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公开(公告)号：CN103345962B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310269101.4
申请日：2012-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/1884 , H05K1/09 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
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公开(公告)号：CN103064568B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210401587.8
申请日：2012-10-19
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种能够减小形成有透明电极图案的薄膜中产生的波纹的电容型触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器具备第一薄膜、形成于该第一薄膜上的第一透明电极图案、以覆盖该第一透明电极图案的方式层叠于第一薄膜上的第一粘接层、层叠于该第一粘接层上的第二薄膜、层叠于该第二薄膜上的第二粘接层、层叠于前述第二粘接层上的第三薄膜、和形成于该第三薄膜上的第二透明电极图案；由第二薄膜与第二粘接层的总厚度Da和第一透明电极图案与第二透明电极图案的距离Db规定的Da/Db为0.5~0.9。
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公开(公告)号：CN103632753B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310506879.2
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。透明导电性膜，其特征在于，其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述膜基材为厚度2～200μm的塑料膜，所述透明导电性薄膜层叠体中，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始具有第一透明导电性薄膜和第二透明导电性薄膜，第一透明导电性薄膜为氧化锡的比例超过0且为6重量%以下的铟锡复合氧化物的结晶质膜，第二透明导电性薄膜为氧化锡的比例3～25重量%的铟锡复合氧化物的结晶质膜，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例比所述第一透明导电性薄膜大，所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。
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公开(公告)号：CN103366867B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310255891.0
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体。所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物的第一透明导电性薄膜（21），从所述层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有所述4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜（21）大的铟系复合氧化物的第二透明导电性薄膜（22），且所述层叠体整体的厚度为35nm以下。
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公开(公告)号：CN105814646A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201580003048.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B7/12 , B32B9/045 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2307/704 , B32B2307/732 , B32B2307/736 , B32B2457/208 , G02B1/14
Abstract: 实现耐擦伤性高、制成片状时不产生成为问题的程度的卷曲的带保护薄膜的透明导电性薄膜。一种带保护薄膜的透明导电性薄膜(10)，其具备透明导电性薄膜(15)和保护薄膜(14)，所述透明导电性薄膜(15)具有：薄膜基材(11)、在薄膜基材(11)的一个主表面形成的光学调整层(12)、和在光学调整层(12)上形成的透明导电层(13)，所述保护薄膜(14)被粘贴于薄膜基材(11)的与透明导电层(13)处于相反侧的主表面，其中，透明导电性薄膜(15)及保护薄膜(14)具有在主表面内的至少一个方向上热收缩的特性，透明导电性薄膜(15)的主表面内的最大热收缩率(％)的绝对值比保护薄膜(14)的主表面内的最大热收缩率(％)的绝对值小，且其差为0.05％～0.6％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105593402A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054037.0
申请日：2014-10-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/50
CPC classification number: H01J37/3277 , C23C14/34 , C23C14/562 , C23C14/566 , H01J37/3417
Abstract: 对于用于在膜上连续地形成薄膜的溅射装置而言，在更换膜卷时，不将成膜室向大气开放，而且不使真空泵停止。供给侧膜卷室(11)具有供给侧真空泵(17)和供给侧主阀(34)。收纳侧膜卷室(13)具有收纳侧真空泵(28)和收纳侧主阀(35)。在供给侧膜卷室(11)和成膜室(12)之间设置有供给侧加载互锁阀(30)。在收纳侧膜卷室(13)和成膜室(12)之间设置有收纳侧加载互锁阀(31)。在更换供给侧膜卷(36)之际，将供给侧主阀(34)和供给侧加载互锁阀(30)关闭。在更换收纳侧膜卷(37)之际，将收纳侧主阀(35)和收纳侧加载互锁阀(31)关闭。
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公开(公告)号：CN105492653A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN103314127B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180063189.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。
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公开(公告)号：CN102543267B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110332529.X
申请日：2011-10-25
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/24802 , Y10T428/24868 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜及触摸面板，所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3，第1电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大，第1电介质层的厚度d21为8～40nm，第2电介质层的厚度d22为3～25nm，第1电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22为3～30nm。
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公开(公告)号：CN103000299B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210330181.5
申请日：2012-09-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , G06F2203/04103 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供可以缩短用于使具有铟系复合氧化物的非晶质层结晶化的加热时间的透明导电性薄膜的制造方法。本发明的透明导电性薄膜的制造方法具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有上述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使上述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在上述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。
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