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公开(公告)号:KR100979919B1
公开(公告)日:2010-09-03
申请号:KR1020030061516
申请日:2003-09-03
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 플라즈마 화학기상증착장치에서 유도결합형 플라즈마 발생을 위한 안테나장치에 관한 것으로서, 안테나 지지체의 중심으로부터 동일한 거리에 위치한 워주상에 다수의 안테나 리드홀을 형성하여, 별도의 구조물을 추가하지 않고도 병렬연결된 각 코일의 배치를 용이하게 변경할 수 있는 안테나장치를 제공한다.
본 발명에 따르면 안테나의 재배치를 통한 플라즈마 형상조절이 용이해지며, 구조변경에 따른 시간적, 경제적 비용을 절약할 수 있게 된다.
안테나, 안테나코일, 리드선, 공명, 유도결합형 플라즈마-
公开(公告)号:KR101002942B1
公开(公告)日:2010-12-21
申请号:KR1020040033124
申请日:2004-05-11
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 하부가 상부보다 큰 용적을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에 위치하며, 상면에 기판이 안치되는 서셉터와 상기 기판의 상부에 공정 기체를 분사하는 기체 분사부와 상기 챔버의 상부에 위치하며, RF 전원과 연결되는 코일부와 상기 챔버의 벽에 설치되는 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비를 제공한다.
본 발명에 의하면 높은 컨덕턴스 하에서도 공정기체의 유입량 및 배기량을 높일 수 있어 기판의 증착 속도를 증대시킬 수 있으며, 불필요한 공정기체들의 배기량을 증대시킬 수 있도록 하여 보다 개선된 갭 필 공정을 수행할 수 있게 해준다.
공정 챔버, HDPCVD장비, 갭필 공정, 컨덕턴스, 유전체 돔-
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公开(公告)号:KR1020050023946A
公开(公告)日:2005-03-10
申请号:KR1020030061516
申请日:2003-09-03
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An inductively coupled plasma generating antenna apparatus is provided to vary easily the arrangement of coils without an additional structure by using a plurality of antenna lead holes. CONSTITUTION: An inductively coupled plasma generating antenna apparatus includes a supporting body, a plurality of coils, a first lead line, a second lead line, and a coil fixing part. The supporting body(100) includes a plurality of antenna lead holes. The lead holes are spaced apart from each other at an edge of the supporting body. The plurality of coils(111,151) are installed under the supporting body. The first lead line(114) is prolonged to the upper portion of the supporting body through the lead hole. The first lead line is connected with the coil and a power supply terminal. The second lead line(115) is prolonged to the upper portion of the supporting body through the lead hole. The second lead line is connected with the coil and a ground terminal. The coil fixing part(160) is connected with a lower portion of the supporting body.
Abstract translation: 目的:提供电感耦合等离子体发生天线装置,通过使用多个天线引线孔容易地改变线圈的布置,而不需要额外的结构。 构成:电感耦合等离子体发生天线装置包括支撑体,多个线圈,第一引线,第二引线和线圈固定部。 支撑体(100)包括多个天线引线孔。 引线孔在支撑体的边缘处彼此间隔开。 多个线圈(111,151)安装在支撑体下方。 第一引线(114)通过引线孔延伸到支撑体的上部。 第一引线与线圈和电源端子相连。 第二引线(115)通过引线孔延伸到支撑体的上部。 第二引线与线圈和接地端子相连。 线圈固定部(160)与支撑体的下部连接。
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公开(公告)号:KR1020050022914A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:KR1020030059533
申请日:2003-08-27
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A chamber structure is provided to improve sealing effect by preventing the damage of a sealing member such as an O-ring using an enhanced connection between a lower chamber and a chamber lead. CONSTITUTION: A chamber structure includes a lower chamber(210) and a chamber lead(200). A sealing member(120) is installed between the lower chamber and the chamber lead. At this time, connecting portions of the lower chamber and the chamber lead are protruded in order to prevent chemical gas from contacting the sealing member.
Abstract translation: 目的:提供一种室结构,通过使用下室和腔室引线之间的增强连接来防止诸如O形环的密封构件的损坏来提高密封效果。 构成:室结构包括下室(210)和室引线(200)。 密封构件(120)安装在下室和室引线之间。 此时,下室和室引线的连接部分突出,以防止化学气体与密封件接触。
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公开(公告)号:KR1020040104374A
公开(公告)日:2004-12-10
申请号:KR1020040033124
申请日:2004-05-11
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/505
Abstract: PURPOSE: A thin film deposition system having high gas conductance is provided to maintain high conductance of a process gas and perform an improved gap-fill process by forming a main body of a process chamber with a shape of jar. CONSTITUTION: A lower part is larger than an upper part in volume of a process chamber(100). A susceptor(200) is installed within the process chamber. A substrate is loaded on an upper surface of the susceptor. A gas injection unit injects a process gas onto an upper surface of the substrate. A coil unit(300) is located at an upper part of the process chamber and is connected to an RF power supply. An exhaust tool(150) is installed on a wall of the process chamber.
Abstract translation: 目的:提供具有高气体导电性的薄膜沉积系统,以保持工艺气体的高电导率,并通过形成具有罐形状的处理室的主体来进行改进的间隙填充过程。 构成:下部大于处理室(100)的体积上部。 基座(200)安装在处理室内。 衬底被装载在基座的上表面上。 气体注入单元将工艺气体注入到衬底的上表面上。 线圈单元(300)位于处理室的上部并连接到RF电源。 排气工具(150)安装在处理室的壁上。
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