【課題】半導体装置が小型化、軽量化しても、確実に搬送することができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】複数の半導体素子1を基材3に搭載して一括封止する際、金型の内面側に配置するフィルム9を吸引するための吸引孔7を半導体装置形成領域に配置し、この吸引孔にフィルムを吸着させ、フィルムが凸状に変形した状態で基板に実装した半導体素子を樹脂封止する。その結果、封止樹脂部の表面に突起樹脂部が一体成形される。この突起樹脂部により、軽量化した半導体装置においても、吸着コレットでの搬送工程における離脱性が向上する。 【選択図】図1
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