公开(公告)号：KR1020010112958A

公开(公告)日：2001-12-24

申请号：KR1020000032869

申请日：2000-06-15

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 정순빈 ,  정보신

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 1) reacting a compound of formula (alpha) with a compound of formula (beta) in a stoichiometric ratio to obtain a compound of formula (gamma); 2) reacting the compound of formula (beta) with the compound of formula (gamma) in a molar ratio of 0.4:1 to 0.75:1; 3) reacting the end groups of formula (delta), being present in the product of the reaction 2) with e.g. dibutylamine in a molar ratio of 2:1. 7 to 2:3; the reactions 1) to 3) being carried out in an organic solvent in the presence of an inorganic base; and 4) transferring the groups of formula (G-I) being present in the product of the reaction (3) to groups of formula (G-II), said transfer being carried out by reacting the product of the reaction (3) with a hydroperoxide in a hydrocarbon solvent in the presence of a peroxide decomposing catalyst; R 1 is in particular a hydrocarbyl radical, B is e.g. N-(2,2,6,6- tetramethyl-4-piperidyl)-butylamino, R is e.g. 2,2,6,6-tetramethyl-4- piperidyl and R 2 is e.g. hexamethylene.

Abstract translation: 1）以化学计量比使式（α）化合物与式（β）化合物反应得到式（γ）化合物; 2）使式（β）化合物与摩尔比为0.4:1至0.75:1的式（γ）化合物反应; 3）使存在于反应2的产物中的式（delta）的端基与例如式 二丁胺摩尔比为2:1。 7至2：3; 反应1）〜3）在无机碱存在下在有机溶剂中进行; 和4）将存在于反应（3）的产物中的式（GI）基团转化成式（G-II）的基团，所述转移通过使反应（3）的产物与氢过氧化物 在烃溶剂中，在过氧化物分解催化剂存在下， R 1特别是烃基，B是例如。 N-（2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基） - 丁基氨基，R为例如。 2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基和R 2是例如。 六亚甲基。

公开(公告)号：KR101022663B1

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020030062728

申请日：2003-09-08

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 김철식 ,  정순빈 ,  전창엽

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 고밀도 플라즈마 화학기상증착(high density plasma chemical vapor deosition: HDP-CVD)을 위한 반도체 공정장치의 정전척에서의 냉각 가스 공급구조에 관한 것이다. 본 발명은 정전척에 고주파의 바이어스 전압이 인가될 때, 웨이퍼를 냉각하기 위해서 정전척에 공급되는 냉각가스의 유로에서 발생하는 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 정전척은 웨이퍼의 냉각을 위하여 웨이퍼와 면하는 정전척의 표면에는 복수개의 냉각 가스 공급포트가 형성되고, 상기 냉각 가스 공급포트는 냉각 가스 유입통로를 포함하며, 상기 냉각 가스 유입통로의 폭은 0.25mm 이하이다.
정전척, 냉각 가스, 헬륨가스, 세라믹 봉, 절연체, 방전, 바이어스 전압, 나사, 냉각가스 가이드

公开(公告)号：KR1020030037472A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：KR1020010068512

申请日：2001-11-05

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 정순빈

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer pedestal is provided to reduce conservation cost by fixing a ceramic panel on a metal penal without an indium bonding process. CONSTITUTION: A ring-type step coverage portion is formed on the edge portion of a disc-type metal panel(210). A disc-type ceramic panel(220) is located on the disc-type metal panel(210). A guide ring(230) made of ceramic is installed on the ring-type step coverage portion of the disc-type metal panel(210) in order to simultaneously enclose along the edge portion of the disc-type metal and ceramic panel(210,220). At this time, the disc-type ceramic panel(220) and the guide ring(230) is connected with each other as a single unit. Preferably, the inner side of the guide ring(230) is finely spaced apart from the disc-type metal(210).

Abstract translation: 目的：提供一个晶片基座，通过将陶瓷面板固定在金属上而无需铟结合工艺来降低节约成本。 构成：在盘型金属板（210）的边缘部分上形成环形台阶覆盖部分。 圆盘型陶瓷面板（220）位于盘式金属面板（210）上。 为了同时沿圆盘型金属陶瓷面板（210,220）的边缘部分包围陶瓷面板（210）的环形台阶覆盖部分，安装有由陶瓷制成的导向环（230） 。 此时，盘式陶瓷面板（220）和导向环（230）作为一个单元彼此连接。 优选地，导向环（230）的内​​侧与盘形金属（210）精细地间隔开。

公开(公告)号：KR101002940B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020030056761

申请日：2003-08-18

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 정순빈 ,  한정훈

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 공정 챔버 몸체의 냉각 또는 가열을 위해 냉각제 또는 히팅액이 통과하는 유체경로에 관한 것으로서, 공정 챔버 몸체 외부 벽을 따라 하나 이상의 요홈을 형성하는 단계와, 상기 요홈에 파이프를 삽입하는 단계와, 상기 파이프 상단에 인서트를 삽입하는 단계와, 상기 인서트 상단에 인서트 지지재를 삽입하는 단계를 포함하는, 공정 챔버 몸체 벽에 유체경로를 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면 공정 챔버 몸체가 냉각제 또는 히팅액에 의해 부식되는 것을 사전에 방지할 수 있게 되며, 유체경로의 보수를 파이프의 간단한 교체만으로 가능하게 하므로, 전체 장비의 유지 관리비용을 획기적으로 줄일 수 있게 해준다.

유체경로, 냉각 라인, 히팅 라인, 공정챔버

公开(公告)号：KR1020060043107A

公开(公告)日：2006-05-15

申请号：KR1020050014819

申请日：2005-02-23

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 김홍습 ,  황욱중 ,  차성호 ,  김동진 ,  박현수 ,  정순빈 ,  유진혁

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67196 ,  F04D17/168 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67742

Abstract: 본 발명은 대기압 상태를 유지하며 내부에 로봇을 포함하는 이송부와, 슬롯밸브를 사이에 두고 상기 이송부의 일 측부에 연결되며 진공상태와 대기압상태를 반복하는 하나 이상의 공정 챔버를 포함하는 공정장치에 관한 것이다.
상기 공정챔버는 대기압상태와 진공상태를 반복하여야 하기 때문에 펌핑속도를 높여 생산성을 높일 수 있는 진공 펌핑시스템과 벤팅가스를 공급할 때 챔버 내부의 온도충격을 최소화하고 벤팅속도를 높일 수 있는 가압 벤팅시스템을 제안한다.
본 발명에 따르면, 반도체 또는 LCD 제조에 사용되는 공정장치에서, 진공분위기의 이송챔버 및 이송챔버 로봇과, 로드락챔버를 생략할 수 있으므로 장비전체의 풋프린트를 감소시킬 수 있게 되고, 나아가 장비의 가격을 낮출 수 있게 된다.
공정장치, 이송부, 대기압, 진공펌핑, 가압벤팅

公开(公告)号：KR1020050019158A

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：KR1020030056761

申请日：2003-08-18

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 정순빈 ,  한정훈

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A method for forming a fluid path in the outer wall of a process chamber body is provided to prevent the corrosion of chamber body using as a circulation passage of coolant or heating fluid. CONSTITUTION: A groove of one or more is formed along the outer wall(120) of process chamber body. A pipe(124) is inserted into the groove. An insert(126) is inserted on the top of the pipe. An insert supporting material(128) is inserted on the top of the insert. The pipe is made of copper. The insert and the insert supporting material are made of aluminium.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在处理室主体的外壁中形成流体路径的方法，以防止作为冷却剂或加热流体的循环通道的室主体的腐蚀。 构成：沿着处理室主体的外壁（120）形成一个或多个凹槽。 管道（124）插入槽中。 插入件（126）插入管子的顶部。 刀片支撑材料（128）插入刀片的顶部。 管由铜制成。 刀片和刀片支撑材料由铝制成。

公开(公告)号：KR101002942B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020040033124

申请日：2004-05-11

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  이영석 ,  정순빈 ,  이정범 ,  김철식 ,  전창엽 ,  고재억 ,  김영록 ,  심성은 ,  이용현 ,  유진혁 ,  강대봉

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 하부가 상부보다 큰 용적을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에 위치하며, 상면에 기판이 안치되는 서셉터와 상기 기판의 상부에 공정 기체를 분사하는 기체 분사부와 상기 챔버의 상부에 위치하며, RF 전원과 연결되는 코일부와 상기 챔버의 벽에 설치되는 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비를 제공한다.
본 발명에 의하면 높은 컨덕턴스 하에서도 공정기체의 유입량 및 배기량을 높일 수 있어 기판의 증착 속도를 증대시킬 수 있으며, 불필요한 공정기체들의 배기량을 증대시킬 수 있도록 하여 보다 개선된 갭 필 공정을 수행할 수 있게 해준다.

공정 챔버, HDPCVD장비, 갭필 공정, 컨덕턴스, 유전체 돔

公开(公告)号：KR1020040104374A

公开(公告)日：2004-12-10

申请号：KR1020040033124

申请日：2004-05-11

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  이영석 ,  정순빈 ,  이정범 ,  김철식 ,  전창엽 ,  고재억 ,  김영록 ,  심성은 ,  이용현 ,  유진혁 ,  강대봉

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/505

Abstract: PURPOSE: A thin film deposition system having high gas conductance is provided to maintain high conductance of a process gas and perform an improved gap-fill process by forming a main body of a process chamber with a shape of jar. CONSTITUTION: A lower part is larger than an upper part in volume of a process chamber(100). A susceptor(200) is installed within the process chamber. A substrate is loaded on an upper surface of the susceptor. A gas injection unit injects a process gas onto an upper surface of the substrate. A coil unit(300) is located at an upper part of the process chamber and is connected to an RF power supply. An exhaust tool(150) is installed on a wall of the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供具有高气体导电性的薄膜沉积系统，以保持工艺气体的高电导率，并通过形成具有罐形状的处理室的主体来进行改进的间隙填充过程。 构成：下部大于处理室（100）的体积上部。 基座（200）安装在处理室内。 衬底被装载在基座的上表面上。 气体注入单元将工艺气体注入到衬底的上表面上。 线圈单元（300）位于处理室的上部并连接到RF电源。 排气工具（150）安装在处理室的壁上。

公开(公告)号：KR100419019B1

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：KR1020010068512

申请日：2001-11-05

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 정순빈

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer pedestal is provided to reduce conservation cost by fixing a ceramic panel on a metal penal without an indium bonding process. CONSTITUTION: A ring-type step coverage portion is formed on the edge portion of a disc-type metal panel(210). A disc-type ceramic panel(220) is located on the disc-type metal panel(210). A guide ring(230) made of ceramic is installed on the ring-type step coverage portion of the disc-type metal panel(210) in order to simultaneously enclose along the edge portion of the disc-type metal and ceramic panel(210,220). At this time, the disc-type ceramic panel(220) and the guide ring(230) is connected with each other as a single unit. Preferably, the inner side of the guide ring(230) is finely spaced apart from the disc-type metal(210).

Abstract translation: 目的：提供晶圆底座，通过在没有铟粘合工艺的情况下将陶瓷面板固定在金属板上来降低成本。 组成：在盘式金属板（210）的边缘部分上形成环形台阶覆盖部分。 盘式陶瓷面板（220）位于盘式金属面板（210）上。 由陶瓷制成的导向环（230）安装在盘式金属面板（210）的环形台阶覆盖部分上，以便沿着盘式金属和陶瓷面板（210,220）的边缘部分同时封闭， 。 此时，盘形陶瓷面板220和导向环230作为一个单元相互连接。 优选地，引导环（230）的内​​侧与盘型金属（210）精细地间隔开。

公开(公告)号：KR1020030018617A

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：KR1020010052824

申请日：2001-08-30

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 심경식 ,  이영석 ,  정순빈 ,  이정범

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/507 ,  H01J37/3244

Abstract: PURPOSE: An HDP(High Density Plasma)-CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus is provided to obtain effectively HDP and minimize the amount of particles generated from an inner space of a process chamber. CONSTITUTION: A process chamber(110) is formed with a lower chamber(113) and a ceramic dome(115). The lower chamber(113) has an opened upper portion. The ceramic dome(115) is used for covering the opened upper portion of the lower chamber(113). A gas exhaust tube is formed at the lower chamber(113). An RF coil(125) is wound around an outer wall of the ceramic dome(115). A gas injection tube(130) is formed between the outside of the process chamber(110) and the inside of a wall of the ceramic dome(115) and between a center portion of the ceramic dome(115) and an internal space of the process chamber(110). A substrate supporter(120) is used for supporting a substrate(122). A diffuser(135) is installed at an end portion of the gas injection tube(130).

Abstract translation: 目的：提供HDP（高密度等离子体）-CVD（化学气相沉积）装置以有效获得HDP并使从处理室的内部空间产生的颗粒的量最小化。 构成：处理室（110）形成有下室（113）和陶瓷穹顶（115）。 下室（113）具有敞开的上部。 陶瓷圆顶（115）用于覆盖下腔室（113）的打开的上部。 在下腔室（113）形成排气管。 RF线圈（125）缠绕在陶瓷圆顶（115）的外壁上。 在处理室（110）的外部和陶瓷穹顶（115）的壁的内部之间以及陶瓷穹顶（115）的中心部分和内部空间之间形成气体注入管（130） 处理室（110）。 衬底支撑件（120）用于支撑衬底（122）。 扩散器（135）安装在气体注入管（130）的端部处。