公开(公告)号：KR100725795B1

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020050130022

申请日：2005-12-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이진국 ,  오창일 ,  어동선 ,  김도현 ,  남이리나 ,  윤희찬 ,  김종섭

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004

公开(公告)号：KR100671117B1

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050068892

申请日：2005-07-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 어동선 ,  오창일 ,  김도현 ,  이진국 ,  남이리나

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/38

Abstract: Provided are an antireflective hardmask composition which can be applied by using spin-on application technique, is useful for lithographic process of short wavelength, and retains a minimum amount of remaining acid, and a method for patterning a back material layer on substrate by using the composition. The composition contains (A) an aromatic ring-having polymer of the formula(3); (B) a crosslinking component; and (C) an acidic catalyst. In the formula(3), n is 1

Abstract translation: 提供了可以通过旋涂应用技术应用的抗反射硬掩模组​​合物，对于短波长的光刻工艺是有用的，并且保留最少量的剩余的酸，以及通过使用 组成。 该组合物含有（A）具有式（3）的芳环的聚合物; （B）交联组分; 和（C）酸性催化剂。 在式（3）中，n为1 <= n <= 190，每个R 1和R 2为氢，-OH，C 1 -C 10烷基，C 6 -C 10芳基，烯丙基或卤素原子， R4是氢，或包含与交联组分反应的发色团部分或反应性部分。 用于图案化背材料层的方法包括以下步骤：（i）在基材上制备材料层; （ii）通过使用所述组合物在所述材料层上形成抗反射硬掩模层; （iii）在所述成像层上形成辐射敏感成像层; （iv）将成像层暴露于图案形式的辐射，以便在成像层中形成辐射曝光区域的图案; （v）选择性地去除所述成像层和所述抗反射层的一部分; 和（vi）蚀刻材料层的暴露部分以形成图案化材料的构造。

公开(公告)号：KR100671114B1

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050068891

申请日：2005-07-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 어동선 ,  오창일 ,  김도현 ,  이진국 ,  남이리나

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/38

Abstract: Provided is a hardmask composition which exhibits excellent optical property, mechanical property, and etch selectivity, has a minimum amount or no acid contaminants, and can be applied by spin-on application technique. The hardmask composition comprises (a) an aromatic ring-containing polymer represented by the formula(2); (b) a crosslinking ingredient; and (c) an acid catalyst. In the formula(2), n is 1

Abstract translation: 提供具有优异的光学性能，机械性能和蚀刻选择性的硬掩模组合物，具有最小量或不含酸性污染物，并且可以通过旋涂施加技术施加。 硬掩模组合物包含（a）由式（2）表示的含芳环的聚合物; （b）交联成分; 和（c）酸催化剂。 在式（2）中，n为1 <= n <= 190，R5，R6为氢，C1-C10烷基，C6-C10芳基或烯丙基。 组合物包含（a）1-20重量％的含芳环聚合物，（b）0.1-5重量％的交联成分，和（c）0.001-0.05重量％的酸催化剂，其余的有机溶剂 。 含芳环的聚合物的重均分子量为1,000〜30,000。 组合物还包含溶剂或表面活性剂。

公开(公告)号：KR100665758B1

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020050086199

申请日：2005-09-15

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 오창일 ,  어동선 ,  김도현 ,  이진국 ,  남이리나 ,  윤희찬 ,  김종섭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F1/46

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/38

Abstract: Provided is a hardmask composition which comprises an aromatic ring-containing polymer showing strong absorption at short wavelength area(for example, 157, 193, 248 nm). The hardmask composition comprises an aromatic ring-containing polymer, a crosslinking ingredient, and an acid catalyst. The aromatic ring-containing polymer comprises at least one selected from the group represented by the formula(1), has a weight average molecular weight of 5,000-15,000, and a polydispersity of 1.5-2.5. In the formula(1), R6 is hydrogen, C1-C10 alkyl group, C6-C10 aryl group or allyl group, n is 1

Abstract translation: 提供一种硬掩模组合物，其包含在短波长区域（例如，157,193,248nm）显示强吸收的含芳族环的聚合物。 硬掩模组合物包含含芳环的聚合物，交联成分和酸催化剂。 含芳环的聚合物包含选自式（1）所示的基团中的至少一种，其重均分子量为5,000-15,000，多分散性为1.5-2.5。 在式（1）中，R 6是氢，C 1 -C 10烷基，C 6 -C 10芳基或烯丙基，n是1 <= n <= 190，每个R 1和R 2是氢，羟基（-OH） C1-C10烷基，C6-C10芳基，烯丙基或卤素原子，R3和R4分别为氢或反应性部分与交联成分或发色团反应。