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公开(公告)号：CN105926119A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610464291.9
申请日：2015-07-28
Applicant: 南通大学
IPC: D03D13/00 , D03D15/00 , D06M15/11 , D06M15/263 , D06M11/46 , D06M101/06
CPC classification number: D03D15/0027 , D03D13/008 , D06M11/46 , D06M15/11 , D06M15/263 , D06M2101/06 , D10B2201/22 , D10B2401/022
Abstract: 本发明公开了一种透气、透湿性好的调温混纺机织面料的制备方法，经沙、纬纱是由Outlast纤维以15%～75%混纺干重比与棉纤维、Tencel混纺制成的线密度为18.4tex的混纺纱，棉纤维与Tencel的干重比为3:2；所述混纺机织物经纱密度为400～600根/10cm，纬纱密度为150～250根/10cm；所述混纺机织物的织物组织结构为平纹、3/2斜纹或5/3缎纹。本发明产品具有优良的调温功能，同时该混纺机织物还具有透气、透湿，手感柔软舒适，生态环保。
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公开(公告)号：CN105603724A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610028498.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 南通大学
IPC: D06M11/83 , D06M23/12 , D06M101/06
CPC classification number: D06M11/83 , D06M23/12 , D06M2101/06 , D06M2200/01 , D06M2200/11 , D06M2200/12
Abstract: 本发明公开了一种操作方便的高性能三防抗菌面料的整理方法，用纳米银溶胶抗菌整理剂、HS1100三防整理剂、ATB9800抗菌整理剂、TPM9007抗菌整理剂组成的复合三防抗菌整理剂对棉织物进行同浴整理得到。本发明用天然可降解高分子——淀粉做保护剂及分散剂，并采用简单的液相化学还原法制备淀粉包覆的纳米银溶胶，工艺简单，绿色环保，分散性好，不易团聚。所制得的纳米银三防抗菌整理剂可用于同浴整理，相对于分浴整理，工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103165758B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310111198.6
申请日：2013-04-01
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下：将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
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公开(公告)号：CN104328654A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410607123.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 南通大学
IPC: D06M11/83 , D06M23/12 , D06M101/06
Abstract: 本发明公开了一种高性能三防抗菌面料及其整理方法，用纳米银溶胶抗菌整理剂、HS1100三防整理剂、ATB9800抗菌整理剂、TPM9007抗菌整理剂组成的复合三防抗菌整理剂对棉织物进行同浴整理得到。本发明用天然可降解高分子——淀粉做保护剂及分散剂，并采用简单的液相化学还原法制备淀粉包覆的纳米银溶胶，工艺简单，绿色环保，分散性好，不易团聚。所制得的纳米银三防抗菌整理剂可用于同浴整理，相对于分浴整理，工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103394833B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310341500.7
申请日：2012-10-19
Applicant: 南通大学
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明公开了一种焊后焊缝高精度跟踪及残余应力消除系统，包括对焊缝进行焊接的移动式焊接设备、消除焊接应力的焊接应力消除移动机器人，一台同步电机固定放置于焊缝外，以同步电机转轴轴心作为参考点；两个反射式测距传感器固定在电机轴上，与电机同轴旋转，两个传感器间相隔一段距离；在焊接初始点、移动式焊接设备的焊接喷嘴处、焊接应力消除移动机器人作业末端均贴有反射片。本发明结构简单、自动化程度高、焊后焊缝跟踪精度高，不受焊渣或焊接缺陷对焊后焊缝跟踪的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103060098B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310003252.5
申请日：2013-01-06
Applicant: 南通大学
CPC classification number: Y02E50/13
Abstract: 本发明涉及一种生物柴油制备装置及制备方法，装置包括磁力搅拌机构、超声波酯化反应机构和液体分相器，磁力搅拌机构包括搅拌桶、立式圆形永磁铁、磁性离子液体储罐以及原料储罐，搅拌桶中部设有分层挡板将搅拌桶分隔成上、下搅拌室，下搅拌室底部内凹，立式圆形永磁铁可转动地置于该内凹处，原料储罐、磁性离子液体储罐分别通过管路与下搅拌室的下部、上部连通；超声波酯化反应机构包括互相连接的酯化反应器和超声波发生单元，酯化反应器的上、下部分别通过管路与上搅拌室、液体分相器连通。本发明综合了磁力搅拌作用和超声波高频振荡作用，对原料油、甲醇和催化剂进行充分混合后在超声波作用下，酯化反应得到加强，提高了生物柴油制备速度。
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公开(公告)号：CN101866839B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010179894.7
申请日：2010-05-24
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/318
Abstract: 本发明涉及一种应用掩膜保护进行激光快速加热方法。首先将多晶硅衬底的硅片置于PECVD沉积装置完成非晶硅薄膜淀积；然后进行氮化硅薄膜的淀积，形成氮化硅薄膜的掩膜；将含有所述掩膜的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性性容器中，用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调节脉冲频率，达到薄膜外延生长的晶粒尺寸要求，再用氢氟酸水溶液去除氮化硅保护层。本发明使薄膜外延晶粒可控，且通过淀积形成掩膜防薄膜氧化，并通过对激光的增透能力提高激光在衬底中的能量利用率，以降低激光的耗能，提高了薄膜的质量，优化了激光洁净工艺。
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公开(公告)号：CN102381682A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110404440.X
申请日：2011-12-08
Applicant: 南通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种制备硅基微三维结构的方法及其装置，其方法是用激光加工和化学腐蚀同时对覆盖图形掩膜的硅片进行复合加工，激光沿着图形掩膜的预定轨迹进行扫描切割，同时化学溶液对激光加工表面进行化学刻蚀，光整加工表面。实现本发明方法的装置主要由激光器、图形掩膜、聚焦透镜、工作箱、工作台、集液槽和化学溶液循环过滤系统组成，工作箱连接工作台上，工作箱内侧设有空腔，一端设有窗口，图形掩膜粘接于硅片的上端面并置于空腔中，集液槽置于硅片下方，化学溶液循环过滤系统与空腔和集液槽连通，聚焦透镜和激光器置于窗口一侧，激光经聚焦透镜和窗口聚焦于硅片上。本发明优点是，可制备具有高宽比大、垂直度及表面质量好的硅基微三维结构。
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公开(公告)号：CN102324447A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110277861.0
申请日：2011-09-19
Applicant: 南通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种制备多晶硅太阳电池绒面的方法及其装置，其方法是用激光和电化学同时对多晶硅片进行复合加工，在多晶硅片加工表面形成阵列光陷阱结构，同时电解液对多晶硅片表面产生电化学腐蚀，光整加工表面。实现上述方法的装置包括激光器5和电解机构15、电源1和工作台11；电解机构15主要由电解槽底座13、电解槽盖板4、阴极8、阳极12、工件安装夹具14、密封圈10和光学防护镜7组成，多晶硅片置于电解槽中，且将电解槽分为二室，从而使得多晶硅片成为电解时的唯一电流通道。本发明提供了一种多晶硅太阳电池的高效绒面新加工方法，其产品具有高重复性、良好高宽比性能，可获优于纯化学腐蚀制备绒面的减反射效果，对提高光电转换效率有重要作用。
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公开(公告)号：CN101866838B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010179872.0
申请日：2010-05-24
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种应用长波脉冲激光技术进行非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法。首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与加热时间的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。本发明通过调整脉冲的占空比，来控制薄膜中晶粒的生长；本发明方法不仅可应用于硅的可控外延生长，也可应用于ZnO等材料的快速可控外延生长；应用本发明方法生长的薄膜不仅可应用于太阳能行业，也可应用于集成电路和电子元器件的制造。
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