公开(公告)号：KR101001963B1

公开(公告)日：2010-12-17

申请号：KR1020030030790

申请日：2003-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영훈 ,  김장수 ,  류혜영

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/1345

Abstract: 제조 공정을 단순화시키고, 제조 원가를 감소시킨 액정표시장치가 개시되어 있다. 화소전극을 갖는 제 1 기판 및 제 1 기판의 화소전극과 마주보며 공통 전극이 형성된 제 2 기판의 사이에 절연체 및 상기 제 1 기판으로 인가된 공통전압을 공통전극으로 인가하기 위해 절연체를 덮는 도전체가 개재된다. 절연체는 제 1 기판 및 제 2 기판 중 어느 하나에 형성되는 컬러필터를 형성하는 과정 중 함께 형성하거나, 제 1 기판과 제 2 기판의 셀 갭을 유지하기 위한 기둥형 스페이서로 사용할 수 있다. 이로써, 금 스페이서 등을 이용하여 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 공통전압을 인가하는 것 보다 제조 공정이 간단하며, 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 공통전압을 인가하기 위한 제조 비용을 크게 단축시킬 수 있는 장점을 갖는다.
액정표시장치, 화소전극, 공통전극

公开(公告)号：KR100984363B1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：KR1020040022054

申请日：2004-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장수 ,  추민형

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/1393 ,  G02F1/1337 ,  G02F2001/133776

Abstract: 본 발명의 액정 표시 장치는, 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 형성된 게이트 배선, 상기 게이트 배선 위로 형성된 데이터 배선, 상기 게이트 배선의 일부 및 상기 데이터 배선의 일부와 연결된 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 형성된 도메인 형성 수단, 상기 도메인 형성 수단 상에 형성된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판과; 제2 베이스 기판, 상기 제2 베이스 기판 상에 형성된 공통 전극, 상기 공통 전극 상에 형성되며 서로 다른 높이를 갖는 제1 돌기 및 제2 돌기를 포함하는 돌기 패턴, 상기 돌기 패턴 상에 형성된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판과; 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 개재된 액정을 포함한다.
수직 배향 모드, 광시야각, 도메인, 돌기, 슬릿 노광

公开(公告)号：KR100961948B1

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020030048288

申请日：2003-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정채우 ,  김장수 ,  김시열 ,  최재호

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 반도체층 위에 형성되어 있는 데이터선 및 드레인 전극, 데이터선 및 드레인 전극 위에 형성되어 있는 보호막, 보호막 위에 형성되어 있는 색필터, 색필터 위에 형성되어 있으며 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 반도체층의 채널부 위에 적색필터, 녹색필터 및 청색필터가 적층되어 있는 채널 광차단층이 형성되어 있고, 상기 화소 전극이 형성되어 있는 화소 영역의 주변부에 적색필터, 녹색필터 및 청색필터가 적층되어 있는 테두리 광차단층이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.
블랙매트릭스, 색필터, 광차단층

公开(公告)号：KR1020090080786A

公开(公告)日：2009-07-27

申请号：KR1020080006751

申请日：2008-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  오민석 ,  정유광 ,  박홍식 ,  김시열 ,  김장수 ,  최신일

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L21/02068 ,  H01L27/1214

Abstract: A manufacturing method of an array substrate is provided to minimize damage to a fine pattern. A gate line(122) and a gate electrode(124) are formed on a base substrate(110). A source metal layer(150) is formed on the base substrate on which the gate line and the gate electrode are formed. A data line(155), a source electrode(157), and a drain electrode(158) are formed by etching the source metal layer. The data line intersects with the gate line. The source electrode is connected to the data line. The drain electrode is isolated from the source electrode. An additive gas is provided on the base substrate on which the drain electrode is formed. An etching component of an etching gas reacts to the source metal layer. A by-product formed on each side wall of the data line, the source electrode, and the drain electrode is removed. A pixel electrode is contacted with the drain electrode.

Abstract translation: 提供阵列基板的制造方法以最小化对精细图案的损伤。 栅基线（122）和栅电极（124）形成在基底（110）上。 源极金属层（150）形成在其上形成有栅极线和栅电极的基底基板上。 通过蚀刻源极金属层形成数据线（155），源极（157）和漏极（158）。 数据线与栅极线相交。 源电极连接到数据线。 漏电极与源电极隔离。 在形成有漏电极的基底基板上设置有添加气体。 蚀刻气体的蚀刻成分与源极金属层反应。 除去形成在数据线，源电极和漏电极的每个侧壁上的副产物。 像素电极与漏电极接触。

公开(公告)号：KR1020080086730A

公开(公告)日：2008-09-26

申请号：KR1020070028785

申请日：2007-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신경주 ,  김시열 ,  김장수

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2203/30 ,  G09G2320/0242

Abstract: A display substrate and a display apparatus having the same are provided to change a parasite capacitor by adjusting an overlapped area of source and gate wires based on red, green, and blue pixels for removing errors of kick back voltages of the pixels and solving color shift problems which are caused by a color coordinate change of a low gray scale. A display substrate(100) comprises a pixel layer(110), a color filter layer(120), and a pixel electrode(130). The pixel layer is on a transparent insulating substrate(140). The insulating substrate is made of glass or plastic. The pixel layer includes red, green, and blue pixel parts. The pixel layer has gate and data wires, and storage electrodes(STE1,STE2,STE3). The gate wire is formed on the insulating substrate and includes a gate line and a gate electrode(GE) which is connected with the gate line. A gate insulating layer(113) is formed on the insulating substrate. An active layer(AC) includes a semiconductor layer(114) and an ohmic contact layer(115). The color filter layer is on a protective layer(116) and includes red, green, and blue color filters(RCF,GCF,BCF). A storage hole(STH) is on the color filter layer to form a storage capacitor.

Abstract translation: 通过调整基于红色，绿色和蓝色像素的源极和栅极布线的重叠面积来改变寄生电容器以改变显示基板及其显示装置，以消除像素的反冲电压的误差并解决色彩偏移 由低灰度的颜色坐标变化引起的问题。 显示基板（100）包括像素层（110），滤色器层（120）和像素电极（130）。 像素层位于透明绝缘基板（140）上。 绝缘基板由玻璃或塑料制成。 像素层包括红色，绿色和蓝色像素部分。 像素层具有栅极和数据线，以及存储电极（STE1，STE2，STE3）。 栅极线形成在绝缘基板上，并且包括与栅极线连接的栅极线和栅电极（GE）。 在绝缘基板上形成栅绝缘层（113）。 有源层（AC）包括半导体层（114）和欧姆接触层（115）。 滤色器层位于保护层（116）上并且包括红色，绿色和蓝色滤色器（RCF，GCF，BCF）。 存储孔（STH）在滤色器层上形成存储电容器。

公开(公告)号：KR100720092B1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：KR1020000058289

申请日：2000-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽진오 ,  김장수 ,  이경은

IPC: G02F1/136

Abstract: 상부 기판과 하부 기판은 액정 물질을 가두며 화면 표시부 밖의 둘레에 형성되어 있는 봉인재에 의해 고정되어 있으며, 상부 기판)과 하부 기판의 간격은 돌기의 상부에 위치하는 간격 지지재 또는 스페이서에 의해 유지되고 있다. 따라서, 원하는 두 기판의 간격을 얻기 위해서는 돌기의 높이를 고려하여 스페이서를 선택해야 하며, 제조 공정에서 두 기판 중 하나에 원하는 액정 셀의 간격보다 작은 직경을 가지는 스페이스를 산포하는 것이 바람직하다. 여기서, 두 기판의 간격은 산포전 스페이서의 직경 크기와 돌기의 높이를 합한 값에서 제조 공정에서 압력에 의해 스페이서의 눌림으로 인하여 감소한 값(약 (0.5±0.3)을 뺀 값이 되어, 액정 셀의 간격(d)은 3-5㎛ 범위에서 {r+t-(0.5±0.3)}의 식을 만족하는 값을 가지게 된다. 여기서, r은 스페이서(400)의 직경이다.
액정 셀, 스페이서, 돌기, 배향, 도메인, 시야각

公开(公告)号：KR1020070017784A

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：KR1020050072366

申请日：2005-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정민 ,  김장수 ,  이희국

IPC: H01L21/32

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765

Abstract: A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming at least one etch target film on a substrate, forming a first reflowable etch mask on the at least one etch target film, patterning the etch target film using the first reflowable etch mask. The method further includes reflowing the first reflowable etch mask to form a second etch mask and patterning the etch target film using the second etch mask.

Abstract translation: 提供了一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成至少一个蚀刻目标膜，在至少一个蚀刻目标膜上形成第一可回流蚀刻掩模，使用第一可回流蚀刻掩模图案化蚀刻目标膜。 该方法还包括回流第一可回流蚀刻掩模以形成第二蚀刻掩模并使用第二蚀刻掩模图案化蚀刻目标膜。

公开(公告)号：KR100670057B1

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1019990061035

申请日：1999-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장수

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판 위에 게이트선이 링 모양으로 형성되어 있고, 게이트선과 같은 층에 용장 데이터선 절편이 세로 방향으로 형성되어 있다. 게이트선과 용장 데이터선 절편의 위에는 게이트 절연막이 형성되어 있고, 게이트 절연막 위에는 데이터선이 세로 방향으로 용장 데이터선 절편과 중첩되도록 형성되어 있다. 데이터선의 위에는 보호막이 형성되어 있고, 보호막의 위에는 ITO로 이루어진 화소 전극과 용장 데이터선 연결편이 형성되어 있다. 용장 데이터선 연결편은 접촉구를 통하여 이웃하는 용장 데이터선 절편을 연결하고 있다. 이 때, 용장 데이터선 연결편은 'S'자 또는 ']' 모양으로 형성되어 있어서 데이터선은 용장 데이터선 연결편이나 절편과 중첩되지 않는 부분을 가지며, 데이터선과 중첩되어 있는 용장 데이터선 절편의 일부는 절단되어 있다. 이상과 같은 구조로 박막 트랜지스터 기판을 제조하면 데이터선의 단선이나 다른 배선과의 단락에 의한 불량을 그 수에 관계없이 수리할 수 있다.
액정표시장치. 데이터선단락, 수리, 용장데이터선, 레이저

公开(公告)号：KR1020060111753A

公开(公告)日：2006-10-30

申请号：KR1020050034072

申请日：2005-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한경태 ,  김장수

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

Abstract: A TFT display panel is provided to eliminate the necessity of an additional photolithography process for forming a pixel electrode by simultaneously forming a pixel electrode and a contact hole for connecting a drain electrode to the pixel electrode. A gate line is formed on a substrate. A first insulation layer is formed on the gate line. A semiconductor layer is formed on the first insulation layer. A data line(171), a drain electrode(175) and a storage capacitor conductor(177) are formed on the semiconductor layer. A second insulation layer is deposited on the data line, the drain electrode and the storage capacitor conductor. A first photoresist layer pattern is formed on the second insulation layer. By using the photoresist layer pattern as a mask, the second insulation layer is eliminated to expose the data line, a part of the storage capacitor conductor, and a part of the first insulation layer. The exposed data line and the exposed storage capacitor conductor are removed to expose a part of the semiconductor layer. The exposed semiconductor layer and the exposed first insulation layer are removed to expose a part of the substrate. A transparent conductive layer is deposited. The first photoresist layer pattern is removed to form a pixel electrode(190) connected to the data line, the drain electrode and the storage capacitor conductor. The photoresist layer pattern is formed by using a photomask including a light blocking region and a light transmission region.

Abstract translation: 提供TFT显示面板，以消除通过同时形成像素电极和用于将漏电极连接到像素电极的接触孔来形成像素电极的附加光刻处理的必要性。 在基板上形成栅极线。 在栅极线上形成第一绝缘层。 半导体层形成在第一绝缘层上。 数据线（171），漏电极（175）和辅助电容导体（177）形成在半导体层上。 第二绝缘层沉积在数据线，漏电极和存储电容器导体上。 在第二绝缘层上形成第一光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂层图案作为掩模，消除第二绝缘层以暴露数据线，存储电容器导体的一部分和第一绝缘层的一部分。 暴露的数据线和暴露的存储电容导体被去除以暴露半导体层的一部分。 去除暴露的半导体层和暴露的第一绝缘层以露出衬底的一部分。 沉积透明导电层。 去除第一光致抗蚀剂层图案以形成连接到数据线，漏电极和存储电容器导体的像素电极（190）。 通过使用包括遮光区域和光透射区域的光掩模来形成光致抗蚀剂层图案。

公开(公告)号：KR100612992B1

公开(公告)日：2006-08-14

申请号：KR1019990063762

申请日：1999-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일곤 ,  김장수 ,  곽진오 ,  이석채

IPC: G02F1/136

Abstract: 가로 방향으로 다수의 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선과 교차하여 매트릭스 형태의 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있다. 각각의 화소 영역에는 데이터선을 통하여 화상 신호가 전달되는 화소 전극이 형성되어 있으며, 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에는 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극 및 접촉 구멍을 통하여 화소 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 또한, 게이트선과 동일한 층에는 가로 방향으로 뻗은 유지 전극선, 유지 전극선의 분지인 세로 방향의 유지 전극 및 서로 이웃하는 화소의 유지 전극을 연결하는 하나 이상의 유지 전극 연결부를 포함하는 유지 배선이 형성되어 있다. 또한, 세로 방향으로는 데이터선과 동일한 층으로 형성되어 있으며, 일단의 유지 전극선과 중첩되어 있으며 타단은 이웃하는 화소 행의 유지 배선 또는 게이트선과 중첩되어 있는 수리용 보조선이 형성되어 있다. 또한, 화소 전극과 동일한 층에서는 서로 이웃하는 화소 행의 유지 배선을 연결하는 유지 배선 연결부가 형성되어 있다. 이러한 본 발명의 구조에서는, 게이트선 또는 데이터선이 단선되는 경우에 단선된 배선과 유지 배선 및 수리용 보조선을 단락시켜 배선의 단선을 용이하게 수리할 수 있다.
게이트선, 화소전극, 유지 전극성