公开(公告)号：KR1020060023715A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：KR1020040072534

申请日：2004-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 강윤호 ,  김장섭 ,  김낙중 ,  송상엽 ,  박경희 ,  김병주

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02B5/201 ,  G02B5/223

Abstract: 제조 공정을 단순화하기 위한 블랙 매트릭스 제조방법 및 이를 갖는 컬러필터 기판의 제조방법이 개시된다. 마스터 패턴을 갖는 마스터 몰드를 형성하고, 마스터 몰드를 이용하여 워킹 패턴을 갖는 워킹 몰드를 형성한다. 이어, 워킹 몰드를 기판 상에 위치시키고, 워킹 패턴 사이로 블랙 매트릭스 형성물질을 채운 후 워킹 패턴 사이로 채워진 블랙 매트릭스 형성물질을 경화시킨 후 워킹 몰드를 제거함에 따라 블랙 매트릭스가 형성된다. 따라서, 마이크로 트랜스퍼 몰딩 방법에 의해 워킹 몰드를 형성하고, 진공 충진 방법에 의해 워킹 패턴 사이로 유기 BM 물질을 균일하게 채운후 경화시킴에 의해 블랙 매트릭스를 형성할 수 있어, 제조 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐만 아니라 대량 생산이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020060014510A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063068

申请日：2004-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장섭 ,  김병주 ,  강윤호 ,  권성규

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/133514 ,  B41J2/135 ,  G02B5/201 ,  G02B5/223 ,  G02F1/133516

Abstract: 컬러필터 형성영역에 분사되는 컬러 잉크를 정확하게 조절할 수 있는 컬러필터 형성장치 및 방법이 개시된다. 제1 분사유닛은 제1 분사량에 상응하는 컬러필터 형성을 위한 컬러 잉크를 기판 상에 분사하여 컬러필터 형성영역을 일부 채우는 1차 인쇄를 수행하고, 제2 분사유닛은 1차 인쇄된 기판 상에 제2 분사량에 상응하는 컬러 잉크를 분사하여 컬러필터 형성영역을 완전하게 채우는 2차 인쇄를 수행한다. 따라서, 제1 분사유닛에 의해 R,G,B 서브 화소에 컬러 잉크를 대략적으로 채운 후 제2 분사유닛에 의해 R,G,B 서브 화소에 나머지 컬러 잉크를 채우므로, R,G,B 서브 화소에 정확한 양의 R,G,B 컬러 잉크를 채울 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050061765A

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：KR1020030093168

申请日：2003-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/029 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/021

Abstract: 본 발명은 기상의 입자 제조방법에 의하여 10nm 내지 1000nm의 에어로졸 상태의 입자를 제조하고, 그 에어로졸 상태의 입자에 레이저 빔을 가하여 어블레이션(ablation)시킴으로써 나노입자를 제조하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050039985A

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020030075086

申请日：2003-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  배동호 ,  김장섭

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0007 ,  C07D303/24 ,  C07D407/14 ,  C08G59/245 ,  G03F7/038

Abstract: 에폭시기 및 찰콘(chalcone)기를 가지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 기재되어 있다. 상기 화합물은 열경화 작용을 하는 에폭시기 및 광경화 작용을 하는 찰콘기를 모두 가지므로 경화 효율이 높다. 따라서 상기 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하면 잔사가 감소한다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물로 형성된 컬러 필터 패턴은 색재현율이 우수하고 휘도가 높다.
[화학식 1]

식 중, n은 1 내지 10000의 정수이고, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 각각 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 니트로기를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1020030079180A

公开(公告)日：2003-10-10

申请号：KR1020020018025

申请日：2002-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호

IPC: H01L29/775 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7613 ,  Y10S977/937

Abstract: PURPOSE: A single electron transistor is provided to be capable of achieving mass production at room temperature by using nano particles. CONSTITUTION: The first insulating layer(11) is formed on a substrate(9). A gate electrode(15) having stripe shape is formed on the first insulating layer(11). The second insulating layer(13) having topology is formed on the first insulating layer and the gate electrode. The first and second electrode(17,19) are adjacent to each other between a groove exposed to the second insulating layer. Nano particles(10) as a channel are connected with the first and second electrode(17,19).

Abstract translation: 目的：提供单电子晶体管，以便能够通过使用纳米颗粒在室温下实现批量生产。 构成：第一绝缘层（11）形成在基板（9）上。 具有条形的栅电极（15）形成在第一绝缘层（11）上。 具有拓扑结构的第二绝缘层（13）形成在第一绝缘层和栅电极上。 第一和第二电极（17,19）在暴露于第二绝缘层的沟槽之间彼此相邻。 作为通道的纳米颗粒（10）与第一和第二电极（17,19）连接。

公开(公告)号：KR101291222B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020070122737

申请日：2007-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철규 ,  강윤호 ,  김기준

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: 상변화 메모리 소자의 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 본 발명의 동작 방법은 상변화층 및 상기 상변화층에 전압을 인가하는 수단을 포함하는 상변화 메모리 소자의 동작 방법에 있어서, 상기 상변화층에 리세트 전압을 인가하되, 상기 리세트 전압은 연속 인가되는 적어도 두 개의 펄스 전압을 포함하는 상변화 메모리 소자의 동작 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101171177B1

公开(公告)日：2012-08-06

申请号：KR1020040108138

申请日：2004-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 강윤호 ,  박춘호 ,  김경아 ,  김길래 ,  박찬석 ,  권성규 ,  김장섭 ,  김병주

IPC: C09D11/30 ,  C09D11/326 ,  C09D11/38 ,  G02B5/20

Abstract: 본 발명은 경화성 바인더, 모노머, 중합 개시제, 안료 및 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(DPMA)를 함유하는 용제를 포함하며, 안료와의 분산성이 우수하며 잉크젯 프린팅시 헤드의 오염이 적어 노즐 막힘 현상이 없는 피에조(Piezo) 방식의 잉크젯 잉크 조성물을 제공하며, 또한 상기 잉크 조성물을 이용하여 우수한 색순도 및 균일한 패턴 형성이 가능한 컬러 필터를 제공한다.
컬러 필터, 피에조, 잉크젯, DPMA, 헤드, 노즐

公开(公告)号：KR1020090100186A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：KR1020080032382

申请日：2008-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장섭 ,  강윤호 ,  배양호 ,  윤필상 ,  정창오 ,  임순권 ,  박홍식 ,  닝홍롱 ,  김도현 ,  정승재

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76871

Abstract: PURPOSE: A method of forming a metal line is provided to prevent the waste of the metal material not by forming the metallic thin film at the upper part of the photoresist pattern in the seed layer formation. CONSTITUTION: The photoresist pattern(20) is formed at the upper part of the substrate(10). The trench(30) is formed on a substrate by etching the photoresist pattern as a mask. The seed layer is formed by applying the fluidized material in a metal within the trench. The metal layer is formed on the seed layer. A part of the photosensitive pattern becomes hydrophobic. The fluidized material contained in a metal includes the metal aerosol.

Abstract translation: 目的：提供形成金属线的方法，以防止金属材料的浪费不是通过在种子层形成中在光致抗蚀剂图案的上部形成金属薄膜。 构成：在基板（10）的上部形成有光致抗蚀剂图案（20）。 通过蚀刻作为掩模的光致抗蚀剂图案，在基板上形成沟槽（30）。 种子层通过将流化材料施加在沟槽内的金属中而形成。 金属层形成在种子层上。 感光图案的一部分变得疏水。 包含在金属中的流化材料包括金属气溶胶。

公开(公告)号：KR1020090019524A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：KR1020070084032

申请日：2007-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철규 ,  강윤호 ,  이태연

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change random access memory and manufacturing method for the same is provided to improve data integrity by using phase change material having the relatively low crystallization temperature as the storage node. In a phase change random access memory and manufacturing method for the same, a bottom electrode contact layer is formed on the region of the bottom electrode(11). An insulating layer(12) is formed on the side of the bottom electrode contact layer(13) side. A phase-change layer(14) is formed on the bottom electrode contact layer and the insulating layer and is composed of a phase change material in which the crystallization temperature is 100 or 150 Celsius. The top electrode(15) is formed on the phase-change layer. The phase-change layer is formed of the material having the crystallization time of 1 or 50nS.

Abstract translation: 提供了相变随机存取存储器及其制造方法，以通过使用具有相对低的结晶温度的相变材料作为存储节点来提高数据完整性。 在相变随机存取存储器及其制造方法中，底电极接触层形成在底电极（11）的区域上。 绝缘层（12）形成在底电极接触层（13）侧的一侧。 在底部电极接触层和绝缘层上形成相变层（14），其结晶温度为100℃或150℃的相变材料构成。 上电极（15）形成在相变层上。 相变层由结晶时间为1或50nS的材料形成。

公开(公告)号：KR1020090014603A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：KR1020070078670

申请日：2007-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y10/00 ,  H01L45/141

Abstract: A memory device comprising resistive material layer and methods is provided to reduce the contact area between the resistance material layer and the bottom electrode by using the minute a nano-wire as the bottom electrode. A memory device comprises a storage node(S1) and switching element(300) connected to the storage node. The storage node comprises the conductive nano-wire(210), a resistance material layer(220) and an electrode(230). The conductive nano-wire is on the substrate(200) parallel with the substrate. The resistance material layer is formed in a part phase of the nano-wire, and the electrode is formed on the resistance material layer. The switching element is the diode equipped on the electrode.

Abstract translation: 提供包括电阻材料层和方法的存储器件，通过使用纳米线作为底部电极来减小电阻材料层和底部电极之间的接触面积。 存储器件包括连接到存储节点的存储节点（S1）和开关元件（300）。 存储节点包括导电纳米线（210），电阻材料层（220）和电极（230）。 导电纳米线在与衬底平行的衬底（200）上。 电阻材料层形成在纳米线的部分相中，电极形成在电阻材料层上。 开关元件是装在电极上的二极管。