公开(公告)号：KR102233590B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020140111578A

申请日：2014-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야코 가네코 ,  타케히코 오리이 ,  이타루 칸노

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67155

Abstract: 생산성을 향상시키는 것이다. 실시예의 일태양에 따른 기판 처리 방법은, 처리 후에 분위기 관리 또는 시간 관리가 필요한 전처리가 행해진 기판에 대하여, 휘발 성분을 포함하고 기판 상에 막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 휘발 성분이 휘발함으로써 상기 처리액이 고화 또는 경화된 기판을 반송 용기에 수용하는 수용 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR102233249B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020190005709A

申请日：2019-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카시 사메시마 ,  코지 마에카와 ,  가츠마사 야마구치

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/28568 ,  C23C16/14 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/12 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L2924/01074

Abstract: 본 발명은, 박막화한 경우에도 텅스텐막의 저저항화를 도모하는 것이다. 표면에 TiN막이 형성된 기판을 처리 용기 내에 배치하고, 감압 분위기에서 기판을 가열하면서 기판의 표면에 텅스텐막을 성막하는 텅스텐막의 성막 방법은, 기판에, 알루미늄 함유 재료에 의한 제1 막을 성막하는 공정과, 제1 막 상에 텅스텐막을 성막하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR102233231B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020180157944A

申请日：2018-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유이치 후루야 ,  히로유키 모리 ,  에이노스케 츠다 ,  에이이치 고모리 ,  도모히사 기모토

IPC: C23C16/448 ,  C23C14/22

CPC classification number: H01J37/32458 ,  C23C16/4481 ,  C23C14/228 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 복수의 트레이 내의 원료의 소비량의 차이를 저감시킬 수 있는 원료 용기를 제공한다. 일 실시형태의 원료 용기는 하우징, 트레이 어셈블리, 및 복수의 통 형상 부재를 구비한다. 하우징은 캐리어 가스의 도입구 및 그곳으로부터 원료의 증기를 포함한 가스가 출력되는 개구를 제공한다. 트레이 어셈블리는 복수의 트레이를 포함한다. 복수의 트레이는 하우징 안에 쌓여 있다. 복수의 통 형상 부재의 각각은 원통 형상을 갖는다. 복수의 통 형상 부재는 트레이 어셈블리와 하우징 사이에서 직경 방향으로 배열되어 있다. 복수의 통 형상 부재 중 가장 외측의 통 형상 부재는 슬릿을 제공하고, 다른 하나 이상의 통 형상 부재의 각각은 복수의 슬릿을 제공한다. 도입구로부터 트레이 어셈블리와 가장 내측의 통 형상 부재와의 사이의 간극까지, 캐리어 가스의 유로가, 복수의 통 형상 부재에 의해 단계적으로 상방 및 하방으로 분기된다.

公开(公告)号：KR102233207B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020190000492A

申请日：2019-01-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마사히로 도고메 ,  게이스케 곤도

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: B25J11/0095 ,  B25J15/0253 ,  B25J18/04 ,  B25J9/1694 ,  B65G47/905 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67265 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707

Abstract: [과제] 기판 파지 기구 상태로서 열림 상태, 파지 상태, 미싱 상태, 동작중 상태의 4개 상태를 적은 부품 점수로 정확하게 인식한다.
[해결 수단] 웨이퍼 파지 기구(1)는 웨이퍼의 둘레부와 계합하는 고정 클램프부(20b)와, 액츄에이터(22)에 의해 고정 클램프부(20b)에 대해서 진퇴 이동하는 가동 클램프부(21b)의 사이에서 웨이퍼를 파지하는 것이고, 가동 클램프부(21b)와 연동해 움직이는 키커(23)와, 각각 상이한 검지 영역을 가짐과 아울러, 해당 검지 영역에 키커(23)가 존재하는지 아닌지를 검지하는 제 1 센서(24a) 및 제 2 센서(24b)를 구비하고, 키커(23)는 가동 클램프부(21b)의 진퇴 방향으로 연속하는 제 1 ~ 제 4 부분을 갖고, 제 1 ~ 제 4 부분은 각각, 제 1 센서(24a) 및 제 2 센서(24b)에 의한 검지 결과가 서로 상이한 형상을 갖는다.

公开(公告)号：KR20210033442A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020207025089A

申请日：2019-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유스케 야나기사와 ,  유스케 다키노

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46 ,  H01L21/31144

Abstract: 에칭 방법은, 처리 대상막과, 처리 대상막 상에 형성된 복수의 볼록부를 갖는 층과, 복수의 볼록부 사이에 있어서 노출되는 처리 대상막 및 각 볼록부를 덮는 제1 막을 갖는 피처리체에 대해, 제2 막을 성막(成膜)하는 성막 공정과, 제2 막을 제1 막 중 각 볼록부의 측면을 덮는 부분에 잔존시킨 상태에서 제2 막을 에칭하는 제1 에칭 공정과, 제2 막을 제1 막 중 각 볼록부의 측면을 덮는 부분에 잔존시킨 상태에서 제1 막을 에칭함으로써, 각 볼록부의 정상부 및 복수의 볼록부 사이의 처리 대상막을 노출시키는 제2 에칭 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR20210032302A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020207025258A

申请日：2019-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다이스케 하야시 ,  신야 이시카와

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6833 ,  C23C14/50 ,  B23Q3/15 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H02N13/00

Abstract: 피처리체 및 에지 링을 거치하는 거치대로서, 상기 거치대 내부에서 유체를 흘려보내는 제1 유로 및 제2 유로와, 상기 제1 유로의 입구와 상기 제2 유로의 입구를 연결하는 분기부와, 상기 제1 유로의 출구와 상기 제2 유로의 출구를 연결하는 합류부와, 상기 분기부와 상기 합류부 중 적어도 어느 한쪽에 구비되며 상기 제1 유로 및 상기 제2 유로에 연통되는 개구부를 갖는 부재를 포함하는 거치대가 제공된다.

公开(公告)号：KR20210031379A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020200110941A

申请日：2020-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마사루 이사고 ,  다카시 기타자와

IPC: H01L21/67 ,  F16L9/18 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32522 ,  F16L9/18 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명은, 수지제 배관을 투과하는 투과 가스의 배기 효율을 향상시킨다. 열매체 순환 시스템은, 온도 제어 대상물에 열매체를 순환시키는 순환 유로의 적어도 일부를 구성하는, 수지제 배관과, 배관의 외주면을 둘러싸는 커버와, 배관과 커버의 사이의 공간에 접속되어, 배관을 투과해서 해당 공간으로 방출되는 열매체를 배기하는 배기관을 갖고, 커버는, 배기관으로부터의 열매체의 배기와 병행하여, 배관과 커버의 사이의 공간에 공기를 도입하는 급기구를 갖는다.

公开(公告)号：KR102230086B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020197017076A

申请日：2017-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니하르 모한티 ,  제프리 스미스 ,  안톤 데빌리어스

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3213 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76816 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 명세서에 개시된 기법은, 비균일 피치(혼합 피치)의 라인을 초래하는 기판 패터닝을 위한 방법을 제공한다. 기법은, 다중라인층(multi-line layer) 내의 물질 라인을 선택적으로 대체함으로써 진보된 패터닝 선택사항을 가능하게 할 수도 있다. 3개의 상이한 물질의 교호 라인을 갖는 다중라인층이 형성된다. 다른 언커버된 라인을 제거하지 않으면서 적어도 하나의 언커버된 라인을 선택적으로 제거하기 위해 하나 이상의 에칭 마스크가 사용된다. 제거된 물질은 충전 물질로 대체된다. 에칭 마스크, 및 상이한 물질 라인의 상이한 에칭 내성을 사용해 선택적 제거가 실행된다.

公开(公告)号：KR102229993B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020190002798A

申请日：2019-01-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스오 아사다 ,  다케히코 오리이 ,  겐토 스즈키

IPC: H01L21/3065 ,  C09K13/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/32135 ,  B08B7/0071 ,  C09K13/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은, 기판의 면내 균일성 높게 실리콘 함유막을 에칭하는 것이다. 표면에 실리콘 함유막(13)이 형성된 기판(W)에, 7불화요오드 가스와 염기성 가스를 공급하여, 당해 실리콘 함유막(13)을 에칭한다. 그러한 처리에 의해 기판의 면내에서 균일성 높게 에칭할 수 있다. 또한, 기판(W)에 실리콘 함유막(13)을 남기게 에칭을 행하는 경우에는, 남은 실리콘 함유막의 표면의 평탄성을 높게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210030202A

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020200110170A

申请日：2020-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지시오 고시미즈

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785 ,  H02N13/00

Abstract: [과제] 기판 지지기 상에 탑재되는 물체에 효율 좋게 바이어스 전력을 공급하는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 개시되는 기판 지지기는, 유전체부 및 적어도 하나의 전극을 구비한다. 적어도 하나의 전극은, 유전체부 상에 탑재되는 물체에 바이어스 전력을 공급하기 위해서 유전체부 안에 마련되어 있다.