公开(公告)号：KR101275805B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：KR1020090095129

申请日：2009-10-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/50 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 고온용 전도성 접착제(실버 페이스트 등)를 사용하지 않고 대면적 금속-절연체 전이(MIT) 물질인 VO
2 박막을 in-situ로 증착할 수 있는 기술에 관한 것이다. 고온에서 PLD(Pulsed Laser Deposition), sputter 등에 의해 금속-절연체 전이 물질인 VO
2 를 성장시킬 때 열전도를 좋게 하기 위하여 고온용 전도성 접착제를 통상적으로 사용하고 있다. 하지만 박막성장 시 접착제에 의한 오염과 박막성장 후 접착제의 제거 등 공정상의 문제점이 발생 된다. 본 발명은 고온용 전도성 접착제를 사용하지 않고, 박막성장 시 기판과 히터표면의 접착을 개선하여 상기의 문제점을 해결함으로써, 특성이 우수한 대면적 VO
2 박막을 기존방식보다 간단하게 성장시킬 수 있는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치 및 그 성장장치에서의 대면적 산화물 박막 성장방법을 제공한다.
고온용 전도성 접착제, 인 시츄(in situ), 금속 절연체 전이, MIT, VO2, 바나듐 옥사이드, 대면적

公开(公告)号：KR1020100056333A

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：KR1020090002731

申请日：2009-01-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: PURPOSE: By including the heat dissipation electrode in the substrate backside 3 terminal thermistor, the thermistor-transistor, and the power transistor control circuit and electrical power system can prevent the one own initiative generation of heat. CONSTITUTION: A radiating terminal(40) is formed into the substrate backside. The radiating terminal transfers the heat. The thermistor thin film(20) is formed into the substrate upside central part. The first and the second electrode(30) are from side to side formed into the substrate upside of the thermistor thin film. A terminal thermistor comprises the isolation buffer layer(50) among substrate and thermistor thin film.

Abstract translation: 目的：通过将散热电极包括在基板背面3端子热敏电阻中，热敏电阻晶体管和功率晶体管控制电路和电力系统可以防止自己主动产生热量。 构成：辐射端子（40）形成在衬底背面。 散热端子传热。 热敏电阻薄膜（20）形成为基板上侧中央部。 第一和第二电极（30）从一侧到另一侧形成热敏电阻薄膜的衬底上侧。 端子热敏电阻器包括衬底和热敏电阻薄膜之间的隔离缓冲层（50）。

公开(公告)号：KR1020140008999A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020130003890

申请日：2013-01-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  최정용 ,  전현우 ,  최재호 ,  서기완

IPC: H01L35/02

CPC classification number: H01L35/02 ,  H01L35/14

Abstract: The present invention discloses a thermoelectric element. The thermoelectric element comprises a first electrode, a substrate electrically connected to the first electrode, a thin film on the substrate, and a second electrode on the thin film. The substrate and the thin film can have metallic properties that thermoelectric power thereof is higher than thermoelectric power of semiconductor junction at temperatures above the critical temperature.

Abstract translation: 本发明公开了一种热电元件。 热电元件包括​​第一电极，电连接到第一电极的衬底，衬底上的薄膜和薄膜上的第二电极。 衬底和薄膜可以具有金属特性，其温度高于临界温度时的热电功率高于半导体结的热电功率。

公开(公告)号：KR102031961B1

公开(公告)日：2019-10-14

申请号：KR1020130003890

申请日：2013-01-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  최정용 ,  전현우 ,  최재호 ,  서기완

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/14

公开(公告)号：KR1020100094321A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090095129

申请日：2009-10-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/50 ,  H01L21/20

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for growing a large area vanadium dioxide thin film are provided to reduce the number of processes and achieve uniform thickness of a thin film. CONSTITUTION: An apparatus for growing a large area vanadium dioxide thin film comprises a target, a large size substrate(110), a heater(102), and a fixing unit. The target is formed of a deposition material. The large size substrate is installed to face the target. The heater is arranged under the substrate to heat the substrate. The fixing unit mechanically secures the large size substrate to the heater without using an adhesive.

Abstract translation: 目的：提供用于生长大面积二氧化钒薄膜的装置和方法，以减少工艺数量并实现薄膜的均匀厚度。 构成：用于生长大面积二氧化钒薄膜的装置包括靶，大尺寸基板（110），加热器（102）和定影单元。 靶由沉积材料形成。 安装大尺寸基板以面对目标。 加热器布置在基板下面以加热基板。 固定单元将大尺寸基板机械地固定到加热器上而不使用粘合剂。

公开(公告)号：KR101312267B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020090002731

申请日：2009-01-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: 본 발명은 종래의 써미스터 또는 트랜지스터의 문제점을 해결할 수 있는, 3 단자 써미스터 소자, 그 써미스터 소자를 포함한 써미스터-트랜지스터, 그 써미스터-트랜지스터를 이용한 전력 트랜지스터 발열 제어회로 및 그 발열 제어회로를 포함한 전력 시스템을 제공한다. 그 전력 트랜지스터 발열 제어회로는 온도 증가에 따라 저항이 감소하는 써미스터 소자 및 상기 써미스터 소자에 연결된 제어 트랜지스터를 구비한 써미스터-트랜지스터; 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력을 공급 및 제어하는 적어도 1개의 전력 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 써미스터-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 전력 트랜지스터의 베이스나 게이트, 또는 컬렉터나 드레인에 연결되어, 상기 전력 트랜지스터의 온도 상승 시, 상기 써미스터-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 전력 트랜지스터의 발열을 방지한다.
써미스터 칩 소자, 트랜지스터 발열 제어