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公开(公告)号：KR1020130133628A
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：KR1020120057041
申请日：2012-05-29
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/205
Abstract: The present invention relates to a device and a method thereof for processing a substrate comprising a processing chamber; a substrate supporting part mounted inside the processing chamber for supporting at least one substrate and formed to rotate in a particular direction; a chamber lid facing the substrate supporting part while covering the upper part of the processing chamber; and a gas spraying part connected to the chamber lid and including multiple gas spraying modules for spraying gas on the substrate. Each of the multiple gas spraying modules includes a power electrode and an earth electrode, which are facing each other, for forming a plasma discharging area between the power electrode and the earth electrode. The plasma discharging area is not overlapped with a thin film forming area on the substrate supported by the substrate supporting part.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理包括处理室的基板的装置及其方法; 安装在所述处理室内部的基板支撑部，用于支撑至少一个基板并且形成为沿特定方向旋转; 在覆盖处理室的上部的同时面向基板支撑部的室盖; 以及连接到室盖的气体喷射部，并且包括用于在基板上喷射气体的多个气体喷射模块。 多个气体喷射模块中的每一个包括彼此面对的用于形成电力电极和接地电极之间的等离子体放电区域的电力电极和接地电极。 等离子体放电区域与由基板支撑部支撑的基板上的薄膜形成区域不重叠。
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公开(公告)号：KR1020130108803A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：KR1020120030555
申请日：2012-03-26
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A substrate processing device and a substrate processing method increase the deposition uniformity of a thin film which is deposited on a substrate by spatially separating source gas and reactive gas and spraying them to the substrate. CONSTITUTION: A substrate support part (120) is installed in a process chamber (110) to support multiple substrates (W) and rotates in the predetermined direction. A chamber lid (115) covers the upper part of the process chamber to face the substrate support part. The chamber lid includes multiple module installation parts (115a-115d) to divide the upper part of the substrate support part into multiple spaces. A gas injection part (130) has multiple gas injection modules (130a-130d) spraying first gas and second gas which are different from each other to the substrate. Each of the gas injection modules activates the first gas supplied to a first gas injection space and sprays the first gas.
Abstract translation: 目的：基板处理装置和基板处理方法通过空间分离源气体和反应性气体并将其喷射到基板来增加沉积在基板上的薄膜的沉积均匀性。 构成：基板支撑部分（120）安装在处理室（110）中以支撑多个基板（W）并沿预定方向旋转。 室盖（115）覆盖处理室的上部以面对基板支撑部分。 室盖包括多个模块安装部分（115a-115d），以将基板支撑部分的上部分成多个空间。 气体注入部分（130）具有将彼此不同的第一气体和第二气体喷射到衬底上的多个气体注入模块（130a-130d）。 每个气体注入模块激活供应到第一气体注入空间的第一气体并喷射第一气体。
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公开(公告)号：KR1020130097425A
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020120019065
申请日：2012-02-24
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/45563 , H01L21/02274
Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing a substrate and a method for processing the substrate using the same are provided to prevent damage to the substrate due to plasma by spraying plasma gas onto the substrate. CONSTITUTION: A substrate support part (120) is installed in a process chamber. The substrate support part supports at least one substrate. A chamber lid (115) covers the upper part of the process chamber. A gas injection part (130) is installed around the chamber lid. The gas injection part faces the substrate support part locally.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理基板的设备和使用其的处理基板的方法，以通过将等离子体气体喷射到基板上来防止由于等离子体而损坏基板。 构成：衬底支撑部分（120）安装在处理室中。 衬底支撑部分支撑至少一个衬底。 室盖（115）覆盖处理室的上部。 在室盖周围安装有气体注入部件（130）。 气体注入部分局部地面向衬底支撑部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101183142B1
公开(公告)日：2012-09-14
申请号：KR1020060042029
申请日：2006-05-10
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은, 일정한 반응공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대; 상기 기판안치대의 상부로 가스를 분사하는 가스분사수단; 상기 챔버의 내부에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단; 상기 기판안치대에 연결되고, 제 1 주파수를 가지는 제 1 RF전원; 상기 기판안치대에 연결되고, 상기 제1 주파수와는 다른 주파수를 가지며, 상기 제 1 주파수와의 차이가 상기 제1 주파수의 1% 이내인 제 2 주파수를 가지는 제 2 RF전원; 상기 제1 및 제 2 RF전원의 선단에 각각 설치되어 임피던스를 정합시키는 제1 매칭회로 및 제2 매칭회로를 포함하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치 및 이를 이용하는 갭필방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, HDP-CVD 장치에서 기판안치대에 서로 다른 주파수를 가지는 2개의 바이어스용 RF전원을 동시에 인가함으로써 발생하는 맥놀이 현상을 이용하여 이온의 에너지를 적절히 제어할 수 있다.
갭필, HDP CVD, RF, 맥놀이-
公开(公告)号：KR101002942B1
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：KR1020040033124
申请日：2004-05-11
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 하부가 상부보다 큰 용적을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에 위치하며, 상면에 기판이 안치되는 서셉터와 상기 기판의 상부에 공정 기체를 분사하는 기체 분사부와 상기 챔버의 상부에 위치하며, RF 전원과 연결되는 코일부와 상기 챔버의 벽에 설치되는 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비를 제공한다.
본 발명에 의하면 높은 컨덕턴스 하에서도 공정기체의 유입량 및 배기량을 높일 수 있어 기판의 증착 속도를 증대시킬 수 있으며, 불필요한 공정기체들의 배기량을 증대시킬 수 있도록 하여 보다 개선된 갭 필 공정을 수행할 수 있게 해준다.
공정 챔버, HDPCVD장비, 갭필 공정, 컨덕턴스, 유전체 돔-
76.发明公开
公开(公告)号：KR1020070109273A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060042029
申请日：2006-05-10
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76837 , C23C16/5096 , C23C16/513
Abstract: A high-density plasma chemical vapor deposition apparatus using a beat phenomenon and a gap-fill method using the same are provided to control properly ion energy by applying simultaneously two bias RF power having different frequencies to a substrate loading plate. A chamber(11) includes a constant reaction space. A substrate loading plate(12) is installed in the inside of the chamber. A gas injection unit(13) injects gas into an upper part of the substrate loading plate. A plasma generation unit generates plasma into the inside of the chamber. A first RF power source(20) is connected to the substrate loading plate and has a first frequency. A second RF power source(30) is connected to the substrate loading plate and has a frequency different from the first frequency. A difference between the first and second frequencies is less than 1% of the first frequency. A first and second matching circuits(22,32) are installed at the first and second RF power sources in order to match impedance.
Abstract translation: 提供了一种利用拍子现象的高密度等离子体化学气相沉积装置和使用其的间隙填充方法，以通过同时施加具有不同频率的两个偏置RF功率来适当地控制离子能量到基板装载板。 腔室（11）包括恒定的反应空间。 基板装载板（12）安装在室的内部。 气体注入单元（13）将气体注入到基板装载板的上部。 等离子体产生单元在室内产生等离子体。 第一RF电源（20）连接到基板装载板并具有第一频率。 第二RF电源（30）连接到基板装载板并且具有与第一频率不同的频率。 第一和第二频率之间的差值小于第一频率的1％。 第一和第二匹配电路（22,32）安装在第一和第二RF电源处以便匹配阻抗。
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公开(公告)号：KR1020070041650A
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020050097252
申请日：2005-10-15
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76224 , C23C16/455 , C23C16/513
Abstract: 본 발명은, 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하는 기판안치대; 상기 기판안치대의 상부로 가스를 분사하는 가스분사수단; 상기 챔버의 외부에 위치하는 소스RF전원; 상기 소스RF전원이 연결되는 안테나; 상기 기판안치대에 연결되는 바이어스RF전원을 포함하는 HDPCVD장치를 이용하여 소자의 트렌치 또는 콘택홀을 갭필하는 방법에 있어서, 상기 소스RF전원은 5MHz 내지 300MHz의 주파수범위를 가지는 갭필 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면 저압분위기에서 플라즈마를 안정적으로 유지할 수 있으므로 갭필 성능을 크게 향상시킬 수 있게 된다.
갭필, HDPCVD,-
公开(公告)号：KR1020040104374A
公开(公告)日：2004-12-10
申请号：KR1020040033124
申请日：2004-05-11
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/505
Abstract: PURPOSE: A thin film deposition system having high gas conductance is provided to maintain high conductance of a process gas and perform an improved gap-fill process by forming a main body of a process chamber with a shape of jar. CONSTITUTION: A lower part is larger than an upper part in volume of a process chamber(100). A susceptor(200) is installed within the process chamber. A substrate is loaded on an upper surface of the susceptor. A gas injection unit injects a process gas onto an upper surface of the substrate. A coil unit(300) is located at an upper part of the process chamber and is connected to an RF power supply. An exhaust tool(150) is installed on a wall of the process chamber.
Abstract translation: 目的：提供具有高气体导电性的薄膜沉积系统，以保持工艺气体的高电导率，并通过形成具有罐形状的处理室的主体来进行改进的间隙填充过程。 构成：下部大于处理室（100）的体积上部。 基座（200）安装在处理室内。 衬底被装载在基座的上表面上。 气体注入单元将工艺气体注入到衬底的上表面上。 线圈单元（300）位于处理室的上部并连接到RF电源。 排气工具（150）安装在处理室的壁上。
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