액정 표시 장치의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1019990086657A

    公开(公告)日:1999-12-15

    申请号:KR1019980019760

    申请日:1998-05-29

    Inventor: 홍문표

    Abstract: 하부막이 상부막에 대해 언더 컷된 이중막 구조의 게이트 전극을 마스크로 반도체 패턴의 전면에 n
    + 또는 p
    + 이온을 주입한다. 이 과정에서, 상부 게이트 전극 패턴과 대응되는 영역의 바깥 부분에 위치한 반도체 패턴은 고농도로 도핑되어 소스 및 드레인 영역이 되고, 게이트 전극과 대응되는 부분은 도핑되지 않은 채널 영역이 되며, 채널 영역과 소스 및 드레인 영역의 사이에 게이트 전극과 중첩되지 않으며 도핑되지 않은 오프 셋 영역이 형성된다. 필요에 따라, 게이트 전극의 상부막을 전면 식각으로 제거하고, 하부막을 마스크로 하여 n
    _ 또는 p
    _ 이온을 주입하여 소스 및 드레인 영역의 안쪽에 저농도 LDD 영역을 형성한다.

    박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1019990075407A

    公开(公告)日:1999-10-15

    申请号:KR1019980009603

    申请日:1998-03-20

    Inventor: 홍문표

    Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는 게이트 절연층 상부에 형성되어 있는 수소화된 비정질 실리콘층, 도핑된 수소화된 비정질 실리콘층 및 금속막의 3층막을 연속으로 건식 식각한다. 이때의 기체로는 게이트 절연층과 비정질 실리콘층 사이에 우수한 식각 선택비를 가지는 염소 계열의 기체로서, Cl
    2 +O
    2 를 사용하며, 3층막의 프로파일(profile)을 완만하게 형성하기 위해서 등방성으로 식각이 진행되는 SF
    6 +O
    2 기체를 추가로 사용할 수도 있다. 또한, ITO막, 금속막 및 도핑된 비정질 실리콘층의 3층막을 연속적으로 건식 식각하여 채널부를 형성한다. 이때, 투명 도전층 및 금속막은 HBr+Cl
    2 +O
    2 기체를, 도핑된 비정질 실리콘층은 SF
    6 +Cl
    2 기체를 이용하여 두 단계로 나누어 식각하는데, 채널부를 균일하게 형성하기 위하여 금속막과 비정질 실리콘층 사이에 식각 선택비를 가지는 SF
    6 +O
    2 기체를 이용하여 금속막을 식각하여 3단계로 나누어 식각할 수도 있다. 또한, 금속막과 도핑된 비정질 실리콘층 사이의 식각 선택비를 10:1 이상으로 하여 도핑된 비정질 실리콘층의 균일성을 95% 이상으로 확보하기 위해서는 금속막과 도핑된 비정질 실리콘층 사이에 식각 저지층을 추가로 형성하고 네 단계로 나누어 건식 식각을 연속적으로 실시할 수 있다. 여기서, 식각 저지층은 크롬 실리사이드를 사용하며, 크롬 실리사이드를 식각하기 위해 추가로 사용되는 기체는 Cl
    2 +O
    2 이다.

    박막 트랜지스터의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1019990066664A

    公开(公告)日:1999-08-16

    申请号:KR1019980002824

    申请日:1998-02-02

    Abstract: 기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 절연막을 덮은 후 비정질 규소층과 도핑된 비정질 규소층을 형성한다. 도핑된 비정질 규소층 위에 몰리브덴과 텅스텐의 합금으로 소스 전극과 드레인 전극을 형성하고 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각한다. 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각할 때에는 소스 전극과 드레인 전극 또는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 데 이용된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각하고, 건식 식각용 기체로는 HCl + CF
    4 를 사용한다. 도핑된 비정질 규소층을 식각한 다음, 인 시튜로 헬륨 플라스마 공정을 실시한다. 이렇게 하면 박막 트랜지스터의 온(on) 상태에서의 전류 특성을 유지하면서 애싱 공정에서 열화된 오프(off) 상태의 전류 특성을 회복할 수 있다.

    금속막과그위에절연층을포함하는반도체장치의제조방법
    74.
    发明公开
    금속막과그위에절연층을포함하는반도체장치의제조방법 有权
    一种半导体器件的制造方法,其中包括金属膜和绝缘层

    公开(公告)号:KR1019990025891A

    公开(公告)日:1999-04-06

    申请号:KR1019970047731

    申请日:1997-09-19

    Inventor: 김장수 홍문표

    Abstract: 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 단일막 또는 이들의 조합으로 이루어진 이중막을 이용하여 액정 표시 장치의 게이트 배선, 게이트 전극, 게이트 패드의 게이트 패턴과 데이터 배선, 데이터 패드 및 소스/드레인 전극의 데이터 패턴을 형성한다. 이때, 게이트 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드 상부에 포토 레지스트를 마스크로 하여 접촉 구멍을 동시에 형성한다. 보호막만이 형성되어 있는 부분과 보호막/게이트 절연층이 형성되어 있는 부분을 동시에 건식 식각할 때 다음 세가지 방법이 적용된다. 첫째로 O
    2 +CF
    4 가스만으로 몰리브덴-텅스텐 합금막을 노출시키는 1단계 식각 방법, 둘째로 SF
    6 +HCl 조건으로 부분 식각을 실시한 후 나머지 부분을 O
    2 +CF
    4 로 마무리하는 2단계 식각 방법, 마지막으로 SF
    6 +HCl 또는 O
    2 +CF
    4 가스로 부분 식각한 후 4불화탄소(CF
    4 )와 수소(H
    2 ) 또는 염화수소(HCl)의 가스를 이용하여 플라스마 상태에서 폴리머를 형성한 다음 O
    2 +CF
    4 가스로 마무리하는 3단계 건식 식각 방법이 있다. 이때, SF
    6 +HCl 가스는 몰리브덴-텅스텐 합금막과 보호막에 대한 식각 프로파일을 좋게 하며, O
    2 +CF
    4 가스는 몰리브덴-텅스텐 합금막에 대한 식각비가 매우 작기 때문에 몰리브덴-텅스텐 합금막이 식각되는 것을 방지하며, 고분자막은 측면부로 식각되는 것을 방지한다. 여기서, 몰리브덴 텅스텐 합금막의 식각을 최소화하기 위해서 CF
    4 와 O
    2 의 비율은 10:4 이하로 하는 것이 적합하다.

    액정표시장치의 제조방법
    75.
    发明授权
    액정표시장치의 제조방법 有权
    LIQIUD晶体DSPLL的制造方法

    公开(公告)号:KR101152142B1

    公开(公告)日:2012-06-15

    申请号:KR1020050050438

    申请日:2005-06-13

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/1248

    Abstract: A manufacturing method of an LCD comprises forming an insulating substrate; forming a gate line extending in a horizontal direction and a data line insulatively crossing the gate line to define a pixel area on the insulating substrate; forming a TFT disposed at an intersection of the gate line and the data line and comprising a drain electrode; forming an organic passivation layer on the TFT; forming a drain contact hole exposing the drain electrode and forming an embossing pattern in the organic passivation layer by disposing and pressurizing a mold having an intaglio pattern corresponding to the pixel area and a projection corresponding to the drain electrode on the organic passivation layer; and forming a pixel electrode connected to the drain electrode through the drain contact hole.

    유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
    76.
    发明授权
    유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 有权
    使用有机半导体的薄膜晶体管阵列及其制造方法

    公开(公告)号:KR101122231B1

    公开(公告)日:2012-03-19

    申请号:KR1020040108171

    申请日:2004-12-17

    CPC classification number: H01L27/283 H01L27/3244

    Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는, 절연 기판 위에 데이터선을 형성하고, 데이터선을 덮는 층간 절연막을 형성한 다음, 층간 절연막 상부에 게이트선을 형성한다. 이어, 게이트선을 덮으며, 데이터선을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연층을 형성하고, 그 위체 접촉 구멍을 통하여 데이터선과 연결되는 소스 전극과 드레인 전극을 가지는 화소 전극을 형성한다. 이어, 유기 반도체를 형성하고, 유기 반도체 위에 절연체를 형성한다.
    반도체, 유기, 박막 트랜지스터, 데이터선, 게이트선

    유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR101112541B1

    公开(公告)日:2012-03-13

    申请号:KR1020040093561

    申请日:2004-11-16

    CPC classification number: H01L51/105 H01L27/3244 H01L51/0545

    Abstract: 우선 절연 기판 위에 게이트선을 형성하고, 게이트선을 덮는 유기 절연 물질의 게이트 절연층을 형성한다. 이어, 게이트 절연층 위에 상온에서 비정질의 ITO막을 적층하고 감광막 패턴을 이용한 습식 식각 공정으로 패터닝하여 데이터선 및 드레인 전극을 형성한다. 이때, 식각액은 크롬 식각액을 이용한다. 이어, 감광막 패턴을 제거한 다음, 어닐링 공정을 실시하여 비정질의 ITO막을 준 결정화한다. 이어, 유기 반도체를 형성한 다음 드레인 전극을 노출하는 접촉구를 가지는 보호막을 형성하고, 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
    반도체, 유기, 박막 트랜지스터, ITO, 준결정화, 비정질

    4색 액정 표시 장치와 구동 방법
    79.
    发明授权
    4색 액정 표시 장치와 구동 방법 有权
    4색액정표시장치와구동방법

    公开(公告)号:KR100929677B1

    公开(公告)日:2009-12-03

    申请号:KR1020030020462

    申请日:2003-04-01

    Abstract: PURPOSE: A four color liquid crystal display and its driving method are provided to increase external space resolution as maintaining a uniform cell gap of the four color liquid crystal display. CONSTITUTION: A liquid crystal panel assembly(300) includes a plurality of device sub pixels having an organic filter in one type of red, blue, green and transparent color. A signal converter unit converts a three color input image signal expressed as an image pixel spatially into a four color image signal. And a data driver unit(200) supplies an image signal from the signal converter unit to the device sub pixel as a data voltage.

    Abstract translation: 目的:提供四色液晶显示器及其驱动方法,以增加外部空间分辨率,从而保持四色液晶显示器的均匀单元间隙。 构成:一种液晶面板组件(300)包括多个装置子像素,该多个装置子像素具有一种红,蓝,绿和透明颜色的有机滤光器。 信号转换器单元将空间上表示为图像像素的三色输入图像信号转换为四色图像信号。 并且数据驱动器单元(200)将来自信号转换器单元的图像信号作为数据电压提供给器件子像素。

    액정 표시 장치용 박막 다이오드 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
    80.
    发明授权
    액정 표시 장치용 박막 다이오드 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치 失效
    薄膜二极管面板用于液晶显示器和液晶显示器,包括面板

    公开(公告)号:KR100920356B1

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:KR1020030034383

    申请日:2003-05-29

    Inventor: 노남석 홍문표

    Abstract: 하부 기판, 하부 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선, 하부 기판 위에 형성되어 있으며 제1 신호선과 나란하게 형성되어 있는 제2 신호선, 제1 신호선 및 제2 신호선과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 다이오드, 하부 기판 위에 형성되어 있으며 제1 및 제2 다이오드와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 다이오드 표시판; 하부 기판과 대향하고 있는 상부 기판, 하부 기판 위에 형성되어 있는 색 필터, 색 필터 위에 형성되어 있으며 제1 및 제2 신호선과 교차하는 데이터 전극선을 포함하는 색 필터 표시판; 박막 다이오드 표시판과 색 필터 표시판 사이에 주입되어 있는 액정층을 포함하고 화소 전극에 대응되는 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소 및 흰색 화소로 이루어지는 도트가 연속적으로 배열되어 있는 액정 표시 장치.
    DSD, MIM, 박막다이오드, 액정표시장치, RGBW

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