Abstract:
반도체, 디스플레이, PCB, 태양전지 등 미세한 패턴이 필요한 분야에서 마이크로미터 크기의 액적을 기판 위에 토출하여 미세한 패턴을 직접 형성하는데 사용되는 정전식 액적 토출 장치 및 그 토출 장치에 사용되는 정액적 토출용 노즐을 제조하는 방법이 개시된다. 방법은 a) 기판의 후면 상에 제 1 DFR(Dry Film Resist)를 접착하는 단계; b) 노즐용 구멍 형성 위치에 대응하는 위치에 후면 윈도우를 형성하기 위해 상기 제 1 DFR을 패터닝하는 단계; c) 단계 b)에 의한 후면 윈도우 DFR 패턴을 마스크로 상기 기판의 후면을 가공하여 상기 노즐용 구멍의 일부를 형성하는 단계; d) 상기 기판의 전면 상에 제 2 DFR를 접착하는 단계; e) 상기 노즐용 구멍 형성 위치에 대응하는 위치에 전면 윈도우를 형성하기 위해 상기 제 2 DFR을 패터닝하는 단계; f) 단계 e)에 의한 전면 윈도우 DFR 패턴을 마스크로 상기 기판의 전면을 가공하여 상기 노즐용 구멍을 완성하는 단계; g) 상기 기판의 전면 상에 제 3 DFR를 접착하는 단계; h) 노즐 외경 형성을 위해 상기 제 3 DFR을 패터닝하는 단계; i) 단계 h)에 의한 노즐 외경 DFR 패턴을 마스크로 상기 기판의 전면을 가공하여 상기 노즐 외경을 형성하는 단계; 및 j) 상기 기판 전면 및 후면의 DFR 패턴들을 제거하는 단계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기판을 마련하는 단계, 상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계, 상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계, 상기 ZnO 나노와이어 상에 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법과 이 방법에 의하여 표면 처리된 구조물의 구성을 개시한다.
Abstract:
PURPOSE: A surface processing method based on a zinc oxide nanowire is provided to maintain the proper water contact angle of a substrate structure for a long time by coating the structure with a Teflon solution on the zinc oxide nanowire through a hydrothermal synthesis method. CONSTITUTION: A surface processing method based on a zinc oxide nanowire comprises the following steps: preparing a substrate; forming a catalyst layer on the substrate; growing the zinc oxide nanowire on the catalyst layer; and forming a coating layer on the zinc oxide nanowire. The growing step comprises the following steps: preparing a growing solution with a molar ratio of polyethylenimine of 0.03 M, ammonium chloride of 0.09 M, and a molar ratio of zinc nitrate hexahydrate of 0.015 M, and hexamethylenetetramine of 0.015 M; dipping the substrate with the catalyst layer inside the growing solution; and growing the zinc oxide nanowire using a hydrothermal synthesis method. A coating layer formation step comprises the following steps: mixing two solutions with a ratio of Teflon AF 160 and FC 50 of 1:5 and 1:10; and coating the mixture on the zinc oxide nanowire using a spin coater method. [Reference numerals] (101) Step of preparing a substrate; (103) Step of forming a catalyst layer by using liquid catalyst; (105) Step of growing ZnO nanowire; (107) Step of washing; (109) Step of coating; (111) Step of heat-treating
Abstract:
본 발명은 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어 부재에 관한 것으로, 노광 공정 없이 촉매층 위에 금속 마스크층을 형성하여 성장되는 산화아연 나노와이어의 밀도를 조절하여 산화아연 나노와이어의 길이 및 직경을 개선 및 제어하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 산화아연 소재의 촉매층이 형성된다. 촉매층 위에 열처리를 통하여 복수의 성장 구멍을 갖는 금속 마스크층이 형성된다. 그리고 복수의 성장 구멍에 노출된 촉매층 부분을 기반으로 복수의 산화아연 나노와이어를 성장시킨다. 이때 금속 마스크층의 소재는 저융점 금속으로서, 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중에 하나가 사용될 수 있다. 이러한 금속 마스크층은 촉매층 위에 코팅된 금속 나노파티클 소재의 코팅층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다. 또는 금속 마스크층은 촉매층 위에 5 내지 20nm 두께로 형성된 금속층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 반사율 차이가 매우 큰 이종의 박막 소재가 중공(hollow)의 다층 코어 쉘 구조로 형성되는 나노 입자에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 열선 차단용 다층 코어-쉘 구조를 갖는 나노 입자는, 코어; 및 상기 코어를 둘러싼 쉘 형태의 절연체 층을 포함하고, 상기 절연체 층은 제 1 절연체와 제 2 절연체가 교대로 적층되고, 상기 제 1 절연체의 굴절률은 상기 제 2 절연체의 굴절률보다 큰 것을 구성적 특징으로 한다,
Abstract:
PURPOSE: A capacitive droplet discharging device of a slit structure is provided to improve mass production by obtaining a multi-nozzle by arranging a plurality of nozzles and to discharge droplets accurately and stably. CONSTITUTION: A capacitive droplet discharging device(100) of a slit structure comprises a first body(110) and a second body(120). The first body discharges ink to a substrate. The second body receives the ink and supplies the ink to the first body by being joined to the first body. The first body is formed into a hexahedron form including first and second faces. The first body includes; a first ink flowing slot which is formed by being extended from the first face to a part of the second face; and a second ink flowing slot which is formed to be inserted from a third face parallel to the first face to a first face side.
Abstract:
PURPOSE: A double window system for cut-off infrared rays is provided to block thermal energy by using a glass coated with thermo-chromic materials, a glass coated with materials reflecting infrared rays, or a low emissivity glass. CONSTITUTION: A double window system for cut-off infrared rays comprises a first glass member(10), a second glass member(20), and a space member(40). One side of the first glass member has a membrane(11) coated with near infrared ray reflection nano materials. One side of the second glass member has a membrane(21) coated with thermo-chromic materials. The space member is installed between the first and second members and keeps separated gap between glass members. The membrane coated with the near infrared ray reflection nano materials on the first glass member and the membrane coated with the thermo-chromic materials on the second glass member are faced each other.
Abstract:
PURPOSE: A system for growing large area zinc oxide nano-wires is provided to grow zinc oxide nano-wires electrode devices of uniform densities, lengths, and diameters based on a circulated double-jacket type bath. CONSTITUTION: A system(10) for growing large area zinc oxide nano-wires includes a zinc oxide growing bath(100) and a circulated double-jacket type bath(200). A substrate holder is arranged in the zinc oxide growing bath, and a growing solution is introduced into the zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath surrounds the zinc oxide growing bath and uniformly applies heat to the entire zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath includes oil and a heat insulating material. The oil transfers heat to the entire zinc oxide growing bath using a water bath mode. The heat insulating material is arranged at the external side of the bath.
Abstract:
PURPOSE: A silicon thin film solar cell device by electroless plating, and a manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing cost for the solar cell device by using an electroless plating process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a silicon thin film solar cell device by electroless plating comprises the following steps: forming an amorphous silicon layer(200) having the amorphous property on a substrate(110) for the photoelectric conversion; forming a metal catalyst layer on the amorphous silicon layer using an electroless plating process; and forming a polycrystalline silicon layer by heat-processing the amorphous silicon layer including the metal catalyst layer.
Abstract:
PURPOSE: A cathode electrode including a carbon nano tube in an electric field emitting device and a manufacturing method thereof are provided to omit a pre process and a post process by patterning a metal adhesion layer with laser after the carbon nano tube is formed on the metal adhesion layer. CONSTITUTION: A metal adhesion layer(200) is formed on a substrate(100) and includes a carbon nano tube ink layer(300) by coating carbon nano tube ink. The substrate and the metal adhesion layer are patterned with laser.