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公开(公告)号：KR1020160090237A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150159021
申请日：2015-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은종래의전자개폐기의문제점인바이메탈과기계식접점을사용함이없이, 전자석, 임계온도소자, 및전자석제어부를이용하여전자석을제어하는전자개폐기를개시한다. 전자석은제어전류의흐름에응답하여전력선을통해인가되는전력을부하측에연결된전력기기로스위칭한다. 임계온도소자는전력선에서전력기기로흐르는공급전류에의한발열온도가임계온도를초과시에출력전류값이변한다. SCR로구현가능한전자석제어부는임계온도소자의상기출력전류값에응답하여상기전자석의상기제어전류의흐름이생성또는차단되도록한다.
Abstract translation: 在本发明中，公开了一种电子开关，其通过使用电磁体，临界温度元件和电磁体控制单元来控制电磁体，而不使用作为现有电子开关的问题的双金属和机械接触点。 电磁铁响应于控制电流的流动，将由电力线施加的电力切换到连接到负载的电力设备。 当加热温度超过临界温度时，临界温度元件会通过流向电源设备的电源电流来改变输出电流值。 可由SCR实现的电磁控制单元响应于临界温度元件的输出电流值产生或阻止电磁体的控制电流的流动。
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公开(公告)号：KR1020150005416A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：KR1020130156332
申请日：2013-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 김현탁
CPC classification number: H03K17/30 , H03K17/567 , H03K17/60 , H03K17/601 , H03K2217/0009
Abstract: 본 발명은 금속-절연체 전이 (metal-Insulator Transition: MIT) 트랜지스터의 구동을 쉽고 편리하게 하기 위하여 콘트롤 단자와 아울렛 단자 사이에서 MIT를 일으키게 하는 MIT 임계전류 공급용 소자를 포함하는 MIT 트랜지스터 시스템을 개시한다. 본 발명에 따른 전류 공급기는 상기 금속-절연체 전이 트랜지스터의 제어단자와 출력단자 사이에서 MIT 현상이 일어나도록 하기 위한 임계전류를 공급한다.
Abstract translation: 公开了一种金属 - 绝缘体跃迁晶体管系统，其包括在控制端子和出口端子之间产生MIT的金属 - 绝缘体转变（MIT）临界电流供应装置，以便于MIT晶体管的操作。 根据本发明的电流供应单元提供临界电流以在金属 - 绝缘体转变晶体管的控制端子和输出端子之间产生MIT现象。
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公开(公告)号：KR101438588B1
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020100128380
申请日：2010-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L28/24 , H01L25/167 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00011
Abstract: 금속-반도체 융합 전자 회로 장치가 제공된다. 상기 금속-반도체 융합 전자 회로 장치는 반도체 소자, 상기 반도체 소자에서 발생되는 열에 비례하여 증가되는 저항을 갖는 금속저항 소자, 및 상기 반도체 소자와 상기 금속저항 소자를 직렬로 연결하고 상기 금속저항 소자보다 낮은 저항을 갖는 배선을 포함한다. 상기 열에 의하여 상기 반도체 소자의 저항은 감소하는 반면 상기 금속저항 소자의 저항은 증가하여 서로 상쇄도록 구성된다.
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公开(公告)号：KR101439259B1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020110019643
申请日：2011-03-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 본 발명에 의한 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치는 열에 의한 FET의 소스-드레인 간 전류 감소 문제를 효과적으로 해결하고, 또한, FET의 온도를 낮출 수 있는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치를 제공한다. 그 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET); 및 상기 FET의 표면 또는 발열 부분으로 부착되고, 회로적으로는 상기 FET의 게이트 단자에 연결되어 상기 게이트 단자의 전압을 가변시키는 게이트 제어 소자;를 포함하고, 상기 FET이 소정 온도 이상 상승 시에 상기 게이트 가변 소자에 의해 상기 게이트 단자의 전압이 가변되어 상기 FET의 소스-드레인 사이의 채널 전류가 제어된다.
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公开(公告)号：KR1020140011251A
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020130050738
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 김현탁
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/025 , G01F1/6886 , G01J5/046
Abstract: Disclosed are a human body infrared sensor and an electronic device comprising the same. The sensor includes a substrate, a vanadium oxide on the substrate, and a plurality of electrodes separated on both sides of the vanadium oxide. The vanadium oxide may have 1.5-2.5 density ratio of oxygen to vanadium.
Abstract translation: 公开了一种人体红外线传感器和包括该人体红外线传感器的电子设备。 传感器包括衬底，衬底上的氧化钒，以及在氧化钒两侧分离的多个电极。 氧化钒可以具有氧与钒的1.5-2.5密度比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101275805B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020090095129
申请日：2009-10-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고온용 전도성 접착제(실버 페이스트 등)를 사용하지 않고 대면적 금속-절연체 전이(MIT) 물질인 VO
2 박막을 in-situ로 증착할 수 있는 기술에 관한 것이다. 고온에서 PLD(Pulsed Laser Deposition), sputter 등에 의해 금속-절연체 전이 물질인 VO
2 를 성장시킬 때 열전도를 좋게 하기 위하여 고온용 전도성 접착제를 통상적으로 사용하고 있다. 하지만 박막성장 시 접착제에 의한 오염과 박막성장 후 접착제의 제거 등 공정상의 문제점이 발생 된다. 본 발명은 고온용 전도성 접착제를 사용하지 않고, 박막성장 시 기판과 히터표면의 접착을 개선하여 상기의 문제점을 해결함으로써, 특성이 우수한 대면적 VO
2 박막을 기존방식보다 간단하게 성장시킬 수 있는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치 및 그 성장장치에서의 대면적 산화물 박막 성장방법을 제공한다.
고온용 전도성 접착제, 인 시츄(in situ), 금속 절연체 전이, MIT, VO2, 바나듐 옥사이드, 대면적-
公开(公告)号：KR1020130021311A
公开(公告)日：2013-03-05
申请号：KR1020110124220
申请日：2011-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G08B17/06
CPC classification number: G08B17/06 , H01C1/02 , H01C7/047 , H01H37/32 , H01L27/0248 , H01L27/0647 , H01L49/003 , H02H9/045
Abstract: PURPOSE: An MIT(Metal-Insulator Transition) device molded with clear compound epoxy and a fire detection device including the same are provided to maximize stability. CONSTITUTION: A fire detection device(1200) includes an MIT device(1201), a diode bridge circuit(1210), a display circuit(1220), and a stabilizing circuit(1230). The MIT device includes an MIT chip molded with clear compound epoxy. The diode bridge circuit is supplied with power from a power control device and provides non-polarized power. The display circuit is supplied with non-polarized power from the diode bridge circuit and reports a fire alarm in response to a detection signal from the MIT device. The stabilizing circuit maintains the detection signal for a fixed period of time.
Abstract translation: 目的：提供用透明复合环氧树脂模制的MIT（金属 - 绝缘体转换）装置和包括该MIT（火花塞）的火灾探测装置，以最大化稳定性。 构成：火灾检测装置（1200）包括MIT装置（1201），二极管电桥电路（1210），显示电路（1220）和稳定电路（1230）。 MIT装置包括用透明复合环氧树脂模制的MIT芯片。 二极管桥式电路由功率控制装置供电，并提供非极化功率。 显示电路从二极管电路电路提供非极化电力，并响应于来自MIT设备的检测信号而报告火灾报警器。 稳定电路将检测信号保持一段固定的时间。
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78.发明授权태양전지용 광-유기 ＭＩＴ 물질 복합체, 그 ＭＩＴ 물질 복합체를 포함한 태양전지 및 태양전지모듈 失效光诱导金属 - 绝缘体转换用于太阳能电池，太阳能电池和太阳能电池模块的MIT材料复合体
公开(公告)号：KR101193161B1
公开(公告)日：2012-10-19
申请号：KR1020080127267
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/062 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 불순물 반도체 태양전지보다 더 많은 이동자를 가지고서 고효율의 태양전지를 구현할 수 있는 태양전지용 광-유기 MIT 물질 복합체, 그 MIT 물질 복합체를 포함한 태양전지 및 태양전지모듈을 제공한다. 그 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 결합된 n형 및 p형 금속 도체에 빛이 입사하여 본질적인 에너지 준위(Intrinsic Energy Level or Gap)에 있는 전자 및 정공이 이동자가 되면서 전위차가 형성되는 광-유기 MIT 물질 복합체; 상기 MIT 물질 복합체 상에 형성된 반사 방지막; 및 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 MIT 물질 복합체에 컨택되도록 형성된 상부 전극;을 포함한다. 여기서, 상기 n형 및 p형 금속 도체는 상온에서 금속의 전자구조를 가지면서 본질적인 에너지 준위를 갖는 절연체(혹은 반도체)인 MIT 물질로서, 이러한 MIT 물질의 전자구조는 그 물질의 최외각에 홀수개의 전자 혹은 정공을 갖는다. 본 발명의 태양전지는 본질적인 준위가 깨어지면 반도체의 불순물 준위에서 유기된 이동자보다 많은 이동자가 나온다. 따라서, 본 발명의 태양전지는 불순물 준위에 의한 반도체 태양전지보다 많은 이동자를 갖는 것이 장점을 갖는다.
금속-절연체 전이, MIT, 광-유기 MIT 태양전지-
公开(公告)号：KR1020120018642A
公开(公告)日：2012-03-05
申请号：KR1020100081608
申请日：2010-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A light emitting device based on a metal-insulator transistion is provided to manufacture a light emitting diode including one of a P-type semiconductor film and a N type semiconductor film by forming a light emitting device with a semiconductor which radiates light through a metal-insulator transition. CONSTITUTION: A buffer layer(420) is formed on a substrate(410). A first electrode(440) is formed on the buffer layer. A semiconductor film is formed in the buffer layer and is separated from the first electrode. The semiconductor layer radiates light according to the voltage supplied to the first electrode and the second electrode. The second electrode(450) is formed in the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种基于金属绝缘体转移的发光器件，以通过形成具有半导体的发光器件来制造包括P型半导体膜和N型半导体膜中的一种的发光二极管，所述半导体通过 金属 - 绝缘体转变。 构成：在衬底（410）上形成缓冲层（420）。 第一电极（440）形成在缓冲层上。 半导体膜形成在缓冲层中并与第一电极分离。 半导体层根据提供给第一电极和第二电极的电压照射光。 第二电极（450）形成在半导体层中。
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公开(公告)号：KR101042962B1
公开(公告)日：2011-06-20
申请号：KR1020080106581
申请日：2008-10-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01J21/10
Abstract: 본 발명은 트랜지스터의 구조 및 그 제작에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 열음극전자 방출 진공 채널 트랜지스터 구조 및 그 제작에 관한 것이다. 그 진공 채널 트랜지스터는 모체 기판; 상기 모체 기판 상으로 형성된 박막 구조의 미소 가열부; 상기 미소 가열부 상으로 상기 미소 가열부의 중앙부로부터 제1 간격 이격되어 형성된 박막 구조의 캐소드부; 상기 캐소드부 양쪽 외곽 상부에 형성된 게이트부; 상기 게이트부 상의 스페이서를 통해 상기 캐소드부과 제2 간격으로 이격되어 형성되어 있는 애노드부;를 포함하고, 상기 캐소드부와 상기 애노드부 사이에는 상기 제2 간격만큼의 진공의 전자통과영역이 형성된다.
트랜지스터, 반도체 소자, 기계전자마이크로시스템(MEMS), 진공 채널, 국부 미소가열전극
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