公开(公告)号：CN110718548B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201910238881.3

申请日：2019-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔戍侦 ,  卢东贤 ,  金成洙 ,  安圭焕 ,  玄尚镇

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H10D30/62

Abstract: 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。

公开(公告)号：CN110931545B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201910811500.6

申请日：2019-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安圭焕 ,  金成洙 ,  罗采昊 ,  卢东贤 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍；在衬底上的第一隔离图案；所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸；第三隔离图案，包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部，该下部与第三隔离图案的上部接触，并且该下部的下表面的宽度大于该下部的上表面的宽度；以及第二隔离图案，在第三隔离图案下方在衬底中延伸，与第三隔离图案接触，并且具有圆形下表面。

公开(公告)号：CN109817702B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201811214332.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金信惠 ,  吴暻锡 ,  曹九荣 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括基底和从基底突出的多个半导体鳍。源区/漏区设置在半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处，均具有比半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度。栅电极设置在半导体鳍的侧表面上并且位于源区/漏区下。绝缘层接触半导体鳍的侧表面并且覆盖栅电极的上表面。

公开(公告)号：CN109935585B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201810833546.3

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  裴洙瀯 ,  李东洙 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。

公开(公告)号：CN109494251B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201810670238.3

申请日：2018-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿珩 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上。所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中。

公开(公告)号：CN109473479B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201811046123.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐圣仁 ,  罗勋奏 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

公开(公告)号：CN107799516B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201710762460.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  蔡荣锡 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN106531719B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201610825719.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严多一 ,  金桢益 ,  具滋钦 ,  金哲性 ,  朴俊起 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源鳍，在基底上从隔离图案部分地突出；栅极结构，在有源鳍上；源/漏层，在与栅极结构相邻的有源鳍的一部分上；金属硅化物图案，在源/漏层上；以及塞，在金属硅化物图案上。塞包括：第二金属图案；金属氮化物图案，接触金属硅化物图案的上表面，并覆盖第二金属图案的底部和侧壁；以及第一金属图案，在金属硅化物图案上，第一金属图案覆盖金属氮化物图案的外侧壁。第一金属图案的氮浓度根据距金属氮化物图案的外侧壁的距离而逐渐减小。

公开(公告)号：CN110690199A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910603103.X

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  金完敦 ,  白贤俊 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括包含有源图案的衬底、在俯视图中交叉有源图案的栅电极、以及插置在有源图案和栅电极之间的铁电图案。栅电极包括设置在铁电图案上的功函数金属图案、以及填充形成在功函数金属图案的上部中的凹陷的电极图案。铁电图案的最上部的顶表面低于凹陷的底表面。

公开(公告)号：CN110634865A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910553241.1

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元根 ,  李宪福 ,  申忠桓 ,  蔡荣锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括在其中具有有源图案的基板、横跨有源图案延伸的栅电极和在有源图案上与栅电极横向相邻的源/漏区。该器件还包括接触结构，该接触结构包括在源/漏区上的第一接触、在第一接触上的第二接触以及在第一和第二接触的侧壁上的间隔物。