公开(公告)号：KR100713454B1

公开(公告)日：2007-04-30

申请号：KR1020050042786

申请日：2005-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정석진 ,  박흥수

IPC: H04N7/015 ,  H04N5/52

Abstract: 본 발명은, 디지털 방송 수신시스템에서, 이득 제어 장치에 있어서, 안테나로부터 입력 신호를 수신하는 수신 회로와, 상기 수신된 입력 신호로부터 TII(Transmitter Indicator Information) 검출 구간 정보와, NULL 구간 정보를 획득하는 방송신호 수신기와, 상기 수신된 입력 신호를 복조하여 방송 정보를 복원하는 복조부와, 상기 TII 검출구간 정보와 상기 NULL 구간 정보를 이용하여, 상기 TII 검출구간 정보에 따른 TII 검출 구간에서 상기 수신 회로의 게인 모드에서 사용되는 게인값을, 상기 NULL 구간 정보에 따른 NULL 구간 이전의 게인값 보다 높은 값으로 설정하여 이득제어를 수행하는 이득 제어부를 포함하여 구성되는 것으로서, 한국의 지상파 DMB와 유럽의 DAB에서 모두 적용되는 디지털 방송 수신시스템에서 다수의 기지국의 셀 영역이 교차하는 지역에서, TII 신호 검출을 위해서 가장 큰 기지국 신호에 의해 다른 여러 작은 기지국 TII 신호를 찾지 못하는 경우를 줄일 수 있는 효과가 있다.
Gain controlling, TTI(Transmitter indicator information)

公开(公告)号：KR1020060119637A

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：KR1020050042786

申请日：2005-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정석진 ,  박흥수

IPC: H04N7/015 ,  H04N5/52

CPC classification number: H04N5/52 ,  H04B1/005 ,  H04H2201/11 ,  H04H2201/20 ,  H04N17/04

Abstract: A method and an apparatus for controlling a gain to detect a TII(Transmitter Indicator Information) signal are provided to effectively detect TII signals of different base stations in an area where cells of the base stations are overlapped. A gain control apparatus includes a receiving circuit(401), a broadcasting signal receiver(407), a demodulator, and a gain controller(403). The receiving circuit receives an input signal from an antenna. The broadcasting signal receiver acquires TII detection section information from the received input signal and null section information and transmits the TII detection section information and the null section information to the gain controller. The demodulator receives the input signal to restore broadcasting information. The gain controller sets the gain of the receiving circuit to a relatively high value in the acquired TII detection section using the TII detection section information and the null section information to perform gain control.

Abstract translation: 提供一种用于控制增益以检测TII（发射机指示信息）信号的方法和装置，以有效地检测基站的小区重叠的区域中的不同基站的TII信号。 增益控制装置包括接收电路（401），广播信号接收器（407），解调器和增益控制器（403）。 接收电路从天线接收输入信号。 广播信号接收器从接收到的输入信号和空区段信息中获取TII检测部分信息，并将TII检测部分信息和空白部分信息发送给增益控制器。 解调器接收输入信号以恢复广播信息。 增益控制器使用TII检测部分信息和零部分信息来将获取的TII检测部分中的接收电路的增益设置为相对较高的值，以执行增益控制。

公开(公告)号：KR1020060031929A

公开(公告)日：2006-04-14

申请号：KR1020040080911

申请日：2004-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박흥수

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04W52/52 ,  H04B2001/0416

Abstract: 본 발명은 무선 단말기에서 송수신 장치의 이득을 제어하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 송수신 신호를 처리하기 위한 송수신 장치를 구비하는 무선통신 단말기에서 상기 송수신 장치의 이득을 제어하기 위한 장치에 있어서, 이득 제어를 위한 하나 이상의 이득 레벨에 각각 상승 임계값과 하강 임계값을 매핑시켜 저장하는 메모리부와, 상기 수신신호의 세기값을 검출하여 이를 출력하는 신호세기 검출부와, 상기 수신신호의 세기값과 현재 이득을 제어하는 이득레벨의 상승 임계값과 하강 임계값과 비교한 후 비교결과를 출력하는 비교기와, 상기 비교결과에 따라 이득레벨을 검출하는 상태 검출기와, 이전의 이득레벨을 상기 검출된 이득레벨로 현재상태 이득레벨을 변경하고, 상기 변경된 이득레벨에 따라 상기 송수신 장치의 이득을 제어하는 제어부를 포함함을 특징으로 한다.

무선 단말기, 신호세기, 전력 증폭기 제어.

公开(公告)号：KR100468705B1

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1019980005020

申请日：1998-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박흥수 ,  홍영기 ,  권영민 ,  김석식

IPC: H01L21/31

Abstract: 집적 회로 장치의 상이한 두께를 가지는 게이트 산화막 구조 형성 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 제1게이트 산화막을 형성한다. 이후에, 제1게이트 산화막 상에 질화 실리콘막 패턴을 형성한다. 다음에, 질화 실리콘막 패턴을 마스크로 노출되는 제1게이트 산화막을 패터닝하여 기판을 노출시키는 제1게이트 산화막 패턴을 형성한다. 이후에, 인산을 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각 방법 등으로 질화 실리콘막 패턴을 제거한다. 다음에, 노출되는 기판 상에 제2게이트 산화막을 형성한다. 여기서, 제2게이트 산화막의 두께가 제1게이트 산화막 패턴의 두께 보다 작게 제2게이트 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100450960B1

公开(公告)日：2004-10-02

申请号：KR1020020057295

申请日：2002-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박흥수

IPC: H04B1/10

Abstract: PURPOSE: A device for amplifying a digital variable gain is provided to convert a received signal into a digital signal, and to automatically control a gain of a receiving signal by using the converted digital signal, thereby obtaining a stable output signal with linear characteristics. CONSTITUTION: A digital variable gain amplifier consists of a quantization level generator(803) and a quantizing unit(802). If the quantization level generator(803) inputs an AGC(Automatic Gain Control) signal generated from an AGC unit, the quantization level generator(803) generates a quantization level signal. The quantization level signal has the smallest value when size of the AGC signal is maximum. If the AGC signal is minimal, the quantization level signal has the biggest value. The quantization level signal equally divides an input signal, and quantizes an output signal.

Abstract translation: 目的：提供一种放大数字可变增益的装置，用于将接收到的信号转换为数字信号，并通过使用转换后的数字信号自动控制接收信号的增益，从而获得具有线性特性的稳定输出信号。 构成：数字可变增益放大器由量化电平发生器（803）和量化单元（802）组成。 如果量化电平生成器（803）输入从AGC单元生成的AGC（自动增益控制）信号，则量化电平生成器（803）生成量化电平信号。 量化电平信号在AGC信号的大小最大时具有最小值。 如果AGC信号最小，则量化电平信号具有最大值。 量化电平信号等分输入信号，并量化输出信号。

公开(公告)号：KR1020020010830A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：KR1020000044325

申请日：2000-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최성제 ,  이승환 ,  형용우 ,  김영관 ,  박흥수 ,  박영욱

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device is provided to prevent a cylindrical lower electrode from being damaged by a defect, by controlling a hemispherical grain(HSG) growth on the outer wall of the cylindrical lower electrode while minimizing damage to the cylindrical lower electrode. CONSTITUTION: A mold layer pattern exposing a predetermined region on a semiconductor substrate(100) is formed on the semiconductor substrate. The cylindrical lower electrode is formed in the predetermined region. An HSG growth control layer composed of polysilicon forms the outer wall of the lower electrode. A doped polysilicon layer forms the inner layer of the lower electrode. An HSG layer(136) constitutes the inner wall of the lower electrode, formed on the doped polysilicon layer. The mold layer pattern is eliminated. A dielectric layer(150) is formed on the lower electrode. An upper electrode(160) is formed on the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体存储器件的电容器的方法，以通过控制圆柱形下电极的外壁上的半球形晶粒（HSG）生长来防止圆柱形下电极被缺陷损坏，同时最小化对 圆柱形下电极。 构成：在半导体衬底上形成露出半导体衬底（100）上的预定区域的模层图案。 圆筒形下电极形成在预定区域中。 由多晶硅构成的HSG生长控制层形成下电极的外壁。 掺杂多晶硅层形成下电极的内层。 HSG层（136）构成形成在掺杂多晶硅层上的下电极的内壁。 消除模层图案。 在下电极上形成介电层（150）。 在电介质层上形成上电极（160）。

公开(公告)号：KR1020010084674A

公开(公告)日：2001-09-06

申请号：KR1020000009871

申请日：2000-02-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임한진 ,  박흥수 ,  박기연 ,  박영욱

IPC: H01L21/8242

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor improving a leakage current characteristic by adding chrome is provided to improve a leakage current characteristic by handling a thickness of an oxide layer formed on a boundary between a storage electrode and a dielectric layer. CONSTITUTION: A storage electrode is formed on a semiconductor substrate. Chrome is supplied on the storage electrode by using a sputtering method or a CVD(Chemical Vapor Deposition) method or a spin-coating method. A metal oxide dielectric layer is formed on the storage electrode. A thermal process for the metal oxide dielectric layer is performed under an ultraviolet ray and ozone atmosphere. A high temperature thermal process for the metal oxide dielectric layer is performed under an oxygen atmosphere. An upper electrode is formed on the metal oxide dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过添加铬来制造提高漏电流特性的电容器的方法，以通过处理形成在存储电极和电介质层之间的边界上的氧化物层的厚度来改善泄漏电流特性。 构成：存储电极形成在半导体衬底上。 通过使用溅射法或CVD（化学气相沉积）法或旋涂法在存储电极上提供铬。 在存储电极上形成金属氧化物电介质层。 在紫外线和臭氧气氛下进行金属氧化物电介质层的热处理。 在氧气氛下进行金属氧化物介电层的高温热处理。 在金属氧化物电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：KR1020010083697A

公开(公告)日：2001-09-01

申请号：KR1020000008185

申请日：2000-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 형용우 ,  박흥수

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor electrode of a semiconductor device is provided to improve a leakage current characteristic of a capacitor, by making a dielectric layer and the first upper electrode react with each other in a deposition process of the first upper electrode or subsequent heat treatment process so that the dielectric layer is not deteriorated. CONSTITUTION: A lower electrode(118) is formed on a semiconductor substrate(100). A dielectric layer(122) is formed on the lower electrode. The first upper electrode(124) is formed on the dielectric layer at a temperature not higher than 600 deg.C. An annealing process is performed regarding the resultant structure having the first upper electrode in an atmosphere of ozone, oxygen or oxygen plasma and at a temperature not higher than a predetermined temperature wherein the first upper electrode is not oxidized. The second upper electrode(126) is formed on the first upper electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的电容器电极的方法，以通过在第一上电极或随后的第一上电极的沉积工艺中使电介质层和第一上电极彼此反应来改善电容器的漏电流特性 热处理工艺，使得介电层不劣化。 构成：在半导体衬底（100）上形成下电极（118）。 电介质层（122）形成在下电极上。 第一上电极（124）在不高于600℃的温度下形成在电介质层上。 在臭氧，氧气或氧气等离子体的气氛中，在不高于第一上部电极未被氧化的预定温度的温度下，对具有第一上部电极的结果进行退火处理。 第二上电极（126）形成在第一上电极上。

公开(公告)号：KR1020010048683A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990053469

申请日：1999-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 형용우 ,  박영욱 ,  이상협 ,  박흥수

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor storage electrode of a semiconductor device is provided to form the storage electrode suitable for a high integrated semiconductor capacitor, by maximizing an effective area of the capacitor storage electrode, and by simplifying a process for forming the storage electrode. CONSTITUTION: A conductive material is filled in a contact in which a predetermined region of a substrate(100) is exposed between word lines, to form a pad(112). The first etch stop layer is formed in a portion except the pad. After the second insulating layer(114) is deposited on the first etch stop layer and the pad, a bit line(116) is formed. After the bit line is formed, the second etch stop layer is formed. The third insulating layer filling a curved portion between bit lines is formed on the second etch stop layer. The fourth insulating layer(124) is deposited on the third insulating layer, and etched to form a storage electrode region by a photolithography process. A conductive material is deposited on the entire substrate including the fourth insulating layer to form a storage electrode layer. The storage electrode layer deposited on the surface of the fourth insulating layer is removed, and the fourth insulating layer is exposed to separate the storage electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的电容器存储电极的方法，以通过最大化电容器存储电极的有效面积，并且简化用于形成存储电极的工艺来形成适用于高集成半导体电容器的存储电极 。 构成：导电材料填充在基板（100）的预定区域在字线之间露出的接触中，以形成焊盘（112）。 第一蚀刻停止层形成在除了焊盘之外的部分中。 在第二绝缘层（114）沉积在第一蚀刻停止层和焊盘上之后，形成位线（116）。 在形成位线之后，形成第二蚀刻停止层。 填充位线之间的弯曲部分的第三绝缘层形成在第二蚀刻停止层上。 第四绝缘层（124）沉积在第三绝缘层上，并通过光刻工艺进行蚀刻以形成存储电极区域。 在包括第四绝缘层的整个基板上沉积导电材料以形成存储电极层。 去除沉积在第四绝缘层的表面上的存储电极层，暴露第四绝缘层以分离存储电极。

公开(公告)号：KR1020010017820A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990033520

申请日：1999-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영관 ,  박흥수 ,  박영욱 ,  이상인 ,  장윤희 ,  이종호 ,  최성제 ,  이승환 ,  임재순 ,  이주원

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to improve an insulating characteristic of a dielectric layer and to increase capacitance of a capacitor structure, by forming the dielectric layer by an atomic layer deposition method when a polysilicon layer is used as a storage electrode, and by forming a plate electrode with a material layer of which a work function is higher than the storage electrode. CONSTITUTION: The first electrode(31) is composed of a silicon-based material. Reaction materials are sequentially supplied to the surface of the first electrode to form a dielectric layer(37). The second electrode(39) is formed on the dielectric layer, and a work function of the second electrode is higher than the first electrode composed of the silicon-based material.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件，通过在使用多晶硅层作为存储电极时通过原子层沉积法形成电介质层，并且通过形成电介质层的绝缘特性并增加电容器结构的电容， 具有功函数高于存储电极的材料层的平板电极。 构成：第一电极（31）由硅基材料构成。 依次将反应材料提供给第一电极的表面以形成电介质层（37）。 第二电极（39）形成在电介质层上，第二电极的功函数高于由硅基材料构成的第一电极。