公开(公告)号：JP2014078715A

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：JP2013210896

申请日：2013-10-08

Applicant: St Microelectron Inc ,  エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics, Inc. ,  Internatl Business Machines Corp ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレイションInternational Business Machines Corporation

Inventor： NICOLAS LOUBET ,  LIU QING ,  PONOTH SHOM

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/84

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for avoiding short-circuiting relating to contact to a substrate in a SOI integrated circuit.SOLUTION: A separate trench is etched through an active silicon layer at an upper side of an embedded oxide film on a substrate into the substrate and through any pad dielectric substance on the active silicon layer. A protrusion into the separation trench is formed in a lateral distance where lateral epitaxial growth of the active silicon layer is at least about 5 nm, and a portion of the separation trench around the protrusion is filled with a dielectric substance. A projective source/drain region is formed on the portion of the active silicon layer including the dielectric substance. As a result, mismatch contact passing around an end portion of the projective source/drain region is kept isolated from a sidewall of the substrate within the separation trench.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于避免与SOI集成电路中的衬底接触相关的短路的技术。解决方案：通过在衬底上的嵌入式氧化物膜的上侧的活性硅层蚀刻单独的沟槽 通过有源硅层上的任何焊盘介质物质进入衬底。 形成分离沟槽的突出部分的横向距离，其中活性硅层的横向外延生长至少约5nm，并且突出部分周围的分隔槽的一部分填充有介电物质。 在包括电介质的活性硅层的部分上形成投影源/漏区。 结果，穿过投影源极/漏极区域的端部的失配接触保持与分离沟槽内的衬底的侧壁隔离。

公开(公告)号：JP2014060388A

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：JP2013171341

申请日：2013-08-21

Applicant: St Microelectron Inc ,  エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics, Inc.

Inventor： ZHANG JOHN H

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/67219 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67184

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for reducing the queue time (latency) of a semiconductor device going through a manufacturing process.SOLUTION: An integrated tool and a method for reducing the defects when manufacturing a semiconductor device, by reducing the queue time during the period of manufacturing process, are provided. The integrated tool may include at least one polishing tool having at least one polishing module, and at least one deposition tool having at least one deposition chamber. At least one pump down chamber may connect the polishing tool with the deposition tool. The at least one pump down chamber includes a passage through which the semiconductor device is passed. Defects in the semiconductor device are reduced by reducing the queue time in various stages of a manufacturing process.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于减少通过制造过程的半导体器件的队列时间（等待时间）的技术。解决方案：通过减少队列时间来减少制造半导体器件时的缺陷的集成工具和方法 在制造过程中提供。 该集成工具可以包括至少一个具有至少一个抛光模块的抛光工具，以及至少一个具有至少一个沉积室的沉积工具。 至少一个抽油室可以将抛光工具与沉积工具连接。 所述至少一个泵送室包括半导体器件通过的通道。 通过在制造过程的各个阶段减少队列时间来减少半导体器件中的缺陷。

公开(公告)号：JP2014042022A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：JP2013165436

申请日：2013-08-08

Applicant: St Microelectron Inc ,  エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics, Inc. ,  Internatl Business Machines Corp ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレイションInternational Business Machines Corporation ,  Commissariat A I Energie Atomique Tet Aux Energies Alternatives ,  コミサリアト ア レネルジ アトミーク エ オ ゼネルジ アルタナティーブCommissariat a l Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Inventor： LIU QING ,  NICOLAS LOUBET ,  PRASANNA KHARE ,  PONOTH SHOM ,  MAUD VINET ,  BRUCE DORIS

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic apparatus capable of improving interface properties between a shallow trench isolation (STI) region and a corresponding semiconductor device, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: An electronic apparatus can comprise a substrate, a buried type oxide (BOX) layer on the substrate, at least one of semiconductor device on the BOX layer, and at least one of STI region adjacent to at least one of semiconductor device and in the substrate. At least one of STI region can comprise an oxide layer defining a sidewall surface of the substrate and lining a bottom part of the sidewall surface, a nitride layer lining an upper part of the sidewall surface above the bottom part, and an insulating material in the nitride layer and the oxide layer.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够改善浅沟槽隔离（STI）区域和对应的半导体器件之间的界面特性的电子设备及其制造方法。解决方案：电子设备可以包括衬底，埋置 氧化物（BOX）层，BOX层上的半导体器件中的至少一个以及与半导体器件和衬底中的至少一个相邻的STI区域中的至少一个。 STI区域中的至少一个可以包括限定衬底的侧壁表面并且衬里侧壁表面的底部的氧化物层，衬在底部部分上方的侧壁表面的上部的氮化物层以及衬底中的绝缘材料 氮化物层和氧化物层。

公开(公告)号：JP4970989B2

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：JP2007061878

申请日：2007-03-12

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics,Inc

Inventor： シー． スミス グレゴリー

IPC: C23F1/02 ,  H01L21/768 ,  C23F4/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/97 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP4926380B2

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：JP2004093393

申请日：2004-03-26

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics,Inc

Inventor： エム． チュウ アンソニー ,  マイケル シーゲル ハリー

IPC: B42D15/10 ,  H01L23/12 ,  G06K9/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/48 ,  G06K9/0002 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/4554

Abstract: An integrated circuit (IC) device comprising: 1) an integrated circuit (IC) die having a first surface, a second surface opposite the first surface, and sidewalls extending between the first surface and the second surface; 2) an integrated circuit (IC) package for supporting the IC die, wherein the IC package is attached to at least one of the sidewalls of the IC die such that at least a portion of the IC die first surface and at least a portion of the IC die second surface are exposed; and 3) at least one auxiliary component attached to at least one of the exposed portion of the IC die first surface and the exposed portion of the IC die second surface.

公开(公告)号：JP4799715B2

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：JP29822697

申请日：1997-10-30

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics,Inc

Inventor： ジェイ． デジルバ メルビン

IPC: C23C14/58 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/30 ,  C23F4/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76882

公开(公告)号：JP4547252B2

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：JP2004373865

申请日：2004-12-24

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics,Inc

Inventor： エム． チュウ アンソニー ,  ヤン テー トン

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L21/4821 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10969 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：JP4541663B2

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：JP2003160965

申请日：2003-06-05

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics,Inc

Inventor： フレイ クリストファー ,  ララーン フレデリク ,  エイ． リシンガー マーク

IPC: G11C15/04 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: G11C15/04

公开(公告)号：JP4499849B2

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：JP16457599

申请日：1999-06-11

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics,Inc.

Inventor： アリエ・ジクリク ,  コングクック・トリン ,  ヤーロン・スレザック

IPC: G11C16/06 ,  G11C29/12 ,  G01R31/28 ,  G01R31/3185

CPC classification number: G01R31/318533

公开(公告)号：JP4398008B2

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：JP15672499

申请日：1999-06-03

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッドSTMicroelectronics,Inc.

Inventor： イーラン・ウィーナー ,  ヤーロン・スレザック ,  ヨーラム・シーダー

IPC: G06F13/14 ,  G06F9/24

CPC classification number: G06F9/24