公开(公告)号：KR1019990070575A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005499

申请日：1998-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  한석희 ,  김희중 ,  유광윤 ,  최용석

IPC: C23C14/06

Abstract: 두께가 약 25 ㎛인 실리콘 구조물에 다음의 조성식, Tb
x Fe
y B
z, [이때, x, y, z는 원자%로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 및 0 ≤ z ≤ 0.4 (단, x + y + z = 100)] 으로 이루어진 거대 자기변형 합금 박막이 코팅되어 있는 자기변형 합금 박막 실리콘 캔티레버에 대한 것으로서, 본 발명의 캔티레버는 낮은 자기장에서도 큰 변위를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019990066602A

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019980002663

申请日：1998-01-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  한석희 ,  김희중 ,  유광윤 ,  최용석

IPC: H01F1/059

Abstract: 본 발명은 조성식
Sm
x Fe
y B
z
(상기 식에서 x, y 및 z는 각각 원자 %로서,
24.0 ≤ x ≤ 57.8,
41.8 ≤ y ≤ 75.3,
0.4 ≤ z ≤ 0.7,
단, x + y + z = 100임)인 Sm-Fe-B계 거대 자기 변형 합금 박막에 관한 것으로서, 특히 본 발명에 따른 자기 변형 합금 박막은 낮은 인가 자기장에서도 높은 자기 변형치를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1019980072259A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970006944

申请日：1997-03-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  최용석 ,  한석희 ,  김희중

IPC: C23C14/34

Abstract: 조성식 Tb
x Fe
y B
z (식중, x, y 및 z는 원자 %로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 0 ≤ z ≤ 0.4 및 x + y + z = 100이다)로 표시되는 거대 자기변형 합금 박막 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 자기변형 합금 박막은 낮은 자기장이 인가되는 경우에도 높은 자기변형치를 나타낸다.