公开(公告)号：KR1020080062963A

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020060139169

申请日：2006-12-30

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 윤경호 ,  김종섭 ,  어동선 ,  오창일 ,  형경희 ,  김민수 ,  이진국

IPC: C08G61/10 ,  C08G61/00 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: A copolymer containing an aromatic ring, an antireflective hard mask composition containing the copolymer, and a method for preparing a material shape patterned on a substrate by using the composition are provided to minimize the reflection between a resist and a back layer and to improve etching selectivity. A copolymer containing any one aromatic ring represented by the formula 1, 2 or 3, wherein 1

Abstract translation: 含有芳环的共聚物，含有该共聚物的抗反射硬掩模组​​合物以及通过使用该组合物制备在基板上图案化的材料形状的方法被提供以使抗蚀剂和背层之间的反射最小化并提高蚀刻选择性 。 含有由式1,2或3表示的任何一个芳环的共聚物，其中1≤m≤750; 1 <= N <= 750; R1是-CH2-，-CH2-Ph-CH2-，-CH2-Ph-Ph-CH2-或-CH（-OH-取代的Ph） - 或-CH（-Ph） - ; R2是C1-C7的-O-或-CnH2nO-; 并且R 3至R 7独立地为H，羟基，C 1 -C 10烷基，C 6 -C 10芳基，烯丙基或卤素原子。 抗反射硬掩模组​​合物包含含有芳环的共聚物; 发起者 和有机溶剂。