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    전자식 편광필터, 이를 포함하는 전자장치 및 그 동작방법
    75.
    发明公开
    전자식 편광필터, 이를 포함하는 전자장치 및 그 동작방법 审中-实审
    电子极化滤波器，电子设备包括相同

    公开(公告)号：KR1020170096813A

    公开(公告)日：2017-08-25

    申请号：KR1020160018538

    申请日：2016-02-17

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정석윤 ,  최병룡 ,  김동균 ,  남성현 ,  성영훈 ,  이상훈 ,  조양호

    IPC: G02F1/1335 ,  H04N17/00 ,  H04N17/06

    CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02F1/13 ,  G02F1/134309 ,  G02F2001/133548 ,  H04N5/2351 ,  H04N5/238

    Abstract: 전자식편광필터, 이를포함하는전자장치및 그동작방법에관해개시되어있다. 개시된전자식편광필터는입사광의편광각을제어하도록마련된액정패널을포함하고, 선편광특성을나타내도록마련된편광유닛을포함한다. 상기액정패널은제1 및제2 투명판과, 상기제1 투명판과상기제2 투명판사이에마련된제1 및제2 전극과, 상기제1 전극과상기제2 전극사이에구비된액정층을포함할수 있고, 상기입사광은상기제1 및제2 투명판중 바깥에구비된투명판에직접입사될수 있다. 상기편광유닛은수동형또는능동형편광유닛일수 있다.

    Abstract translation: 电子偏振滤光器，包括该电子偏振滤光器的电子装置及其操作方法。 所公开的电子偏振滤光器包括布置成控制入射光的偏振角的液晶面板，并且包括设置为呈现线性偏振特性的偏振单元。 液晶面板可以包括第一和第二透明板，设置在第一和第二透明板之间的第一和第二电极以及设置在第一和第二电极之间的液晶层。 入射光可以直接入射到设置在第一和第二透明板外侧的透明板上。 偏振单元可以是无源型或有源型偏振单元。

    플렉서블 반도체소자 및 그 제조방법
    78.
    发明公开
    플렉서블 반도체소자 및 그 제조방법 审中-实审
    柔性半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140027811A

    公开(公告)日：2014-03-07

    申请号：KR1020120093884

    申请日：2012-08-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 최준희 ,  최병룡 ,  김태호

    IPC: H01L33/30 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L31/03044 ,  B82Y20/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/047 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    Abstract: Disclosed are a flexible semiconductor device and a method of manufacturing the same. The disclosed flexible semiconductor device may include at least one vertical semiconductor element that is embedded in a flexible material layer. The flexible semiconductor device may further include a first electrode formed on a first surface of the flexible material layer and a second electrode formed on a second surface of the flexible material layer. The disclosed method of manufacturing the flexible semiconductor device may include the step of separating the flexible material layer, in which the vertical semiconductor element is embedded, from a substrate by weakening or degrading an adhesive force between an under layer and a buffer layer by using a difference in coefficients of thermal expansion of the under layer and the buffer layer.

    Abstract translation: 公开了一种柔性半导体器件及其制造方法。 所公开的柔性半导体器件可以包括嵌入在柔性材料层中的至少一个垂直半导体元件。 柔性半导体器件还可以包括形成在柔性材料层的第一表面上的第一电极和形成在柔性材料层的第二表面上的第二电极。 所公开的制造柔性半导体器件的方法可以包括以下步骤：通过使底层和缓冲层之间的粘合力的弱化或降低，将衬底中的垂直半导体元件的柔性材料层与衬底分离 底层和缓冲层的热膨胀系数差异。

    양자점 소자 제조 방법, 이에 의해 제조된 양자점 소자 및 양자점 소자의 전하 이동도 측정 방법
    79.
    发明公开
    양자점 소자 제조 방법, 이에 의해 제조된 양자점 소자 및 양자점 소자의 전하 이동도 측정 방법 审中-实审
    制造量子装置的方法，使用该量子装置的量子装置以及测量量子装置的电子移动性的方法

    公开(公告)号：KR1020140025161A

    公开(公告)日：2014-03-04

    申请号：KR1020120091475

    申请日：2012-08-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정대영 ,  조경상 ,  김태호 ,  최병룡

    IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

    CPC classification number: H01L33/005 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L31/035218 ,  H01L33/06 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0041

    Abstract: A method for manufacturing a quantum dot device includes the steps of: forming a first quantum dot solution with a plurality of quantum dots dispersed in a mixture solvent of a solvent and an anti-solvent; and forming a first quantum dot layer by natural evaporation after the first quantum dot solution is poured into a substrate structure. [Reference numerals] (S1) Step for preparing a substrate structure; (S2) Form a quantum dot solution with a plurality of quantum dots dispersed in a mixture solvent of a solvent and an anti-solvent;; (S3) Step for natural evaporation after the quantum dot solution is poured into the substrate structure

    Abstract translation: 一种制造量子点器件的方法包括以下步骤：形成具有分散在溶剂和反溶剂的混合溶剂中的多个量子点的第一量子点溶液; 以及在将第一量子点溶液倒入衬底结构之后通过自然蒸发形成第一量子点层。 （参考号）（S1）准备基板结构的工序; （S2）形成分散在溶剂和反溶剂的混合溶剂中的多个量子点的量子点溶液; （S3）将量子点溶液注入基板结构后进行自然蒸发的工序

    나노와이어 복합체 및 그의 제조방법
    80.
    发明公开
    나노와이어 복합체 및 그의 제조방법 有权
    纳米复合材料及其制备方法

    公开(公告)号：KR1020130139815A

    公开(公告)日：2013-12-23

    申请号：KR1020130147766

    申请日：2013-11-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 권순재 ,  이은경 ,  조경상 ,  최병룡 ,  이재호 ,  최성재 ,  한인택

    IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

    CPC classification number: B82B3/0095 ,  B82Y40/00

    Abstract: The present invention relates to a nanowire composite and a method for manufacturing the same, wherein the composite is characterized by comprising: a template including multiple hollow space channels; a nanowire formed within each chanel of the template; and a functional unit wherein a partial section of the template is removed such that a single nanowire or multiple nanowires are exposed. The nanowire composite of the present invention can be manufactured by simple processes in low costs and can be manufactured in a small size such that use development into a a resonator or varios sensors can be possible.

    Abstract translation: 纳米线复合材料及其制造方法技术领域本发明涉及一种纳米线复合体及其制造方法，其特征在于，包括：包含多个中空空间通道的模板; 在模板的每个chanel内形成的纳米线; 以及去除模板的部分部分使得单个纳米线或多个纳米线被暴露的功能单元。 本发明的纳米线复合材料可以通过简单的方法以低成本制造，并且可以以小尺寸制造，从而可以将共同体或各种变量传感器用于发展。

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