Abstract:
기존 광대역 테라헤르츠 분광시스템의 핵심부품인 PCA 및 포토믹서의 현존하는 제한적인 요소를 근본적으로 해결한 포토믹서 및 그의 제조방법을 제시한다. 제시된 포토믹서는 기판의 상면에 형성되되 광이 입사되는 영역에 형성된 활성층, 및 기판의 상면에 형성되되 광이 입사되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된 열전도층을 포함한다. 활성층은 메사형 단면을 갖도록 형성되고, 열전도층은 광이 입사되는 영역을 제외한 영역에 MOCVD법으로 재성장되어 평탄화된 표면을 갖게 된다.
Abstract:
본 발명은 저복잡도 3차원 메쉬 압축 장치 및 방법에 관한 것으로서, 개시된 압축 장치는 입력된 3차원 메쉬 모델의 데이터를 분석하여 정점 정보, 3차원 메쉬 모델의 특성을 나타내는 속성 정보 및 3차원 메쉬 모델을 구성하는 정점들 간의 연결 정보를 분리하는 데이터 분석부와, 정점 정보, 속성 정보 및 연결 정보를 이용하여 양자화된 정점 정보, 속성 정보 및 연결 정보를 생성하는 메쉬 모델 양자화부와, 양자화된 연결 정보에 따라 3차원 메쉬 모델의 연속된 연결 정보의 양자화 값을 이용하여 차분 펄스 부호 변조 예측을 수행하는 데이터 변조부와, 양자화된 정점 정보, 속성 정보 및 차분 펄스 부호 변조된 연결 정보를 부호화한 데이터를 출력하는 부호화부를 포함하고, 종래 기술과 비교할 때에 3차원 메쉬 모델에 대한 데이터 압축의 복잡도를 개선하고 압축률을 향상시키며, 나아가, 압축의 복잡도 개선에 따라서 압축된 3차원 모델을 신속하고 정확하게 복원시킬 수 있으므로 압축 데이터의 복원 효율 또한 향상시키는 이점이 있다. 영상 압축, 3차원 메쉬 모델, 차분 펄스 부호 변조, 부호화
Abstract:
본 발명은 양자화 기법에 기반한 3차원 메쉬 압축 장치 및 방법에 관한 것으로서, 개시된 압축 장치는 입력된 3차원 메쉬 모델의 데이터를 분석하여 정점 정보, 3차원 메쉬 모델의 특성을 나타내는 속성 정보 및 3차원 메쉬 모델을 구성하는 정점들 간의 연결 정보를 분리하는 데이터 분석부와, 정점 정보, 속성 정보 및 연결 정보를 이용하여 양자화된 정점 정보, 속성 정보 및 연결 정보를 생성하는 메쉬 모델 양자화부와, 양자화된 연결 정보를 이용하여 결정 비트를 계산한 후 계산된 결정 비트를 이용하여 양자화된 정점 정보, 속성 정보 및 연결 정보를 부호화하는 결정 비트 부호화부를 포함하고, 위상 절개를 수행하지 않으면서 연결 정보를 양자화하여 양자화된 연결 정보를 이용해 결정 비트를 계산한 후에 결정 비트를 이용하여 데이터를 부호화함으로써 3차원 메쉬 모델에 대한 데이터 압축의 복잡도 개선을 통해 압축 속도를 향상시키며, 압축의 복잡도 개선에 따라서 압축된 3차원 모델을 신속하고 정확하게 복원시킬 수 있으므로 압축 데이터의 복원 효율 또한 향상시키는 이점이 있다. 영상 압축, 3차원 메쉬 모델, 결정 비트 부호화
Abstract:
본 발명은 3차원 메쉬 모델의 부호화 장치 및 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명에서는 위상절개 과정을 수행하지 않으며, 페이스간은 공유된 정점정보를 이용하여 차분 펄스 코드 변조와 (이진)산술 부호화 및 결정 비트 부호화를 적용함으로써 3차원 모델의 복잡도를 개선하고 압축률을 향상시킬 수 있으며, 상기 압축의 복잡도 개선에 따라서 압축된 3차원 모델을 신속하고 정확하게 복원시킬 수 있으므로, 인력과 자원의 소모의 효율을 향상시킨다. 메쉬, 부호화, DPCM, 코딩
Abstract:
PURPOSE: A method and a device for encoding and decoding 3D contents data are provided to encode a normal vector value of 3D mesh data through XOR data, thereby increasing the encoding efficiency. CONSTITUTION: A 3D contents data encoding device includes a qunatizer(401), a prediction encoder(403), and an entropy encoder(405). The quantizer performs quantization about a normal vector value of a 3D mesh data. The prediction encoder performs an XOR calculation by using quantization result value. The entropy encoder performs entropy encoding by using the XOR calculation result value.
Abstract:
PURPOSE: A method and a device for encoding/decoding 3D contents data universally are provided to encode and decode each plurality of primitive data about 3D contents data, thereby encoding and decoding other kinds of graphic data included in 3D contents data. CONSTITUTION: A 3D contents data encode device(100) comprises a primitive data generation unit(101), an encoder selection unit(103), an encoder(105), a bit stream generation unit(111). An encoder selection unit transmits the converted file to a fixed type codec(107) or lego type codec(109). A fixed type codec selects an appropriate unit codec in a codec tool library(117) to constitute encoder.
Abstract:
PURPOSE: A low complexity three dimensional mesh compression device and a method thereof for encoding connection information by applying differential pulse code modulation are provided to improve compression rate and improve complexity of data compression about a three dimensional mesh model. CONSTITUTION: A low complexity three dimensional mesh compression device is as follows. A data analysis unit(510) separates geometry information(511), attribute information(512), and connection information(513). A mesh model quantization unit generates the quantized geometry information, the attribute information, and the connection information. A data modulation unit performs the differential pulse code modulation prediction by using he quantized value of the consecutive linkage information.
Abstract:
A circuit for preventing the self-heating and a method for fabricating a integrated device for the same circuit are provided to solve the self-heating phenomenon of the MIT device by configuring a transistor, a MIT device and a resistance unit. The MIT device(100) generates the metal-insulator transition(Metal-Insulator Transition) at the critical temperature or more, and is connected to the current-driven device and the current flow is controlled. A transistor is connected to the MIT device and the transistor controls the self-heating of the MIT device. A resistance unit(300) is connected to the MIT device and the transistor. The transistor is a bipolar transistor(200). The MIT device is connected between the base and the collector electrode of the bipolar transistor. The resistance unit is connected between the base and the emitter electrode of the bipolar transistor.
Abstract:
본 발명은 금속-절연체 상전이 메모리 셀 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 위에 금속-절연체 상전이 채널 층을 형성하는 단계; 상기 금속-절연체 상전이 채널 층의 양측에 상호 대향되도록 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 상기 절연막, 상기 금속-절연체 상전이 채널 층, 그리고 상기 소스 및 드레인 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 금속-절연체 상전이 채널 층, 그리고 상기 소스 및 드레인의 상측에 위치되는 상기 게이트 절연막 위에 게이트를 형성하는 단계; 상기 드레인의 상측에 위치되는 상기 게이트 절연막을 개구한 후, 상기 드레인에 연결되는 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 위에 저항 박막을 형성하는 단계; 및 상기 저항 박막의 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 메모리 셀 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치는 초소형화 및 초고속화될 수 있다. 금속-절연체 상전이,MIT,메모리셀, 반도체 메모리 장치