Abstract:
본 발명은 알카리 금속 또는 알카리 토금속의 유기 카르복실산염, 알콕시염, 수산염, 페녹시염, 유기 설폰산염, 유기인산염, 설폰산염, 인산염, 탄산염 중에서 선택되는 어느 하나이상의 알카리 금속염 또는 알카리 토금속염과 몰리브덴 칼코게나이드 분말을 혼합하고 가열함으로써, 알카리 금속 또는 알카리 토금속 이온이 층간에 삽입된 몰리브덴 칼코게나이드 층간 화합물을 제조하는 단계, 상기 알카리 금속 또는 알카리 토금속 이온이 층간에 삽입된 몰리브덴 칼코게나이드로부터 삽입된 알카리 금속 또는 알카리 토금속 이온이 제거됨으로써 박편화되며, 상기 알카리 금속염 또는 알카리 토금속염으로 표면처리된 몰리브덴 칼코게나이드를 제조하는 단계, 및 상기 박편화된 몰리브덴 칼코게나이드를 pH가 조절된 수용액에 분산시키는 단계를 포함하는 박편화된 몰리브덴 칼코게나이드의 발광특성을 조절하는 방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어서, 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 CdS막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 목적으로 한다.
Abstract:
본 발명은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어서, 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 CdS막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 목적으로 한다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예에 의하면, 발광효율이 높아 플렉서블 디스플레이의 발광 소자로 활용가능하며, 대면적화가 용이한 효과가 있다. 또한, 그래핀과 유기 발광 분자를 결합함으로써 유기 발광 분자의 인광과 형광의 세기를 동시에 또는 선택적으로 증폭시킬 수 있는 효과가 있다. 이를 위해 특히, 본 발명의 일 실시예는 유기 발광 분자의 일중항 방출을 증폭시키는 일중항 발광 증폭부; 및 유기 발광 분자의 삼중항 방출을 증폭시키는 삼중항 발광 증폭부;를 포함하는 유기 발광 분자의 선택적 발광 증폭이 가능한 발광 소자를 포함한다.