3차원 신축성 네트워크 구조체
    73.
    发明公开
    3차원 신축성 네트워크 구조체 审中-实审
    三维可扩展网络结构

    公开(公告)号:KR1020160080132A

    公开(公告)日:2016-07-07

    申请号:KR1020140191537

    申请日:2014-12-29

    CPC classification number: G03F7/0037 G03F7/0002

    Abstract: 3차원신축성네트워크구조체는주기적인망상으로분포된패턴을포함하는 3차원다공성탄성체, 및상기 3차원다공성탄성체에포함된기공들을채우는매립패턴을포함한다.

    Abstract translation: 3D可拉伸网络结构包括:3D多孔弹性体,其包括以网状周期性分布的图案; 以及用于填充包含在3D多孔弹性体中的孔的填充图案。 提供了具有新颖光学特性的3D可拉伸网络结构。

    기체상의 금속 촉매를 이용한 전사 공정이 생략된 그래핀의 제조 방법
    74.
    发明授权
    기체상의 금속 촉매를 이용한 전사 공정이 생략된 그래핀의 제조 방법 有权
    使用气相金属催化剂制造石墨烯的无转移制造方法

    公开(公告)号:KR101562906B1

    公开(公告)日:2015-10-26

    申请号:KR1020140021035

    申请日:2014-02-24

    Abstract: 본발명은기체상금속촉매를이용한전사공정이생략된그래핀의제조방법으로서, 기판상부위치한금속선을가열하여챔버내에기체상금속촉매를형성하는단계, 챔버내에탄소소스기체를주입하는단계, 가열된금속선을이용하여기판상의제1 부분을가열함으로써기판상의제1 부분에그래핀층을형성하는단계및 가열된금속선을이동시켜기판상의제1 부분과는상이한기판상의제2 부분을가열함으로써기판상의제2 부분에그래핀층을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는기체상금속촉매를이용한전사공정이생략된그래핀의제조방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀의제조방법은전사공정이없어그래핀품질의저하를막을수 있고, 금속선에가하는전류를조절함으로써금속선의가열온도에따른기체상촉매의증기압을제어하여고품질의그래핀을성장시킬수 있으며, 금속선의이동속도를조절하여그래핀성장을제어하여다양한품질의그래핀을제조가능한장점이있다.

    박편화된 몰리브덴 칼코게나이드 및 이의 제조방법
    75.
    发明公开
    박편화된 몰리브덴 칼코게나이드 및 이의 제조방법 有权
    薄层MO-CHALCOGENIDE及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150024534A

    公开(公告)日:2015-03-09

    申请号:KR1020130101520

    申请日:2013-08-27

    CPC classification number: B22F9/16 B22F1/0007 B22F9/30

    Abstract: 본 발명은 몰리브덴 칼코게나이드 분말과 알카리 금속염 또는 알카리 토금속염을 혼합하고 가열하여 상기 알카리 금속 또는 알카리 토금속 이온이 층간에 삽입된 몰리브덴 칼코게나이드 층간 화합물을 제조하는 단계, 및 상기 몰리브덴 칼코게나이드 층간 화합물로부터 삽입된 금속 이온을 제거하는 단계를 포함하는, 박편화된 몰리브덴 칼코게나이드의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 박편화된 몰리브덴 칼코게나이드에 관한 것이다.

    Abstract translation: 薄硫化钼硫属化物的制造方法技术领域本发明涉及一种硫化钼片状硫化物的制造方法,其特征在于,包括:通过将硫属硫族化物粉末与碱金属盐混合并加热而将硫属钼酸盐插入化合物制成插入其中插入碱金属或碱土金属离子的步骤, 碱土金属盐; 以及从钼硫属化物插层化合物中除去插入的金属离子的步骤和由其制备的片状钼硫属化物。

    탄소기반 자기조립층의 열처리를 통한 고품질 그래핀의 제조 방법
    76.
    发明授权
    탄소기반 자기조립층의 열처리를 통한 고품질 그래핀의 제조 방법 有权
    基于碳的自组装单层加热制造高品质石墨的制造方法

    公开(公告)号:KR101482655B1

    公开(公告)日:2015-01-16

    申请号:KR1020130080847

    申请日:2013-07-10

    Abstract: 본 발명은 기판상에 그래핀으로 변환가능한 탄소 소스층을 형성하는 단계, 상기 기판상에 형성된 탄소 소스층상에 금속 촉매층을 형성하는 단계, 상기 탄소 소스층과 금속 촉매층이 형성된 기판을 국부적 가열원을 이용하여 상기 기판상의 제1부분을 가열함으로써, 상기 기판상의 제1부분의 탄소 소스층을 그래핀으로 변환시키는 단계, 상기 국부적 가열원을 이동시켜 기판상의 제1 부분과는 상이한 기판상의 제2부분을 가열함으로써, 상기 기판상의 제2부분의 탄소 소스층을 그래핀으로 변환시키는 단계, 및 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 포함하는 기판상에 그래핀층을 형성하는 방법을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在基板上的石墨烯层的制造方法,包括:形成能够在基板上转化为石墨烯的碳源层的工序; 在形成在基板上的碳源层上形成金属催化剂层的工序; 通过使用部分加热源加热形成有碳源层和金属催化剂层的基板上的第一部分,将基板上的第一部分的碳源层变换为石墨烯的工序; 通过移动所述部分加热源,加热所述基板上与所述基板上的所述第一部分不同的所述第二部分,将所述基板上的第二部分的碳源层转换成石墨烯的步骤; 以及除去金属催化剂层的工序。

    근접장 나노패터닝과 원자층 증착법을 이용한 3차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
    78.
    发明授权
    근접장 나노패터닝과 원자층 증착법을 이용한 3차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법 有权
    三维纳米结构化金属氧化物的制备使用近场纳米粒子和ALD

    公开(公告)号:KR101400363B1

    公开(公告)日:2014-06-27

    申请号:KR1020130058212

    申请日:2013-05-23

    Inventor: 전석우 안창의

    CPC classification number: B01D67/0039 B01D67/0062 B01D71/024 Y10T428/24802

    Abstract: The present invention relates to a three-dimensional nanostructure metal oxide manufacturing method comprising: (a) a step of spin-coating a substrate with a photoresist; (b) a step of forming pores of a periodic three-dimensional porous nanostructured pattern on the photoresist through a proximity-field nanopatterning method; (c) a step of inducing a metal oxide into the three-dimensional porous pores by using the photoresist, as a template, wherein the periodic three-dimensional porous nanostructured pattern is formed by an atomic layer deposition using a metal precursor; and (d) a step of obtaining a three-dimensional nanostructured porous metal oxide of an inverse form of the three-dimensional porous nanostructure formed on the photoresist by removing the photoresist template, and to a metal oxide manufactured thereby.

    Abstract translation: 本发明涉及三维纳米结构金属氧化物制造方法,其包括:(a)用光致抗蚀剂旋涂基板的步骤; (b)通过邻近场纳米图案法在光致抗蚀剂上形成周期性三维多孔纳米结构图案的孔的步骤; (c)通过使用光致抗蚀剂作为模板将金属氧化物引入三维多孔孔的步骤,其中通过使用金属前体的原子层沉积形成周期性的三维多孔纳米结构图案; 以及(d)通过除去光致抗蚀剂模板而获得形成在光致抗蚀剂上的三维多孔纳米结构体的反向形式的三维纳米结构多孔金属氧化物的步骤,以及由此制造的金属氧化物。

    그래핀 제조방법
    79.
    发明授权
    그래핀 제조방법 有权
    制造石墨烯的方法

    公开(公告)号:KR101392176B1

    公开(公告)日:2014-05-27

    申请号:KR1020120060359

    申请日:2012-06-05

    Inventor: 전석우 송성호

    Abstract: 본 발명은 따른 그래핀 제조방법에서, 그라파이트를 퀴놀린(Quinoline)에 첨가하여 그래핀 분산액을 형성하고, 상기 그래핀 분산액을 원심분리하며, 상기 그래핀 분산액의 상층에서 그래핀을 추출할 수 있다.

    그래핀의 제조 장치 및 이를 이용한 그래핀의 제조 방법
    80.
    发明授权
    그래핀의 제조 장치 및 이를 이용한 그래핀의 제조 방법 有权
    用于制造石墨的装置和使用其制造石墨的方法

    公开(公告)号:KR101340037B1

    公开(公告)日:2013-12-10

    申请号:KR1020120056198

    申请日:2012-05-25

    Abstract: 그래핀의 제조 장치는 기판을 처리하기 위한 공간을 제공하는 챔버를 포함한다. 상기 기판 지지부는 상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판을 지지한다. 가스 공급부는 상기 챔버 내에 탄소 소스 가스를 공급한다. 램프 유닛은 상기 챔버 내에서 상기 기판에 대하여 상대이동 가능하도록 설치되며, 광원 및 상기 광원으로부터의 광을 상기 기판 상의 국부적 위치상으로 집속시키기 위한 집속 수단을 구비하여 국부적 열처리를 수행한다.

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