公开(公告)号：WO2022139188A1

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：PCT/KR2021/017000

申请日：2021-11-18

Applicant: 경상국립대학교산학협력단 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 최용석 ,  김기현 ,  남상용 ,  김미정 ,  고한솔

IPC: C08J5/22 ,  C08K3/04 ,  C08K9/04 ,  C08K9/08 ,  C25B13/08

Abstract: 본 발명은 수전해 시스템용 양이온 교환막에 관한 것으로, 특히 양이온 전도도를 향상시키고, 치수 안정성을 향상시켜 양호한 내구성을 보이며 동시에 열 안정성을 향상시켜 상기 수전해 시스템의 성능을 향상시키는 양이온 교환막에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100275652B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019980005499

申请日：1998-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  한석희 ,  김희중 ,  유광윤 ,  최용석

IPC: C23C14/06

Abstract: PURPOSE: A thin film cantilever coated with self-deformation alloy capable of forming a substrate by fine processing of silicon wafers and exhibiting high self-deformation under low magnetic field is provided, which has high displacement under low magnetic field. CONSTITUTION: The titled cantilever is formed of a silicon substrate and a Tb-Fe-B based giant self-deformation alloy thin film coated on one surface of the silicon substrate. The Tb-Fe-B based giant self-deformation alloy thin film has the formula: TbxFeyBz in which x, y, z are atom % and 43.5≤x≤62.4, 37.3≤y≤56.5 and z≤ 0.4(x+y+z=100).

Abstract translation: 目的：提供一种能够通过硅晶片的精细加工形成基底并在低磁场下显示高自变形的自变形合金的薄膜悬臂，其在低磁场下具有高位移。 构成：标题悬臂由硅衬底和涂覆在硅衬底的一个表面上的Tb-Fe-B基巨型自变形合金薄膜形成。 Tb-Fe-B型巨型自变形合金薄膜具有下式：Tb x FeyBz，其中x，y，z为原子％，43.5≤x≤62.4,37.3≤y≤56.5，z≤0.4（x + y + Z = 100）。

公开(公告)号：KR1020000013389A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980032225

申请日：1998-08-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  한석희 ,  김희중 ,  유광윤 ,  최용석

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/165 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414

Abstract: PURPOSE: A Tb-based giant magnetostriction alloy thin film provides high reaction rate and great magnetostriction event at a low Tb content and hence good characteristics as a driving material of microdevices. CONSTITUTION: The Tb-based giant magnetostriction alloy thin film comprises 42.74 to 55.28 atom % of Tb, 43.47 to 54.1 atom % and 0.4 to 5.59 atom % of B; or 38.44 to 45.90 atom % of Tb, 53.72 to 60.93 atom %, and 0.33 to 2.19 atom % of Sm.

Abstract translation: 目的：基于Tb的巨磁致伸缩合金薄膜在低Tb含量下提供高反应速率和大的磁致伸缩事件，因此作为微器件的驱动材料具有良好的特性。 构成：Tb系大型磁致伸缩合金薄膜含有42.74〜55.28原子％的Tb，43.47〜54.1原子％，B为0.4〜5.59原子％ 或38.44〜45.90原子％的Tb，53.72〜60.93原子％，0.33〜2.19原子％的Sm。

公开(公告)号：KR100246014B1

公开(公告)日：2000-03-02

申请号：KR1019960072079

申请日：1996-12-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  최용석 ,  배영제

IPC: H01F1/00

CPC classification number: H01F1/15383

Abstract: 산화물의 졸-겔 용액을 제조하는 단계, 졸-겔 용액을 철계 비정질 자성 합금 박대의 표면에 피복하는 단계, 피복된 철계 비정질 자성 합금 박대를 건조시키는 단계, 및 건조된 피복 철계 비정질 자성 합급 박대를 열처리하는 단계로 이루어지는 철계 비정질 자성 합금 박대에 유도 자기 이방성을 형성하는 방법이 제공된다. 산화물의 종류를 적절히 선택함으로써 유도 자기 이방성을 형성시키며, 따라서 직류 및 교류 자기적 성질을 크게 변화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100281985B1

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1019980032225

申请日：1998-08-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  한석희 ,  김희중 ,  유광윤 ,  최용석

IPC: C23C14/34

Abstract: 본 발명은 Tb 및 Fe를 주성분으로 하는 Tb계 거대 자기변형 합금 박막에 관한 것으로, 그 조성이 Tb
x Fe
y B
z (여기서, x, y, z는 원자%로서, 42.74 ≤ x ≤ 55.28, 43.47 ≤ y ≤ 54.1, 0.4 ≤ z ≤ 5.59이며, 단 x + y + z = 100이다)와, Tb
x Fe
y Sm
z (여기서, x, y, z는 원자%로서, 38.44 ≤ x ≤ 45.90, 53.72 ≤ y ≤ 60.93, 0.33 ≤ z ≤ 2.19이며, 단 x + y + z = 100이다)으로 된 거대 자기변형 합금 박막을 제공한다.
본 발명의 거대 자기변형 합금 박막은 반응속도가 빠르고, 자기변형이 큼은 물론, 낮은 Tb 함량에서도 자기변형 특성이 우수하기 때문에, 마이크로 디바이스의 구동체로서 우수한 특성을 가진다.

公开(公告)号：KR100243719B1

公开(公告)日：2000-03-02

申请号：KR1019970006944

申请日：1997-03-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  최용석 ,  한석희 ,  김희중

IPC: C23C14/34

Abstract: 조성식 Tb
x Fe
y B
z (식중, x, y 및 z는 원자 %로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 0 ≤ z ≤ 0.4 및 x + y + z = 100이다)로 표시되는 거대 자기변형 합금 박막 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 자기변형 합금 박막은 낮은 자기장이 인가되는 경우에도 높은 자기변형치를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1019990070575A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005499

申请日：1998-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  한석희 ,  김희중 ,  유광윤 ,  최용석

IPC: C23C14/06

Abstract: 두께가 약 25 ㎛인 실리콘 구조물에 다음의 조성식, Tb
x Fe
y B
z, [이때, x, y, z는 원자%로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 및 0 ≤ z ≤ 0.4 (단, x + y + z = 100)] 으로 이루어진 거대 자기변형 합금 박막이 코팅되어 있는 자기변형 합금 박막 실리콘 캔티레버에 대한 것으로서, 본 발명의 캔티레버는 낮은 자기장에서도 큰 변위를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019990066602A

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019980002663

申请日：1998-01-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  한석희 ,  김희중 ,  유광윤 ,  최용석

IPC: H01F1/059

Abstract: 본 발명은 조성식
Sm
x Fe
y B
z
(상기 식에서 x, y 및 z는 각각 원자 %로서,
24.0 ≤ x ≤ 57.8,
41.8 ≤ y ≤ 75.3,
0.4 ≤ z ≤ 0.7,
단, x + y + z = 100임)인 Sm-Fe-B계 거대 자기 변형 합금 박막에 관한 것으로서, 특히 본 발명에 따른 자기 변형 합금 박막은 낮은 인가 자기장에서도 높은 자기 변형치를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1019980072259A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970006944

申请日：1997-03-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  최용석 ,  한석희 ,  김희중

IPC: C23C14/34

Abstract: 조성식 Tb
x Fe
y B
z (식중, x, y 및 z는 원자 %로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 0 ≤ z ≤ 0.4 및 x + y + z = 100이다)로 표시되는 거대 자기변형 합금 박막 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 자기변형 합금 박막은 낮은 자기장이 인가되는 경우에도 높은 자기변형치를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1019980053043A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960072079

申请日：1996-12-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  최용석 ,  배영제

IPC: H01F1/00

Abstract: 금속 산화물의 졸-겔 용액을 제조하는 단계, 졸-겔 용액을 철계 비정질 자성 합금 박대의 표면에 피복하는 단계, 피복된 철계 비정질 자성 합금 박대를 건조시키는 단계, 및 건조된 피복 철계 비정질 자성 합급 박대를 열처리하는 단계로 이루어지는 철계 비정질 자성 합금 박대에 유도 자기 이방성을 형성하는 방법이 제공된다. 산화물의 종류를 적절히 선택함으로써 유도 자기 이방성을 형성시키며, 따라서 직류 및 교류 자기적 성질을 크게 변화시킬 수 있다.