公开(公告)号：KR1019990075407A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980009603

申请日：1998-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍문표

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는 게이트 절연층 상부에 형성되어 있는 수소화된 비정질 실리콘층, 도핑된 수소화된 비정질 실리콘층 및 금속막의 3층막을 연속으로 건식 식각한다. 이때의 기체로는 게이트 절연층과 비정질 실리콘층 사이에 우수한 식각 선택비를 가지는 염소 계열의 기체로서, Cl
2 +O
2 를 사용하며, 3층막의 프로파일(profile)을 완만하게 형성하기 위해서 등방성으로 식각이 진행되는 SF
6 +O
2 기체를 추가로 사용할 수도 있다. 또한, ITO막, 금속막 및 도핑된 비정질 실리콘층의 3층막을 연속적으로 건식 식각하여 채널부를 형성한다. 이때, 투명 도전층 및 금속막은 HBr+Cl
2 +O
2 기체를, 도핑된 비정질 실리콘층은 SF
6 +Cl
2 기체를 이용하여 두 단계로 나누어 식각하는데, 채널부를 균일하게 형성하기 위하여 금속막과 비정질 실리콘층 사이에 식각 선택비를 가지는 SF
6 +O
2 기체를 이용하여 금속막을 식각하여 3단계로 나누어 식각할 수도 있다. 또한, 금속막과 도핑된 비정질 실리콘층 사이의 식각 선택비를 10:1 이상으로 하여 도핑된 비정질 실리콘층의 균일성을 95% 이상으로 확보하기 위해서는 금속막과 도핑된 비정질 실리콘층 사이에 식각 저지층을 추가로 형성하고 네 단계로 나누어 건식 식각을 연속적으로 실시할 수 있다. 여기서, 식각 저지층은 크롬 실리사이드를 사용하며, 크롬 실리사이드를 식각하기 위해 추가로 사용되는 기체는 Cl
2 +O
2 이다.

公开(公告)号：KR1019990066664A

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019980002824

申请日：1998-02-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류춘기 ,  홍문표 ,  김상갑

IPC: H01L29/786

Abstract: 기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 절연막을 덮은 후 비정질 규소층과 도핑된 비정질 규소층을 형성한다. 도핑된 비정질 규소층 위에 몰리브덴과 텅스텐의 합금으로 소스 전극과 드레인 전극을 형성하고 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각한다. 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각할 때에는 소스 전극과 드레인 전극 또는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 데 이용된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각하고, 건식 식각용 기체로는 HCl + CF
4 를 사용한다. 도핑된 비정질 규소층을 식각한 다음, 인 시튜로 헬륨 플라스마 공정을 실시한다. 이렇게 하면 박막 트랜지스터의 온(on) 상태에서의 전류 특성을 유지하면서 애싱 공정에서 열화된 오프(off) 상태의 전류 특성을 회복할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990025891A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970047731

申请日：1997-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장수 ,  홍문표

IPC: H01L21/768

Abstract: 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 단일막 또는 이들의 조합으로 이루어진 이중막을 이용하여 액정 표시 장치의 게이트 배선, 게이트 전극, 게이트 패드의 게이트 패턴과 데이터 배선, 데이터 패드 및 소스/드레인 전극의 데이터 패턴을 형성한다. 이때, 게이트 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드 상부에 포토 레지스트를 마스크로 하여 접촉 구멍을 동시에 형성한다. 보호막만이 형성되어 있는 부분과 보호막/게이트 절연층이 형성되어 있는 부분을 동시에 건식 식각할 때 다음 세가지 방법이 적용된다. 첫째로 O
2 +CF
4 가스만으로 몰리브덴-텅스텐 합금막을 노출시키는 1단계 식각 방법, 둘째로 SF
6 +HCl 조건으로 부분 식각을 실시한 후 나머지 부분을 O
2 +CF
4 로 마무리하는 2단계 식각 방법, 마지막으로 SF
6 +HCl 또는 O
2 +CF
4 가스로 부분 식각한 후 4불화탄소(CF
4 )와 수소(H
2 ) 또는 염화수소(HCl)의 가스를 이용하여 플라스마 상태에서 폴리머를 형성한 다음 O
2 +CF
4 가스로 마무리하는 3단계 건식 식각 방법이 있다. 이때, SF
6 +HCl 가스는 몰리브덴-텅스텐 합금막과 보호막에 대한 식각 프로파일을 좋게 하며, O
2 +CF
4 가스는 몰리브덴-텅스텐 합금막에 대한 식각비가 매우 작기 때문에 몰리브덴-텅스텐 합금막이 식각되는 것을 방지하며, 고분자막은 측면부로 식각되는 것을 방지한다. 여기서, 몰리브덴 텅스텐 합금막의 식각을 최소화하기 위해서 CF
4 와 O
2 의 비율은 10:4 이하로 하는 것이 적합하다.

公开(公告)号：KR101152142B1

公开(公告)日：2012-06-15

申请号：KR1020050050438

申请日：2005-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장재혁 ,  홍문표 ,  노남석 ,  박대진

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1248

Abstract: A manufacturing method of an LCD comprises forming an insulating substrate; forming a gate line extending in a horizontal direction and a data line insulatively crossing the gate line to define a pixel area on the insulating substrate; forming a TFT disposed at an intersection of the gate line and the data line and comprising a drain electrode; forming an organic passivation layer on the TFT; forming a drain contact hole exposing the drain electrode and forming an embossing pattern in the organic passivation layer by disposing and pressurizing a mold having an intaglio pattern corresponding to the pixel area and a projection corresponding to the drain electrode on the organic passivation layer; and forming a pixel electrode connected to the drain electrode through the drain contact hole.

公开(公告)号：KR101122231B1

公开(公告)日：2012-03-19

申请号：KR1020040108171

申请日：2004-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김보성 ,  류민성 ,  홍문표

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3244

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는, 절연 기판 위에 데이터선을 형성하고, 데이터선을 덮는 층간 절연막을 형성한 다음, 층간 절연막 상부에 게이트선을 형성한다. 이어, 게이트선을 덮으며, 데이터선을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연층을 형성하고, 그 위체 접촉 구멍을 통하여 데이터선과 연결되는 소스 전극과 드레인 전극을 가지는 화소 전극을 형성한다. 이어, 유기 반도체를 형성하고, 유기 반도체 위에 절연체를 형성한다.
반도체, 유기, 박막 트랜지스터, 데이터선, 게이트선

公开(公告)号：KR101112541B1

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020040093561

申请日：2004-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류민성 ,  서종현 ,  홍문표

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0545

Abstract: 우선 절연 기판 위에 게이트선을 형성하고, 게이트선을 덮는 유기 절연 물질의 게이트 절연층을 형성한다. 이어, 게이트 절연층 위에 상온에서 비정질의 ITO막을 적층하고 감광막 패턴을 이용한 습식 식각 공정으로 패터닝하여 데이터선 및 드레인 전극을 형성한다. 이때, 식각액은 크롬 식각액을 이용한다. 이어, 감광막 패턴을 제거한 다음, 어닐링 공정을 실시하여 비정질의 ITO막을 준 결정화한다. 이어, 유기 반도체를 형성한 다음 드레인 전극을 노출하는 접촉구를 가지는 보호막을 형성하고, 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
반도체, 유기, 박막 트랜지스터, ITO, 준결정화, 비정질

公开(公告)号：KR101100394B1

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020040073804

申请日：2004-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상일 ,  홍문표 ,  홍왕수 ,  양영철 ,  최정예

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02B5/201 ,  G02B5/3083 ,  G02F1/133555 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/133633 ,  G02F2201/48 ,  G02F2413/09

Abstract: 반사투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다. 액정 표시 장치는 반사부와 투과부를 포함하는 다수의 픽셀이 정의된 한쌍의 기판, 한쌍의 기판 중 어느 한쪽에 구비되고 한쪽 면에 단차가 형성되어 있는 컬러 필터, 컬러 필터의 단차를 평탄화시키고 반사부와 투과부에서의 위상차가 서로 상이한 위상차층 및 기판 사이에 협지된 액정층을 포함한다. 이러한 액정 표시 장치의 제조 방법을 또한 제공한다.
컬러 필터, 위상차층, 이층 구조, 패턴

公开(公告)号：KR100929677B1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020030020462

申请日：2003-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철우 ,  홍문표 ,  최정예 ,  송근규 ,  정호용 ,  노남석 ,  노수귀

IPC: G09G3/36

Abstract: PURPOSE: A four color liquid crystal display and its driving method are provided to increase external space resolution as maintaining a uniform cell gap of the four color liquid crystal display. CONSTITUTION: A liquid crystal panel assembly(300) includes a plurality of device sub pixels having an organic filter in one type of red, blue, green and transparent color. A signal converter unit converts a three color input image signal expressed as an image pixel spatially into a four color image signal. And a data driver unit(200) supplies an image signal from the signal converter unit to the device sub pixel as a data voltage.

Abstract translation: 目的：提供四色液晶显示器及其驱动方法，以增加外部空间分辨率，从而保持四色液晶显示器的均匀单元间隙。 构成：一种液晶面板组件（300）包括多个装置子像素，该多个装置子像素具有一种红，蓝，绿和透明颜色的有机滤光器。 信号转换器单元将空间上表示为图像像素的三色输入图像信号转换为四色图像信号。 并且数据驱动器单元（200）将来自信号转换器单元的图像信号作为数据电压提供给器件子像素。

公开(公告)号：KR100920356B1

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：KR1020030034383

申请日：2003-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노남석 ,  홍문표

IPC: G02F1/133

Abstract: 하부 기판, 하부 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선, 하부 기판 위에 형성되어 있으며 제1 신호선과 나란하게 형성되어 있는 제2 신호선, 제1 신호선 및 제2 신호선과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 다이오드, 하부 기판 위에 형성되어 있으며 제1 및 제2 다이오드와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 다이오드 표시판; 하부 기판과 대향하고 있는 상부 기판, 하부 기판 위에 형성되어 있는 색 필터, 색 필터 위에 형성되어 있으며 제1 및 제2 신호선과 교차하는 데이터 전극선을 포함하는 색 필터 표시판; 박막 다이오드 표시판과 색 필터 표시판 사이에 주입되어 있는 액정층을 포함하고 화소 전극에 대응되는 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소 및 흰색 화소로 이루어지는 도트가 연속적으로 배열되어 있는 액정 표시 장치.
DSD, MIM, 박막다이오드, 액정표시장치, RGBW

公开(公告)号：KR100864488B1

公开(公告)日：2008-10-20

申请号：KR1020010079422

申请日：2001-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍문표 ,  홍완식 ,  노남석 ,  정규하 ,  채종철

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는, 행 방향으로는 적, 녹, 청 화소가 순차적으로 배열되어 있으며, 열 방향으로는 적 및 녹 화소가 교대로 배열되어 있으며, 청 화소는 이웃하는 적 및 녹 화소 열의 사이에서 두 화소 행에 대하여 하나씩 배열되어 있으며, 청 화소에 이웃하는 적 및 녹의 네 화소는 청 화소를 중심으로 마주하여 배치되어 있다. 이때, 가로 방향으로는 화소 행에 대하여 각각 배치되어 화소에 주사 신호 또는 게이트 신호를 전달하는 게이트선이 형성되어 있으며, 세로 방향으로는 게이트선과 절연 교차하여 배치되어 데이터 신호를 전달하며 화소 열에 대하여 각각 데이터선이 형성되어 있다. 또한, 각각의 화소에는 화소 전극 및 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극 및 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 여기서, 소정의 단위로 서로 이웃하는 적 또는 녹 화소 열의 데이터선은 서로 교차되어 화상 신호를 전달하며, 두 청 화소 열에 화상 신호를 전달하는 데이터선은 서로 연결되어 있다. 또한, 화소 전극과 게이트선 및 데이터선은 서로 중첩되어 있으며, 이들 사이에는 낮은 유전율을 가지는 유기 물질 또는 SiOC 또는 SiOF 등의 절연 물질로 이루어진 보호막이 형성되어 있다.
화소, 도트, 펜타일, 패드,

Abstract translation: 在根据本发明的液晶显示装置中，红色，绿色，和蓝色的像素被布置在列方向序列的行方向排列有在以往和绿色像素交替，和蓝色像素邻居敌人和绿色像素 一行布置在列之间的两个像素行，并且四个红色像素和与蓝色像素相邻的绿色像素被布置为围绕蓝色像素彼此面对。 此时，在水平方向布置成相对于所述像素行，并且形成用于传送扫描信号或栅极信号到像素的栅极线，如设置为跨过绝缘栅线，并传递数据信号，并且作为热像素的纵向方向 数据线形成。 在每个像素中，形成包括连接到像素电极和栅极线的栅电极，连接到数据线的源电极和连接到像素电极的漏电极的薄膜晶体管。 在这里，表达或在预定的单元彼此相邻的绿色像素列数据线中的数据线彼此交叉传递图像信号，并传输图像信号序列中的两个蓝色像素连接至彼此。 此外，它是象素电极与栅极线和数据线相互重叠，并在它们之间有由绝缘材料制成的保护膜，例如由有机材料或一的SiOC或的SiOF形成具有低的介电常数。