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公开(公告)号：KR100959290B1
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：KR1020080007690
申请日：2008-01-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 본 발명은 격자 결함을 최소화시키면서 질화물의 에피 성장이 용이하도록 버퍼층을 형성한 질화물 반도체 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 단결정 코발트 실리사이드층(CoSi
2 ) 또는 단결정 티나늄 나이트라이드층(TiN)을 실리콘 기판과 질화물층 사이에 버퍼층으로서 형성한다. 또한, 본 발명의 버퍼층은 질화물층과 격자 부정합이 작고, 높은 용융점을 가지므로, 종래기술의 격자 상수의 차이로 인한 질화물 성장시 결함 발생을 억제하고, 고온에서 실리콘 확산으로 인해서 질화물층이 오염되는 것을 차단하여 실리콘 기판 상에 질화물을 용이하게 에피 성장시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 버퍼층은 전기 전도도가 우수한 고융점 금속(refractory metal)으로서, 질화물층과 저항성 접촉(ohmic contact)을 형성하여 빌트인(built-in) 소자 제작이 용이한 효과가 있다. 또한, 본 발명은 열전도도가 우수한 금속 기반의 물질을 사용하여 소자에서 발생하는 열을 보다 빠르게 외부로 방출하여 높은 광효율 및 신뢰성을 갖는 고출력의 발광소자를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에서 기판으로 사용되는 실리콘 단결정 웨이퍼는 사파이어나 SiC, GaAs 보다 저렴하기 때문에, 질화갈륨 박막 에피층의 생산에 있어 생산원가를 크게 절감할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020100011406A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020080072616
申请日：2008-07-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0091
Abstract: PURPOSE: A light emitting device improving optical extraction efficiency and a method for manufacturing the same are provided to improve optical extraction efficiency by radiating a light flowing from a second semiconductor layer into a transparent electrode layer to the outside. CONSTITUTION: A transparent electrode layer(500) includes an air gap(510). The size of the air gap gradually increases as a position in the transparent electrode layer increases to the top. The transparent electrode layer includes a plurality of sub transparent electrode layers. The amount of a material forming the transparent electrode layer gradually decreases as a position in the transparent electrode layer increases to the top. The refractive index of the transparent electrode layer gradually decreases as a position in the transparent electrode layer increases to the top. The refractive index of the top portion of the transparent electrode layer contacting with external air is getting similar to the refractive index of air. A light flowing from a second semiconductor layer(400) into the transparent electrode layer is nearly emitted to the outside.
Abstract translation: 目的：提供提高光提取效率的发光装置及其制造方法，以通过将从第二半导体层流入透明电极层的光照射到外部来提高光提取效率。 构成：透明电极层（500）包括气隙（510）。 当透明电极层中的位置增加到顶部时，气隙的尺寸逐渐增大。 透明电极层包括多个副透明电极层。 形成透明电极层的材料的量随着透明电极层中的位置增加而逐渐减小。 透明电极层的折射率随着透明电极层中的位置增加而逐渐减小。 与外部空气接触的透明电极层的顶部的折射率变得与空气的折射率相似。 从第二半导体层（400）流入透明电极层的光几乎发射到外部。
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公开(公告)号：KR100926280B1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020070131493
申请日：2007-12-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 광추출 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 질화물 발광 소자 제조 방법은, (a) 기판에 질화물층을 형성하는 단계; 및 (b) 동일한 곡률을 갖는 복수의 요홈부가 형성되도록 상기 질화물층의 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 투명 전극층의 표면에 동일한 곡률을 갖는 요홈부를 형성함으로써, 활성층에서 발생된 빛이 투명 전극층으로 입사된 후, 투명 전극층의 표면에서 산란되어 외부로 방출된다. 따라서, 표면산란 효과를 통한 빛 추출 효율을 향상시키기 위하여 이용되는 종래 기술의 Surface texturing 방식과 동일한 빛 추출 효율 향상 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 투명 전극층 표면 패턴을 조절함으로써 투명 전극층으로부터 2D 포토닉 크리스탈(photonic crystal) 효과를 얻을 수 있는데, 이는 기존의 단일층 투명 전극층과 공기(또는 epoxy) 층에서 발생하는 전반사로 인해 빛의 추출 효율이 감소되었던 종래 기술과는 달리, 투명 전극층의 평면 방향으로 향하는 빛을 회절시켜 표면에 대해서 수직 방향으로 방출시킴으로써 빛 추출 효율을 향상시키는 효과가 나타난다.
Abstract translation: 本发明公开了一种具有改善的光提取效率的氮化物发光器件及其制造方法。 根据本发明的制造氮化物发光器件的方法包括以下步骤：（a）在衬底上形成氮化物层; 并且（b）在氮化物层上形成透明电极层以形成具有相同曲率的多个凹部。 本发明中，通过形成具有透明电极层的表面相同的曲率的槽，从有源层产生的光进入由透明电极层，从透明电极层的表面散射后向外部射出。 因此，光提取效率改善效果与用于通过表面散射效应改善光提取效率的相关技术的表面纹理化方法相同。 进一步地，本发明可以通过调整由单层透明电极层的整体和空气（或环氧树脂）中产生的全反射导致的透明电极层的表面图案，从透明电极层获得二维光子晶体效应， 通过衍射在透明电极层的平面方向上的光并沿垂直于透明电极层的表面的方向发射光来提高光提取效率。
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公开(公告)号：KR100737829B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020050102962
申请日：2005-10-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate(TEOS)를 사용하여 형성한 실리콘 산화막을 비교적 낮은 온도에서 열처리하여 나노 결정 실리콘을 형성할 수 있는 나노 실리콘의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 결정 실리콘의 제조 방법은 실리콘 기판 상에 Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate(TEOS) 가스와 산소 가스를 사용하여 실리콘 산화막을 형성하는 단계 및 실리콘 산화막을 400 ℃ ~ 900 ℃로 열처리하여 나노 결정 실리콘을 형성하는 단계를 포함한다.
나노 결정 실리콘, TEOS, 열처리-
公开(公告)号：KR1020160128018A
公开(公告)日：2016-11-07
申请号：KR1020150059717
申请日：2015-04-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은발광소자또는수광소자를포함하는기판위에나노사이즈의물질로네트워크를형성하고, 네트워크의일부가잠기도록패턴층을형성한후, 패턴층에서네트워크를형성하는나노물질을제거함으로써, 패턴층에나노사이즈의패턴을형성하고, 그위에금속을증착한후 패턴층을제거함으로써, 기판위에나노사이즈의선폭을갖는메탈메쉬를형성할수 있다. 따라서, 본발명은종래의사진식각공정을이용하는메탈메쉬형성방법에비하여간단한공정으로나노사이즈의선폭을갖는메탈메쉬를형성할수 있을뿐만아니라, 소망하는메탈메쉬의선폭에대응되는폭을갖는나노물질을이용함으로써용이하게메탈메쉬의선폭을조절할수 있어, 간단하게시인성문제와모아레(Moire) 현상을해결할 수있다.
Abstract translation: 本发明能够：在包括发光元件或光接收元件的基板上由纳米尺寸材料形成网络; 要形成网状部分的图案层，然后形成用于形成从图案层去除的网络的纳米材料，从而形成在图案层上形成的纳米尺寸图案; 以及在金属沉积在图案上之后要除去的图案层，从而在基板上形成具有纳米线宽度的金属网。 因此，与通过使用常规的光刻工艺形成金属网的方法相比，本发明可以通过简单的工艺形成具有纳米线宽度的金属网，并且还可以通过以下方式容易地调整金属网的线宽 使用具有对应于金属网的期望线宽度的宽度的纳米材料，使得能够简单地解决可见性问题和莫尔条纹现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101630339B1
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：KR1020100016199
申请日：2010-02-23
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은, 휘도특성의감소, 광추출효율의감소, 소비전력의증가, 순방향전압의증가및 과도한발열을방지할수 있는질화물반도체발광소자에관한것으로, 기판상에형성되는제1 질화물반도체층; 상기제1 질화물반도체층의제1 영역상에다중양자우물구조로형성되는활성층; 상기활성층상에형성되는제2 질화물반도체층; 상기제2 질화물반도체층상에형성되는오믹접촉층; 상기오믹접촉층상에, 광이방출되는발광면의제1 꼭지점과대응하여형성되는제1 전극패드; 상기제1 영역을제외한상기제1 질화물반도체층의제2 영역상에, 상기제1 꼭지점에대각선방향으로대향하는상기발광면의제2 꼭지점과대응하여형성되는제2 전극패드; 상기오믹접촉층상에, 135도이상의각도로절곡되는적어도하나의절곡부를각각포함하는형태로, 상기제1 전극패드로부터상기발광면측으로연장되어형성되는복수의제1 전극; 및상기제1 질화물반도체층의제2 영역상에, 135도이상의각도로절곡되는적어도하나의절곡부를각각포함하는형태로, 상기발광면상에서상기복수의제1 전극과교번하도록, 상기제2 전극패드로부터상기발광면측으로연장되어형성되는복수의제2 전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR101463782B1
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020110031846
申请日：2011-04-06
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/34 , G11C13/0002 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다. 따라서, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링을 이용하지 않을뿐만 아니라, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 저저항 상태로 변환하여 프로그램을 수행한 후, 전하 포획층에 포획된 전하를 유지하기 위해서, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 다시 고저항 상태로 변환하기 위한 별도의 전압 펄스를 인가하지 않아도 되므로, 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비해서 신속한 프로그램이 가능하다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링 방식을 이용하지 않으므로, 전하 포획층과 기판 사이의 절연막을 두께를 충분히 두껍게 형성하여 10년 이상의 데이터 보유 특성을 확보할 수 있으므로, 기존의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비하여 신뢰성이 높다.
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公开(公告)号：KR101439530B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130020685
申请日：2013-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L51/444 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 투명 전극을 구비하는 수광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예는 광을 흡수하여 전기 에너지를 생성하는 광전 변환층에 접촉하도록 투명 전극을 형성하되, 투명 전극은 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 형성되었다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은 광의 전 파장 영역에 대해서 높은 광투과 특성을 나타냄과 동시에 높은 전기 전도도 특성을 나타내므로 본 발명의 수광소자는 높은 광전 변환 효율을 나타내면서도 양호한 전기적 특성을 나타낸다.
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公开(公告)号：KR101402037B1
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120103754
申请日：2012-09-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/5215 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0591 , H01L51/102 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5212 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H05B33/26
Abstract: 본 발명은 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트가 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 유기 발광소자의 투명 전극을 형성함으로써, 유기 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타낼뿐만 아니라, 유기 반도체층을 구성하는 유기물층과 오믹 컨택이 이루어져 전기 전도도가 양호한 투명 전극을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 형성하여 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 유기물층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140037516A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020120103754
申请日：2012-09-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/5215 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0591 , H01L51/102 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5212 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H05B33/26 , H01L51/5206 , H01L51/5237 , H01L51/5275 , H01L2251/30
Abstract: The present invention discloses an organic light emitting element including a transparent electrode having a conductive filament and a manufacturing method thereof. The present invention forms a transparent electrode of the organic light emitting element with a resistance change material having a resistance state change from a low resistance state to a high resistance state by forming the conductive filament in which a current flows when a voltage having high transmittance to light of an infrared area and exceeding a threshold voltage is applied to the material. Therefore, the invention indicates high light transmittance to not only an area of visible ray generated from the organic light emitting element but also the light of an infrared area and can obtain a transparent electrode having good conductivity by making ohmic contact to an organic material layer composing an organic semiconductor layer. In addition, the present invention prevents a current concentration phenomenon by spreading a current flowing into the transparent electrode to the whole of the organic material layer by connecting the filaments formed in the electrode with each other by forming a current spread layer implemented by highly conductive and light-transmittable CNT or graphene at the top or bottom of the electrode.
Abstract translation: 本发明公开了一种有机发光元件及其制造方法，所述有机发光元件包括具有导电丝的透明电极。 本发明通过形成具有高电导率的电压流过的导电细丝，通过形成具有从低电阻状态向高电阻状态的电阻变化的电阻变化材料形成有机发光元件的透明电极， 向该材料施加红外线面积超过阈值电压的光。 因此，本发明不仅对从有机发光元件产生的可见光线的面积以及红外线区域的光线透射率高，而且可以通过与组成有机材料层的欧姆接触而获得具有良好导电性的透明电极 有机半导体层。 另外，本发明通过形成由高导电性实现的电流扩展层，通过将形成在电极中的长丝彼此连接而将流入透明电极的电流扩散到整个有机材料层来防止电流集中现象， 可透光的CNT或石墨烯在电极的顶部或底部。
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