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1.发明申请금속-절연체 전이 3 단자 소자와 그를 구비한 전기 전자 시스템 및 그에 따른 정전기 잡음 신호 제거 방법 审中-公开用于金属绝缘体过渡的三端装置，包括其的电气和电子系统以及用于去除静电噪声信号的方法
公开(公告)号：WO2013066006A1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/KR2012/008886
申请日：2012-10-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , H01L27/0248
Abstract: 본 발명은 Hole-driven MIT 이론에 근거한 MIT 3 단자 소자인 t-switch의 구현과 t-switch의 응용인 ElectroStatic Discharge (ESD) 잡음 신호를 제거하는 기술을 보여준다. t-switch는 Inlet, Outlet, Control의 3단자로 구성되며 MIT(금속-절연체 전이, 불연속 점프)는 Control 단자에 흐르는 전류에 의해 Outlet 층에서 일어난다. t-switch는 Control 단자에 고저항이 연결되어 Inlet-Outlet으로 소자의 파괴없이 고전류 고전압의 ESD신호가 흐르도록 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于空穴驱动的MIT理论和用于去除静电放电（ESD）噪声信号的技术来实现用于MIT的三端子装置的t开关的方法，其中， 是t开关的技术应用。 t开关包括由入口，出口和控制端子组成的三个端子。 通过电流流入控制端子，MIT（金属 - 绝缘体转变，不连续跳跃）发生在出口层。 t开关的高电阻连接到控制端子，使得高电流高电压ESD信号流入入口端子而不损坏装置。
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公开(公告)号：KR1020120018642A
公开(公告)日：2012-03-05
申请号：KR1020100081608
申请日：2010-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A light emitting device based on a metal-insulator transistion is provided to manufacture a light emitting diode including one of a P-type semiconductor film and a N type semiconductor film by forming a light emitting device with a semiconductor which radiates light through a metal-insulator transition. CONSTITUTION: A buffer layer(420) is formed on a substrate(410). A first electrode(440) is formed on the buffer layer. A semiconductor film is formed in the buffer layer and is separated from the first electrode. The semiconductor layer radiates light according to the voltage supplied to the first electrode and the second electrode. The second electrode(450) is formed in the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种基于金属绝缘体转移的发光器件，以通过形成具有半导体的发光器件来制造包括P型半导体膜和N型半导体膜中的一种的发光二极管，所述半导体通过 金属 - 绝缘体转变。 构成：在衬底（410）上形成缓冲层（420）。 第一电极（440）形成在缓冲层上。 半导体膜形成在缓冲层中并与第一电极分离。 半导体层根据提供给第一电极和第二电极的电压照射光。 第二电极（450）形成在半导体层中。
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公开(公告)号：KR1020150112100A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020140035322
申请日：2014-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J35/02
Abstract: 본발명은타깃유닛및 그를구비하는엑스선튜브를개시한다. 그의유닛은, 윈도우층과, 상기윈도우층 상에배치된타깃을포함한다. 상기타깃은상기윈도우층을나노사이즈로노출하는 Y자모양의제 1 홀을가질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种目标单元和包括该单元的X射线管。 该单元包括窗口层和布置在窗口层上的目标。 目标具有将窗口层作为纳米尺度曝光的y形第一孔。
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Patent Agency Ranking6.发明授权
公开(公告)号：KR101834904B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020120073002
申请日：2012-07-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 본발명은 Hole-driven MIT 이론에근거한 MIT 3 단자소자인 t-switch의구현과 t-switch의응용인 ElectroStatic Discharge (ESD) 잡음신호를제거하는기술을보여준다. t-switch는 Inlet, Outlet, Control의 3단자로구성되며 MIT(금속-절연체전이, 불연속점프)는 Control 단자에흐르는전류에의해 Outlet 층에서일어난다. t-switch는 Control 단자에고저항이연결되어 Inlet-Outlet으로소자의파괴없이고전류고전압의 ESD신호가흐르도록한다.
Abstract translation: 本发明示出了基于空穴驱动的MIT理论的MIT开关，以及用于消除作为t开关应用的静电放电（ESD）噪声信号的技术的t开关的实现。 t开关由三个端子组成：Inlet，Outlet和Control。MIT（金属绝缘体转换，不连续跳转）通过控制端子中流动的电流出现在Outlet层中。 T开关连接到控制终端回声电阻，从而允许高电流，高电压ESD信号流过入口出口而不会损坏设备。
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公开(公告)号：KR1020140008999A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020130003890
申请日：2013-01-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: The present invention discloses a thermoelectric element. The thermoelectric element comprises a first electrode, a substrate electrically connected to the first electrode, a thin film on the substrate, and a second electrode on the thin film. The substrate and the thin film can have metallic properties that thermoelectric power thereof is higher than thermoelectric power of semiconductor junction at temperatures above the critical temperature.
Abstract translation: 本发明公开了一种热电元件。 热电元件包括第一电极，电连接到第一电极的衬底，衬底上的薄膜和薄膜上的第二电极。 衬底和薄膜可以具有金属特性，其温度高于临界温度时的热电功率高于半导体结的热电功率。
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公开(公告)号：KR1020150060490A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020140016088
申请日：2014-02-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전계방출소자및 그제조방법에관한것으로, 전계방출소자는대향하는아노드전극과캐소드전극, 상기아노드전극상에제공된카운터층; 및상기캐소드전극상에제공되고상기카운터층을바라보는전계방출에미터를포함한다. 상기전계방출에미터는냉전자를방출하는탄소나노튜브그리고광전자를방출하는광전물질을포함한다.
Abstract translation: 场致发射器件及其制造方法技术领域本发明涉及场发射器件及其制造方法。 场致发射器件包括彼此面对的阳极电极和阴极电极，形成在阳极电极上的对置层，以及形成在阴极电极上且面向对置层的场致发射体。 场致发射体包括发射冷电子的碳纳米管和发射光电子的光电材料。
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公开(公告)号：KR1020140049917A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020130028117
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/101 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/03046 , H01L31/062
Abstract: The present invention discloses an ambient light sensor based on a metal-insulator transition (MIT) phenomenon. The sensor comprises: a substrate; a buffer layer on the substrate; a plurality of electrodes separated on the buffer layer; and a detection layer coupled into the electrodes and detecting the area of visible light and the infrared light. Herein, the detection layer may include an aluminium gallium arsenic layer or a superlattice layer of the aluminium galliumarsenic layer and a galliumarsenic layer.
Abstract translation: 本发明公开了一种基于金属 - 绝缘体转变（MIT）现象的环境光传感器。 传感器包括：基板; 衬底上的缓冲层; 在所述缓冲层上分离的多个电极; 以及耦合到电极中并检测可见光和红外光的区域的检测层。 这里，检测层可以包括铝镓砷层或铝镓砷层的超晶格层和镓砷层。
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