公开(公告)号：KR1020050045737A

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020030079908

申请日：2003-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  강호규 ,  정형석 ,  도석주 ,  김윤석

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823857

Abstract: 고유전막을 게이트 절연막으로 사용하여 고집적화된 반도체 소자를 제조하는 데 있어서 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터에서 각각 이종의 게이트 절연막을 채용하는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명 반도체 소자는 제1 도전형 채널 영역을 가지는 제1 트랜지스터와, 제1 도전형과 반대인 제2 도전형 채널 영역을 가지는 제2 트랜지스터를 포함한다. 제1 트랜지스터를 구성하기 위하여 제1 도전형 채널 영역 위에는 HfO
2 막을 가지는 제1 게이트 절연막이 형성되어 있다. 제2 트랜지스터를 구성하기 위하여 제2 도전형 채널 영역 위에는 Al
2 O
3 막을 가지는 제2 게이트 절연막이 형성되어 있다. 이 구조를 제조하기 위하여, 반도체 기판의 제1 MOS 영역 및 제2 MOS 영역에 제1 고유전막을 형성하고 이를 어닐링한다. 어닐링된 제1 고유전막 위에 제1 고유전막과는 다른 조성을 가지는 제2 고유전막을 형성한다. 제1 MOS 영역 및 제2 MOS 영역 중 선택된 하나의 영역에서 어닐링된 제1 고유전막이 노출되도록 제2 고유전막을 선택적으로 제거한다. 제1 고유전막 및 제2 고유전막 위에 게이트 형성용 도전층을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020040088266A

公开(公告)日：2004-10-16

申请号：KR1020030022392

申请日：2003-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이내인 ,  이종호 ,  김윤석 ,  정형석

IPC: H01L21/336

Abstract: PURPOSE: A MOS transistor and a method for manufacturing the same are provided to prevent out-diffusion of oxygen by using a multiple gate spacer with an oxygen diffusion barrier spacer. CONSTITUTION: A gate line(350) is formed on a substrate(100) having a gate insulating layer(200) and a gate electrode(300). An oxygen diffusion barrier spacer(430) is formed at both sidewalls of the gate line. An inner spacer(510) is formed to cover outer sidewalls of the oxygen diffusion barrier spacer. An outer spacer(600) is formed to cover outer sidewalls of the inner spacer, thereby forming a multiple gate spacer.

Abstract translation: 目的：提供MOS晶体管及其制造方法，以通过使用具有氧扩散阻挡间隔物的多栅极间隔物来防止氧的扩散。 构成：在具有栅极绝缘层（200）和栅电极（300）的基板（100）上形成栅极线（350）。 在栅极线的两个侧壁处形成氧扩散阻挡隔离物（430）。 形成内隔离物（510）以覆盖氧扩散阻挡间隔物的外侧壁。 外部间隔件（600）形成为覆盖内部间隔件的外侧壁，从而形成多个栅极间隔物。