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公开(公告)号：CN102194931A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110033962.3
申请日：2011-01-31
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法，该加工方法不会使光器件的亮度降低。在该光器件晶片的加工方法中，将光器件晶片分割为各个光器件，该光器件晶片在基板的表面层叠有半导体层，且在该半导体层上通过分割预定线进行划分而形成有多个光器件，其特征在于，该光器件晶片的加工方法具有：分割起点形成工序，将对于该基板具有透射性的波长的激光束的聚光点定位到与该分割预定线对应的基板内部，并且沿着该分割预定线进行照射而在基板内部形成变质层，将该变质层作为分割起点，该分割起点是分割的起始部位；以及裂纹生长工序，沿着该分割预定线照射CO2激光，使裂纹从该分割起点起在基板内部生长。
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公开(公告)号：CN101211801B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710194145.X
申请日：2007-12-05
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: H01L21/60 , H01L21/3105 , B23K26/36 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/0622 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/50 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种晶片加工方法，该晶片加工方法可于不在焊盘上开孔的情况下在晶片的基板上形成到达焊盘的通孔。该晶片加工方法是这样的晶片加工方法：在晶片上从硅基板的背面侧照射脉冲激光光线，从而形成到达焊盘的通孔，其中上述晶片在硅基板的表面上形成有多个器件，并且在器件上形成有焊盘，焊盘的厚度被设定为大于等于5μm，脉冲激光光线被设定成波长为355nm，每一脉冲的能量密度为20～35J/cm2。
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公开(公告)号：CN109148348B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810573389.7
申请日：2018-06-06
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。晶片的加工方法包含如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片(2)进行支承的支承基板(8)；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，从支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外线区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，将支承基板从晶片的正面剥离。
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公开(公告)号：CN109411412B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810900302.2
申请日：2018-08-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: H01L21/82
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道，能够通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工将单晶硅晶片分割成各个器件。晶片的加工方法包含：保护部件配设工序，在晶片(2)的正面(2a)上配设保护部件；盾构隧道形成工序，从晶片(2)的背面(2b)对与分割预定线(4)对应的区域照射对于单晶硅具有透过性的波长的激光光线(LB)为连续地形成多个盾构隧道(56)，该盾构隧道(56)由从背面(2b)至正面(2a)的细孔(52)和围绕细孔(52)的非晶质(54)构成；以及分割工序，通过等离子蚀刻对盾构隧道(56)进行蚀刻而将晶片(2)分割成各个器件芯片，将盾构隧道形成工序中所使用的激光光线(LB)的波长设定为1950nm以上。
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公开(公告)号：CN116890173A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310323558.2
申请日：2023-03-29
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
Abstract: 本发明提供激光加工方法，解决在第一方向与第二方向交叉的交叉点处呈放射状产生裂纹而使由被加工物形成的部件品质降低的问题。激光加工方法包含：第一加工工序，实施在第一方向上照射激光光线而形成分割起点或分割槽的加工，形成第一加工痕；和第二加工工序，实施在与第一方向交叉的第二方向上照射激光光线而形成分割起点或分割槽的加工，形成第二加工痕。在第一或第二加工工序中，在第一方向与第二方向交叉的交叉点处残留未实施加工的未加工区域。激光加工方法还包含对未加工区域进行加工的未加工区域加工工序，实施在相对于第一方向或第二方向倾斜的方向上照射激光光线而形成分割起点或分割槽的加工，形成将第一、第二加工痕连结的连结加工痕。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206150B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201711317672.5
申请日：2017-12-12
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供芯片接合机，其将LED、IC、LSI等器件高效地接合在基板上。芯片接合机至少包含：基板保持单元(42)，其具有对在外延基板(201、221、241)的上表面上隔着剥离层(30)层叠LED层而供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；晶片保持单元(50)，其对在正面上隔着剥离层配设有多个器件的晶片(LED晶片20、22、24)的外周进行保持；面对单元，其使晶片保持单元所保持的晶片的正面面对基板保持单元所保持的基板的上表面；器件定位单元，其使基板保持单元与晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定位置；和激光照射单元，其从晶片的背面照射激光光线，将对应的器件的剥离层破坏而将器件接合在基板的规定位置上。
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公开(公告)号：CN110039204B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910018345.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622
Abstract: 提供被加工物的激光加工方法，即使是较厚的被加工物也能够保证良好的分割性并且能够高效地进行分割。该方法包含如下步骤：第1盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质构成的多个盾构隧道；聚光区域位置变更步骤，在该被加工物的厚度方向上变更向该被加工物照射的脉冲激光束的聚光区域的位置；以及第2盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该脉冲激光束的入射方向以与该第1盾构隧道并排的方式形成第2盾构隧道。
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公开(公告)号：CN108568601B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810193730.6
申请日：2018-03-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/067 , B23K26/0622 , B23K26/70 , H01L21/78 , H01L21/67
Abstract: 提供激光加工方法和激光加工装置，实现激光加工品质的进一步提高。激光加工方法包含：第一照射工序，照射具有比通过对被加工物照射激光光线而产生的电子激发的时间短的脉冲宽度的第一激光光线(LB1)；和第二照射工序，在电子激发时间内照射接下来的第二激光光线(LB2)。激光加工装置(2)包含：保持单元(6)，其对被加工物进行保持；和激光光线照射单元(10)，其对保持在保持单元上的被加工物照射激光光线(LB)。激光光线照射单元具有激光振荡器(44)，该激光振荡器振荡出具有比通过对被加工物照射激光光线而产生的电子激发的时间短的脉冲宽度的脉冲激光光线(LB)，该激光加工装置在对被加工物照射第一激光光线而产生的电子激发的时间内照射接下来的第二激光光线。
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公开(公告)号：CN108231658B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201711336976.6
申请日：2017-12-14
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司 , 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , 服部奈绪
Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。
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公开(公告)号：CN113494993A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110279311.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: G01M11/02 , G01J1/42 , B23K26/70 , B23K26/38 , B23K26/046
Abstract: 本发明提供检查装置和检查方法，能够高精度地检测激光光线的高斯分布的等高线。激光振荡器的检查装置包含：减光板，其使刚刚从激光振荡器射出后的激光光线减光；拍摄单元，其利用多个像素对被减光板减光的激光光线进行拍摄；处理单元，其对拍摄单元所拍摄到的图像进行处理；以及显示单元，其显示由处理单元处理的图像。处理单元具有划分激光光线的强度的至少内圈和外圈这两个阈值。
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