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公开(公告)号：KR101046176B1
公开(公告)日：2011-07-04
申请号：KR1020080127211
申请日：2008-12-15
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층; 및 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층을 포함하는 반도체 메모리 소자를 제공한다.
본 발명에 의하면, 반도체 메모리 소자의 소형화에 따른 여러 가지 현상을 차단하여 고집적화된 투명하고 유연한 반도체 메모리 소자를 구현할 수 있다.
반도체 메모리 소자, 유연, 투명, 산화물 반도체, 쇼트키 장벽, 고집적Abstract translation: 本发明涉及使用氧化物半导体的半导体存储器件及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020100068750A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080127211
申请日：2008-12-15
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L29/42324 , H01L29/517 , H01L29/66825 , H01L29/788
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device using an oxide semiconductor and a method for manufacturing the same are provided to improve the transparency and the flexibility of the semiconductor memory device by forming a schottky barrier on the oxide semiconductor through a metal deposition process for source and drain electrodes formation. CONSTITUTION: A channel area(112) is formed on a substrate(100) with an oxide semiconductor. Source and drain electrodes(120A, 120B) are formed by schottky joining with the channel area. A floating gate layer(140) is formed on the upper part an active layer. A tunnel insulating layer(130) is formed between the active layer and the floating gate layer. A blocking insulating layer(150) is formed on the upper part of the floating gate layer. A gate layer(160) is formed on the upper part of the blocking insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用氧化物半导体的半导体存储器件及其制造方法，用于通过用于源极和漏极的金属沉积工艺在氧化物半导体上形成肖特基势垒来提高半导体存储器件的透明度和柔性 形成。 构成：在具有氧化物半导体的基板（100）上形成沟道区（112）。 源极和漏极（120A，120B）通过与沟道区域的肖特基接合而形成。 浮动栅极层（140）在上部形成有源层。 隧道绝缘层（130）形成在有源层和浮栅之间。 在浮栅层的上部形成阻挡绝缘层（150）。 栅极层（160）形成在阻挡绝缘层的上部。
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73.发明授权
公开(公告)号：KR100936518B1
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：KR1020080092180
申请日：2008-09-19
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: G02F1/137
CPC classification number: C09K19/56 , G02F1/133377 , G02F1/133711
Abstract: PURPOSE: A curable composition for a liquid crystal display and the liquid crystal display comprising a barrier rib and an alignment layer manufactured using the same are provided to remove a problem that liquid crystal alignment is distorted on an interface of a liquid crystal area and a polymer barrier rib, thereby improving liquid crystal display features. CONSTITUTION: A unit structure compound composed of a curable composition includes an oligomer P, a connection part Y, and a functional group A. The oligomer P keeps viscosity of a composition. The oligomer P keeps a material property of a barrier rib after curing. The connection part Y connects the oligomer and a functional group A. In the functional group A, photo curing or a thermosetting reaction is possible. The functional group A includes a chemical structure having a conjugated structure similar to the structure of a liquid crystal. When a polarized light ultraviolet ray is applied, the functional group A has an anisotropy chemical structure inside a curable material.
Abstract translation: 目的：提供一种用于液晶显示器的可固化组合物和使用其制造的阻挡肋和取向层的液晶显示器，以消除在液晶区域和聚合物的界面上的液晶取向失真的问题 隔壁，从而提高液晶显示的特点。 构成：由可固化组合物构成的单元结构化合物包括低聚物P，连接部分Y和官能团A.低聚物P保持组合物的粘度。 低聚物P在固化后保持障壁的材料性质。 连接部分Y连接低聚物和官能团A.在官能团A中，光固化或热固化反应是可能的。 官能团A包括具有类似于液晶结构的共轭结构的化学结构。 当施加偏振光紫外线时，官能团A在可固化材料内部具有各向异性化学结构。
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公开(公告)号：KR100915361B1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：KR1020070137099
申请日：2007-12-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: G02F1/1343 , G02F1/137
Abstract: 본 발명의 목적은 하부 기판에 외부에서 전기적인 접촉이 가능한 별도의 포인트 전극을 형성함으로써 크기 및 규약에 제약을 받지 않고 다양한 형태의 회로기판에 대응이 가능하며, 대량 생산에 적합한 구조를 갖는 고분자 분산형 액정표시장치를 제공하는 것이다.
이를 위해 본 발명은 하면에 대향 전극이 코팅 형성되는 상부 기판; 상면에 화소 전극이 코팅 형성되며, 하면에는 상면의 화소 전극과 전기적으로 연결되는 다수개의 포인트 전극이 일정 간격을 가지고 형성되는 하부 기판; 그리고, 상기 상부 기판 및 하부 기판 사이에 형성되는 고분자 분산형 액정층을 포함하여 이루어지는 고분자 분산형 액정표시장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR101918144B1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：KR1020160109010
申请日：2016-08-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은금속나노선, 금속나노입자를복합광전극으로포함하는태양전지및 이의제조방법에관한것으로, 상세하게는제1전극, 복합광전극, 광활성층, 정공전달층및 제2전극을포함하고, 상기복합광전극은제1전극상에형성된금속나노선망상구조층, 상기금속나노선망상구조층상에형성된제1금속산화물층, 상기제1금속산화물층상에형성된금속나노입자층및 상기금속나노입자층상에형성된제2금속산화물층을포함하는것을특징으로하는태양전지를제공한다. 본발명의금속나노선, 금속나노입자를복합광전극으로포함하는태양전지는높은비표면적을갖는동시에여기된전하들의재결합을억제하며, 전하가보다쉽게이동할수 있기때문에, 금속나노선과금속나노입자를포함하는복합광전극은금속나노선으로인한전하수집효율을향상시키고, 금속나노입자로인한플라즈몬효과에의해더 많은광전자를여기시켜소자효율을향상시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101830254B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020160124842
申请日：2016-09-28
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/0426 , H01M4/0428 , H01M4/62 , H01M10/4235 , Y02E60/122
Abstract: 본발명은이차전지양극용보호층및 그제조방법에관한것으로, 이차전지양극상에배치되는 AlxZnxO 보호층을적용함으로써기존의이차전지양극의충방전에따른안정성저하억제및 효율특성개선가능한초박막산화물반도체기술에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是一种二次电池用正极的保护层，并涉及一种制造其的方法，通过应用设置在稳定性AlxZnxO保护层的二次电池正极减小完善抑制，以往的二次电池的充电和放电的效率特性，正电极能够极薄氧化 ＆lt;
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77.发明授权금속 산화물 나노섬유, 나노막대 및 코팅층을 광전극으로 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 有权包含金属氧化物纳米纤维，纳米棒和涂层作为光电极的钙钛矿太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101828943B1
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR1020150151793
申请日：2015-10-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01G9/20 , H01L21/205
Abstract: 본발명은금속산화물나노섬유, 나노막대및 코팅층을광전극으로포함하는페로브스카이트태양전지및 이의제조방법에관한것으로써, 상세하게는제1전극, 차단층, 광전극, 페로브스카이트광활성층, 정공전달층및 제2전극을포함하며, 상기광전극은, 금속산화물나노섬유, 상기금속산화물나노섬유표면에형성된금속산화물나노막대및, 상기나노섬유및 나노막대표면에형성된금속산화물코팅층을포함하며, 상기코팅층은 30 내지 70 nm의두께로코팅되는것을특징으로하는, 페로브스카이트태양전지를제공한다. 본발명의페로브스카이트태양전지는, 금속산화물나노섬유, 나노막대및 코팅층을광전극으로써포함하며, 상기의광전극은높은비표면적을갖는동시에여기된전하들의재결합을억제하며, 보다쉽게이동할수 있기때문에, 기존의수많은계면을가지는나노입자를포함하는광전극보다전하수집이용이하다. 또한, 나노섬유및 나노막대의빈 공극으로인해광흡수층의코팅이용이하여계면접촉을향상시킬수 있어광전변환효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明，因为它涉及到钙钛矿的太阳能电池和包含金属氧化物纳米纤维的方法，纳米棒和涂布层的光电极，具体地，第一电极，阻挡层，一个光电极中，钙钛矿 包含空穴传输层和所述第二电极，所述光电极中，金属氧化物纳米纤维，形成在纤维表面上的金属氧化物纳米金属氧化物，纳米棒和形成的纳米纤维和纳米棒表面上的金属氧化物涂层光敏层 并且涂层被涂覆成30至70nm的厚度。 包含钙钛矿太阳能电池中，所述金属氧化物纳米纤维，纳米杆，并且本发明作为光学电极，其中，所述光电极是抑制的同时这里的电荷再结合的涂层，具有高的比表面积，更容易地移动 因此，使用电荷收集而不是含有具有许多界面的纳米颗粒的光电极。 此外，由于涂有使用了光吸收层的能改善界面接触的纳米纤维的空孔和纳米棒的它可以提高光电转换效率。
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公开(公告)号：KR101771568B1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020150154037
申请日：2015-11-03
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C01B9/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은다공성의금속할라이드박막또는후막제조방법에관한것으로서, 상기제조방법은태양전지의효율을높일수 있는다공성구조를갖는금속할라이드박막또는후막을제조할수 있는새로운방법을제시한다. 다공성의금속할라이드박막또는후막제조방법은다공성금속할라이드박막또는후막을통해반응후 잔여금속할라이드를최소화할수 있으며, 습막상태의금속할라이드에대기중 수분이거나, 외부에서수분을분사하여수분을공급함으로써금속할라이드박막의기공정도를제어할수 있어, 잔여금속할라이드가남는것을방지함으로써고효율태양전지를합성할수 있는매우유용한기술이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多孔的金属卤化物薄膜或厚膜生产方法中，生产过程中呈现了可以制造金属卤化物膜或具有多孔结构，这反过来，益太阳能电池的效率的厚膜的新方法。 金属卤化物薄膜或孔隙率的厚膜制造方法，并且可以在反应从厚膜卤化物剩余的金属，或大气中的水分，以seupmak态的金属卤化物后，该金属通过喷洒水对外部供给的水最小化所述多孔金属卤化物膜或 通过控制卤化物薄膜的孔的程度并防止残留的金属卤化物的残留，合成高效太阳能电池是非常有用的技术。
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79.发明授权정공전달층용 화합물, 이로부터 형성되는 무유기 하이브리드 태양전지의 정공전달층 및 이를 포함하는 무유기 하이브리드 태양전지 有权用于空穴传输层的化合物，由其形成的有机 - 无机混合太阳能电池的空穴传输层以及包含该空穴传输层的有机混合太阳能电池
公开(公告)号：KR101762147B1
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020160122180
申请日：2016-09-23
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0091 , H01L51/0092 , H01L51/4213 , Y02E10/542
Abstract: 본발명의목적은우수한정공전달층용화합물, 이로부터형성되는무유기하이브리드태양전지의정공전달층, 및이를포함하는무유기하이브리드태양전지를제공하는데있다. 이를위하여본 발명은본 발명에따른정공전달층용화합물, 이로부터형성되는무유기하이브리드태양전지의정공전달층, 이를포함하는무유기하이브리드태양전지, 및이의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 정공전달층용화합물의합성및 분리를저가의공정을통하여수행이가능하여경제적인면에서우수하고, 본발명에따른화합물은판상구조를가져소자의내구성이향상되며, 나아가본 발명에따른화합물은덴드론형태로형성되어전자전달에유리하고, 결과적으로이를포함하는태양전지의광전변환효율이향상되는효과가있다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种优异的空穴传输层的化合物，形成从该转移层，和一个非 - 有机杂化太阳能电池，其包括相同的非 - 有机杂化太阳能电池的孔。 为此，本发明提供的空穴传输层的化合物形成的非 - 有机杂化太阳能电池，从该空穴输送层，一个非 - 有机杂化太阳能电池，和制造的，其包括根据本发明的相同的方法。 根据本发明，该孔转移到合成和层化合物的分离可以通过低成本的过程，从经济人掩模进行和优异的，根据本发明的化合物是在该装置的耐久性的提高得到的板状结构，而且本发明 根据本发明的化合物以树枝状形式形成，其对于电子转移是有利的，并且因此包含该化合物的太阳能电池的光电转换效率得到改善。
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80.发明授权
公开(公告)号：KR101707050B1
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020150154101
申请日：2015-11-03
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C01B9/00
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0024
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는화합물을사용하여제1 전구체막을제조하는단계(단계 1); 하기화학식 2로표시되는화합물을사용하여제2 전구체막을제조하는단계(단계 2); 및상기단계 1 및단계 2에서제조된제1 전구체막 및제2 전구체막을겹친후, 이를열압착하는단계(단계 3);을포함하는페로브스카이트광흡수층의제조방법을제공한다. 본발명에따른페로브스카이트광흡수층의제조방법은열압착방법으로가해진열로인해기상으로변환된제2 전구체가제1 전구체와접촉하게됨으로써잔여제1 전구체막이남지않게되고완벽히반응시킬수 있으며이때열압착으로가해진압력은발생되어진기상의제2 전구체를반응기안에서가두어두는역할을하며이는결정성장이원활히되어핀홀프리한조밀(dense)하고모폴로지가우수한페로브스카이트계광활성층을제조할수 있는효과가있다. 이에따라, 본발명에따른페로브스카이트광흡수층을포함하는페로브스카이트태양전지는우수한광전변환효율을나타낸다.
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